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公开(公告)号：CN113793794A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111085961.3
申请日：2018-09-14
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/683
摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置，其在进行偏置电功率的大小的切换的等离子体处理中，抑制形成在被处理基片上的倾斜。等离子体处理装置包括：基座，能够被施加在对被处理基片进行等离子体处理期间中能够切换大小的偏置电功率；静电卡盘，其设置在基座上，能够在中央部载置被处理基片，在外周部以包围被处理基片的方式载置聚焦环；和电介质层，其配置在静电卡盘的外周部与基座或聚焦环之间，具有使静电卡盘的外周部的静电电容与静电卡盘的中央部的静电电容之差减少的静电电容。
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公开(公告)号：CN107887246A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710838643.7
申请日：2017-09-18
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
摘要： 本发明提供一种能够防止异常放电的载置台和等离子体处理装置，该等离子体处理装置具备该载置台。载置台(2)具备静电卡盘(6)、基材(2a)、气体用隔离件(204)以及销(31)。静电卡盘具有供晶圆(W)载置的载置面(21)和与载置面(21)相对的背面(22)，在载置面形成有第1贯通孔(17)。基材(2a)与静电卡盘(6)的背面(22)接合，形成有与第1贯通孔(17)连通的第2贯通孔(18)。气体用隔离件呈筒状，被插入于第2贯通孔(18)。销(31)被收容于第1贯通孔(17)和气体用隔离件(204)。销(31)与第1贯通孔(17)以及气体用隔离件(204)各自的内壁隔开间隙地配置，第1贯通孔与销之间的间隙比气体用隔离件与销之间的间隙大。
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公开(公告)号：CN109509694B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201811073526.7
申请日：2018-09-14
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/683
摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置，其在进行偏置电功率的大小的切换的等离子体处理中，抑制形成在被处理基片上的倾斜。等离子体处理装置包括：基座，能够被施加在对被处理基片进行等离子体处理期间中能够切换大小的偏置电功率；静电卡盘，其设置在基座上，能够在中央部载置被处理基片，在外周部以包围被处理基片的方式载置聚焦环；和电介质层，其配置在静电卡盘的外周部与基座或聚焦环之间，具有使静电卡盘的外周部的静电电容与静电卡盘的中央部的静电电容之差减少的静电电容。
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公开(公告)号：CN107887246B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201710838643.7
申请日：2017-09-18
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
摘要： 本发明提供一种能够防止异常放电的载置台和等离子体处理装置，该等离子体处理装置具备该载置台。载置台(2)具备静电卡盘(6)、基材(2a)、气体用隔离件(204)以及销(31)。静电卡盘具有供晶圆(W)载置的载置面(21)和与载置面(21)相对的背面(22)，在载置面形成有第1贯通孔(17)。基材(2a)与静电卡盘(6)的背面(22)接合，形成有与第1贯通孔(17)连通的第2贯通孔(18)。气体用隔离件呈筒状，被插入于第2贯通孔(18)。销(31)被收容于第1贯通孔(17)和气体用隔离件(204)。销(31)与第1贯通孔(17)以及气体用隔离件(204)各自的内壁隔开间隙地配置，第1贯通孔与销之间的间隙比气体用隔离件与销之间的间隙大。
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公开(公告)号：CN100456433C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200510123269.X
申请日：2005-11-15
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , C23F4/00
摘要： 本发明提供一种聚焦环，是在利用等离子体对载置在气密性处理容器内的载置台上的基板表面进行蚀刻的等离子体蚀刻装置中使用、以围绕所述基板周围的方式设置的聚焦环。聚焦环中，在靠近其表面的内侧处，具有对该区域进行精加工，使其平均表面粗糙度Ra小到蚀刻处理时不捕捉反应生成物的程度的第一区域，在所述第一区域的外侧，具有对该区域进行a精加工，使其平均表面粗糙度R大到能捕捉所述反应生成物的第二区域。第一区域和第二区域的界限，是将聚焦环组装到等离子体蚀刻装置中，利用等离子体对基板进行蚀刻时，消耗程度相对于其他部位大幅度变化的部位。
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公开(公告)号：CN113496925A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110372663.6
申请日：2021-04-07
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687
摘要： 本发明提供一种边缘环,其能够降低导热气体的泄露。该边缘环配置于基板的周缘,其以如下方式形成:以将上述边缘环的中心轴线上的一点设定为中心点的、上述边缘环的内径以上外径以下的直径的假想圆为基准,自上述假想圆上的多个点至上述边缘环的下表面的垂直方向的高度的最大值与最小值的差值的绝对值为预定的的上限值以下。
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公开(公告)号：CN109509694A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811073526.7
申请日：2018-09-14
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/683
摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置，其在进行偏置电功率的大小的切换的等离子体处理中，抑制形成在被处理基片上的倾斜。等离子体处理装置包括：基座，能够被施加在对被处理基片进行等离子体处理期间中能够切换大小的偏置电功率；静电卡盘，其设置在基座上，能够在中央部载置被处理基片，在外周部以包围被处理基片的方式载置聚焦环；和电介质层，其配置在静电卡盘的外周部与基座或聚焦环之间，具有使静电卡盘的外周部的静电电容与静电卡盘的中央部的静电电容之差减少的静电电容。
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公开(公告)号：CN118402054A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202280082588.2
申请日：2022-12-09
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/3065 , H02N13/00
摘要： 本发明的基片支承器包括：用于支承基片和边缘环的静电吸盘；和支承上述静电吸盘的基座，上述静电吸盘包括：第一区域，其构成为具有第一上表面，能够支承载置在第一上表面之上的基片；第二区域，其构成为具有第二上表面，设置于上述第一区域的周围，能够支承载置在上述第二上表面之上的边缘环；第一电极，其设置于上述第一区域，能够被施加直流电压；第二电极，其设置于上述第一电极的下部，能够被供给第一偏置功率；第三电极，其设置于上述第二电极的下部，能够被供给上述第一偏置功率；和第一气体供给路径，其配置于上述第二电极与上述第三电极之间，上述基片支承器还具有第一功率供给路径，上述第一功率供给路径与上述第二电极和上述第三电极电接触，用于供给上述第一偏置功率。
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公开(公告)号：CN1776889A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510123269.X
申请日：2005-11-15
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , C23F4/00
摘要： 本发明提供一种聚焦环，是在利用等离子体对载置在气密性处理容器内的载置台上的基板表面进行蚀刻的等离子体蚀刻装置中使用、以围绕所述基板周围的方式设置的聚焦环。聚焦环中，在靠近其表面的内侧处，具有对该区域进行精加工，使其平均表面粗糙度Ra小到蚀刻处理时不捕捉反应生成物的程度的第一区域，在所述第一区域的外侧，具有对该区域进行a精加工，使其平均表面粗糙度R大到能捕捉所述反应生成物的第二区域。第一区域和第二区域的界限，是将聚焦环组装到等离子体蚀刻装置中，利用等离子体对基板进行蚀刻时，消耗程度相对于其他部位大幅度变化的部位。
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公开(公告)号：CN3514871D
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200530015559.3
申请日：2005-05-20
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 1.左视图与右视图对称，省略左视图。
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