公开(公告)号：CN101384749A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200780005070.4

申请日：2007-01-16

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 铃木健二 ,  以马利·P·盖德帝 ,  格利特·J·莱乌辛克 ,  原正道 ,  黑岩大祐 ,  石坂忠大

IPC分类号： C23C16/448

CPC分类号： C23C16/4481

摘要： 本发明描述了与高传导率蒸汽传输系统(40)相耦合的多盘膜前驱体蒸发系统(1)，其用于通过增大膜前驱体的暴露表面积来增大沉积速率。多盘膜前驱体蒸发系统(50)包括一个或多个盘(340)。每个盘被配置为支撑并保持例如固态粉末形式或固态片形式的膜前驱体(350)。另外，每个盘被配置为在加热膜前驱体的同时提供膜前驱体上方的载气的高传导率流动。例如，载气在膜前驱体上方向内流动，并且竖直地向上经过可堆叠盘内的流动通道(318)，并经过固态前驱体蒸发系统中的出口(322)。

公开(公告)号：CN102132389A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200980133509.0

申请日：2009-08-22

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 长谷川利夫 ,  格利特·J·莱乌辛克

IPC分类号： H01L21/337 ,  H01L29/808

CPC分类号： H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/517

摘要： 本申请描述了一种用于形成用于半导体器件的铝掺杂金属(钽或者钛)氮化碳栅电极的方法。该方法包括提供其上包含电介质层的衬底，并且在没有等离子体的情况下在电介质层上形成栅电极。通过沉积金属氮化碳膜并且将铝前驱物的原子层吸附在金属氮化碳膜上来形成栅极。沉积和吸附的步骤可以重复期望的次数，直到铝掺杂金属氮化碳栅电极具有期望的厚度。

公开(公告)号：CN101065515A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200580040912.0

申请日：2005-10-03

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 铃木健二 ,  以马利·盖德帝 ,  格利特·J·莱乌辛克 ,  原正道 ,  黑岩大祐

IPC分类号： C23C16/448

CPC分类号： C23C16/4481 ,  C23C16/16

摘要： 本发明描述了用于与高传导率蒸汽传输系统相耦合的多盘固态前驱体蒸发系统(50、150、300、300’)的可置换前驱体盘，其用于通过增大固态前驱体的暴露表面积来增大沉积速率。多盘固态前驱体蒸发系统(50、150、300、300’)被配置为耦合到薄膜沉积系统(1、100)的处理室(10、110)，并且包括基座盘(330)以及一个或多个可堆叠上部盘(340)。每个盘(330、340)被配置为支撑并保持例如固态粉末形式或固态片形式的膜前驱体(350)。另外，每个盘(330、340)被配置为在加热膜前驱体(350)的同时提供膜前驱体(350)上方的载气的高传导率流动。例如，载气在膜前驱体(350)上方向内流动，并且垂直地向上经过可堆叠盘(370、370’)内部的流动通道(318)，并经过固态前驱体蒸发系统(50、150、300、300’)中的出口(322)。

公开(公告)号：CN100572591C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200580040103.X

申请日：2005-10-03

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  国际商业机器公司

发明人： 铃木健二 ,  以马利·盖德帝 ,  格利特·J·莱乌辛克 ,  芬顿·R·麦克非 ,  桑德拉·G·马尔霍特拉

IPC分类号： C23C16/16 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76843 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76873

摘要： 本发明描述了一种用于通过将羰基金属前驱体(52、152)的蒸汽与CO气体混合来增大以羰基金属前驱体(52、152)形成的金属层的沉积速率的方法(300)。该方法(300)包括在沉积系统(1、100)的处理室(10、110)中提供衬底(25、125)，形成包含羰基金属前驱体蒸汽和CO气体的处理气体，以及将衬底(25、125、400、402)暴露于处理气体以通过热化学气相沉积工艺在衬底(25、125、400、402)上沉积金属层(440、460)。

公开(公告)号：CN101065516A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200580040914.X

申请日：2005-11-29

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 铃木健二 ,  以马利·P·盖德帝 ,  格利特·J·莱乌辛克 ,  原正道 ,  黑岩大祐

IPC分类号： C23C16/448

CPC分类号： C23C16/4481 ,  C23C16/16

摘要： 本发明描述了与高传导率蒸汽传输系统(40、140)相耦合的多盘固态前驱体蒸发系统(50、150、300、300’)，其用于通过增大固态前驱体(350)的暴露表面积来增大沉积速率。多盘固态前驱体蒸发系统(50、150、300、300’)包括基座盘(330)以及一个或多个上部盘(340)。每个盘(330、340)被配置为支撑并保持例如固态粉末形式或固态片形式的膜前驱体(350)。另外，每个盘(330、340)被配置为在加热膜前驱体(350)的同时提供膜前驱体(350)上方的载气的高传导率流动。例如，载气在膜前驱体(350)上方向内流动，并且垂直地向上经过可堆叠盘(340)内部的流动通道(318)，并经过固态前驱体蒸发系统(50、150、300、300’)中的出口(322)。

