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公开(公告)号：CN117678062A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202280050917.5
申请日：2022-07-14
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/683 , H05H1/46 , H02N13/00
摘要： 基片支承器包括：基座；配置在所述基座的上部的第一电介质部，其用于载置基片；和以包围所述第一电介质部的方式配置的第二电介质部，其用于载置边缘环，所述第一电介质部和所述第二电介质部中的至少任一者包括由绝缘性材料形成的喷镀层。基片处理装置包括：等离子体处理腔室；和设置在所述等离子体处理腔室的内部的所述基片支承器。
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公开(公告)号：CN107887246B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201710838643.7
申请日：2017-09-18
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
摘要： 本发明提供一种能够防止异常放电的载置台和等离子体处理装置，该等离子体处理装置具备该载置台。载置台(2)具备静电卡盘(6)、基材(2a)、气体用隔离件(204)以及销(31)。静电卡盘具有供晶圆(W)载置的载置面(21)和与载置面(21)相对的背面(22)，在载置面形成有第1贯通孔(17)。基材(2a)与静电卡盘(6)的背面(22)接合，形成有与第1贯通孔(17)连通的第2贯通孔(18)。气体用隔离件呈筒状，被插入于第2贯通孔(18)。销(31)被收容于第1贯通孔(17)和气体用隔离件(204)。销(31)与第1贯通孔(17)以及气体用隔离件(204)各自的内壁隔开间隙地配置，第1贯通孔与销之间的间隙比气体用隔离件与销之间的间隙大。
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公开(公告)号：CN111095500B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201980004527.2
申请日：2019-06-05
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
摘要： 提供一种载置台，该载置台具有：板状构件，其具有载置被处理体的载置面和与所述载置面相对的背面，形成有贯通所述载置面和所述背面的通孔；和埋入构件，其配置到所述通孔的内部，在所述埋入构件的表面设置有凹部和凸部中的至少任一者。
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公开(公告)号：CN107887246A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710838643.7
申请日：2017-09-18
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
摘要： 本发明提供一种能够防止异常放电的载置台和等离子体处理装置，该等离子体处理装置具备该载置台。载置台(2)具备静电卡盘(6)、基材(2a)、气体用隔离件(204)以及销(31)。静电卡盘具有供晶圆(W)载置的载置面(21)和与载置面(21)相对的背面(22)，在载置面形成有第1贯通孔(17)。基材(2a)与静电卡盘(6)的背面(22)接合，形成有与第1贯通孔(17)连通的第2贯通孔(18)。气体用隔离件呈筒状，被插入于第2贯通孔(18)。销(31)被收容于第1贯通孔(17)和气体用隔离件(204)。销(31)与第1贯通孔(17)以及气体用隔离件(204)各自的内壁隔开间隙地配置，第1贯通孔与销之间的间隙比气体用隔离件与销之间的间隙大。
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公开(公告)号：CN111095500A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201980004527.2
申请日：2019-06-05
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
摘要： 提供一种载置台，该载置台具有：板状构件，其具有载置被处理体的载置面和与所述载置面相对的背面，形成有贯通所述载置面和所述背面的通孔；和埋入构件，其配置到所述通孔的内部，在所述埋入构件的表面设置有凹部和凸部中的至少任一者。
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公开(公告)号：CN110197787A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910122590.8
申请日：2019-02-19
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/673
摘要： 本发明提供等离子体处理装置和载置台的制造方法。所提供的等离子体处理装置具备：载置台，其具有板状构件和基台，所述板状构件具有用于载置被处理体的载置面以及与所述载置面相对的背面，并且在所述板状构件中形成有贯通所述载置面和所述背面的第一通孔，所述基台具有用于支承所述板状构件的支承面，并且在所述基台形成有与所述第一通孔连通的第二通孔；以及埋入构件，其配置在所述第一通孔和所述第二通孔的内部，其中，所述埋入构件具有配置于所述第一通孔的第一埋入构件和配置于所述第二通孔的第二埋入构件，所述第一埋入构件和所述第二埋入构件不相互固定，所述第一埋入构件在下侧具有宽度比上端部的宽度宽的部分。
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公开(公告)号：CN110197787B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN201910122590.8
申请日：2019-02-19
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/673
摘要： 本发明提供等离子体处理装置和载置台的制造方法。所提供的等离子体处理装置具备：载置台，其具有板状构件和基台，所述板状构件具有用于载置被处理体的载置面以及与所述载置面相对的背面，并且在所述板状构件中形成有贯通所述载置面和所述背面的第一通孔，所述基台具有用于支承所述板状构件的支承面，并且在所述基台形成有与所述第一通孔连通的第二通孔；以及埋入构件，其配置在所述第一通孔和所述第二通孔的内部，其中，所述埋入构件具有配置于所述第一通孔的第一埋入构件和配置于所述第二通孔的第二埋入构件，所述第一埋入构件和所述第二埋入构件不相互固定，所述第一埋入构件在下侧具有宽度比上端部的宽度宽的部分。
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公开(公告)号：CN113496925A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110372663.6
申请日：2021-04-07
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687
摘要： 本发明提供一种边缘环,其能够降低导热气体的泄露。该边缘环配置于基板的周缘,其以如下方式形成:以将上述边缘环的中心轴线上的一点设定为中心点的、上述边缘环的内径以上外径以下的直径的假想圆为基准,自上述假想圆上的多个点至上述边缘环的下表面的垂直方向的高度的最大值与最小值的差值的绝对值为预定的的上限值以下。
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公开(公告)号：CN112640060A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980057784.2
申请日：2019-09-03
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/683 , H02N13/00 , H05H1/46
摘要： 提供一种基板支承体，其包括：基台；静电吸盘，用于放置基板；电极，设置于所述静电吸盘；所述电极的接点部；粘接层，在所述基台上将所述静电吸盘与所述基台粘接，并且不覆盖所述接点部；以及供电端子，以不被固定于所述电极的接点部的方式与所述电极的接点部接触。
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