公开(公告)号：CN104066871B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201380006555.0

申请日：2013-01-25

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 长谷川敏夫 ,  多田国弘 ,  山崎英亮 ,  大卫·L·奥梅亚拉 ,  格利特·J·莱乌辛克

IPC分类号： C23C16/42

CPC分类号： H01L21/76898 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45538 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28562 ,  H01L28/91 ,  H01L29/66181

摘要： 提供了一种用于在衬底上形成金属硅化物层的方法。根据一个实施方案，该方法包括：将衬底设置在处理室中；以第一衬底温度将衬底暴露于由包含金属前体的沉积气体生成的等离子体，其中等离子体暴露以自限性过程在衬底上形成共形的含金属层。该方法还包括：以第二衬底温度将含金属层在不存在等离子体的条件下暴露于还原气体，其中将上述暴露步骤交替地进行至少一次以形成金属硅化物层，并且沉积气体不包含还原气体。该方法提供了在具有高深宽比的深沟槽中形成共形金属硅化物。

公开(公告)号：CN101065516B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200580040914.X

申请日：2005-11-29

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 铃木健二 ,  以马利·P·盖德帝 ,  格利特·J·莱乌辛克 ,  原正道 ,  黑岩大祐

IPC分类号： C23C16/448

CPC分类号： C23C16/4481 ,  C23C16/16

摘要： 本发明描述了与高传导率蒸汽传输系统(40、140)相耦合的多盘固态前驱体蒸发系统(50、150、300、300’)，其用于通过增大固态前驱体(350)的暴露表面积来增大沉积速率。多盘固态前驱体蒸发系统(50、150、300、300’)包括基座盘(330)以及一个或多个上部盘(340)。每个盘(330、340)被配置为支撑并保持例如固态粉末形式或固态片形式的膜前驱体(350)。另外，每个盘(330、340)被配置为在加热膜前驱体(350)的同时提供膜前驱体(350)上方的载气的高传导率流动。例如，载气在膜前驱体(350)上方向内流动，并且垂直地向上经过可堆叠盘(340)内部的流动通道(318)，并经过固态前驱体蒸发系统(50、150、300、300’)中的出口(322)。

公开(公告)号：CN101124352A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200580040103.X

申请日：2005-10-03

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  国际商业机器公司

发明人： 铃木健二 ,  以马利·盖德帝 ,  格利特·J·莱乌辛克 ,  芬顿·R·麦克非 ,  桑德拉·G·马尔霍特拉

IPC分类号： C23C16/16 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76843 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76873

摘要： 本发明描述了一种用于通过将羰基金属前驱体(52、152)的蒸汽与CO气体混合来增大以羰基金属前驱体(52、152)形成的金属层的沉积速率的方法(300)。该方法(300)包括在沉积系统(1、100)的处理室(10、110)中提供衬底(25、125)，形成包含羰基金属前驱体蒸汽和CO气体的处理气体，以及将衬底(25、125、400、402)暴露于处理气体以通过热化学气相沉积工艺在衬底(25、125、400、402)上沉积金属层(440、460)。

公开(公告)号：CN104066871A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201380006555.0

申请日：2013-01-25

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 长谷川敏夫 ,  多田国弘 ,  山崎英亮 ,  大卫·L·奥梅亚拉 ,  格利特·J·莱乌辛克

IPC分类号： C23C16/42

CPC分类号： H01L21/76898 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45538 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28562 ,  H01L28/91 ,  H01L29/66181

摘要： 提供了一种用于在衬底上形成金属硅化物层的方法。根据一个实施方案，该方法包括：将衬底设置在处理室中；以第一衬底温度将衬底暴露于由包含金属前体的沉积气体生成的等离子体，其中等离子体暴露以自限性过程在衬底上形成共形的含金属层。该方法还包括：以第二衬底温度将含金属层在不存在等离子体的条件下暴露于还原气体，其中将上述暴露步骤交替地进行至少一次以形成金属硅化物层，并且沉积气体不包含还原气体。该方法提供了在具有高深宽比的深沟槽中形成共形金属硅化物。

公开(公告)号：CN102132389B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN200980133509.0

申请日：2009-08-22

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 长谷川利夫 ,  格利特·J·莱乌辛克

IPC分类号： H01L21/337 ,  H01L29/808

CPC分类号： H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/517

摘要： 本发明描述了一种用于形成用于半导体器件的铝掺杂金属(钽或者钛)氮化碳栅电极的方法。该方法包括提供其上包含电介质层的衬底，并且在没有等离子体的情况下在电介质层上形成栅电极。通过沉积金属氮化碳膜并且将铝前驱物的原子层吸附在金属氮化碳膜上来形成栅极。沉积和吸附的步骤可以重复期望的次数，直到铝掺杂金属氮化碳栅电极具有期望的厚度。