公开(公告)号：CN1808695A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200610001791.5

申请日：2003-12-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大西正 ,  滨学 ,  本多稔 ,  光冈一行 ,  岩下光秋

IPC: H01L21/263 ,  H01L21/00 ,  C23C16/517 ,  B05D3/06

Abstract: 在现有的进行抗蚀剂膜和层间绝缘膜的成膜时，难以均匀地调整膜厚，例如如果使用旋转器涂布SOD膜，则如图9(a)所示，SOD膜的膜厚不均匀，这种状态原封不动保留。本发明的成膜方法如下：在从第一、第二、第三电子束管(43A、43B、43C)向形成在晶片W上的SOD膜照射电子束B时，根据图6(a)所示的膜厚分布，如图6(b)所示在每个块中控制第一、第二、第三电子束管(43A、43B、43C)各自的输出，变更剂量量。

公开(公告)号：CN1263097C

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200310123023.3

申请日：2003-12-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大西正 ,  滨学 ,  本多稔 ,  光冈一行 ,  岩下光秋

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/02351 ,  C23C16/56 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/3156 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/312 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253

Abstract: 在现有的进行抗蚀剂膜和层间绝缘膜的成膜时，难以均匀地调整膜厚，例如如果使用旋转器涂布SOD膜，则如图9(a)所示，SOD膜的膜厚不均匀，这种状态原封不动保留。本发明的成膜方法如下：在从第一、第二、第三电子束管(43A、43B、43C)向形成在晶片W上的SOD膜照射电子束B时，根据图6(a)所示的膜厚分布，如图6(b)所示在每个块中控制第一、第二、第三电子束管(43A、43B、43C)各自的输出，变更剂量量。

公开(公告)号：CN1512548A

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN200310123023.3

申请日：2003-12-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大西正 ,  滨学 ,  本多稔 ,  光冈一行 ,  岩下光秋

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/02351 ,  C23C16/56 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/3156 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/312 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253

Abstract: 在现有的进行抗蚀剂膜和层间绝缘膜的成膜时，难以均匀地调整膜厚，例如如果使用旋转器涂布SOD膜，则如图9(a)所示，SOD膜的膜厚不均匀，这种状态原封不动保留。本发明的成膜方法如下：在从第一、第二、第三电子束管(43A、43B、43C)向形成在晶片W上的SOD膜照射电子束B时，根据图6(a)所示的膜厚分布，如图6(b)所示在每个块中控制第一、第二、第三电子束管(43A、43B、43C)各自的输出，变更剂量量。

公开(公告)号：CN100511619C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200310121199.5

申请日：2003-12-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大西正 ,  滨学

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L22/26 ,  H01J37/304 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/2482 ,  H01J2237/30466 ,  H01J2237/3156

Abstract: 本发明涉及一种膜处理方法，其特征在于，包括：将电子束发射到被处理体的膜上以处理所述膜的处理工序；在上述处理工序中，在上述被处理体的附近捕捉电子束以作为电流值进行测量的电流测量工序；根据按时间对上述电流值积分得到的电子量检测出膜处理的终点的检测工序。根据本发明，可实现不会过多或不充分地对被处理体的膜发射电子束，从而可得到适当的膜质。

公开(公告)号：CN100380593C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200610001791.5

申请日：2003-12-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大西正 ,  滨学 ,  本多稔 ,  光冈一行 ,  岩下光秋

IPC: H01L21/263 ,  H01L21/00 ,  C23C16/517 ,  B05D3/06

Abstract: 为了能够可靠地除去被处理体中积蓄的电荷，本发明提供一种薄膜处理系统，包括：电荷量测定部件，测定被处理体的薄膜上带电电荷量；以及电子束处理装置，具有将电子束照射到所述被处理体上并除去所述电荷的多个电子束管，其特征在于：所述电子束处理装置具有：向处理容器内供给稀有气体的部件；以及根据所述电荷量测定部件的测定结果控制所述多个电子束管的输出或照射时间的控制装置，通过向所述处理容器内供给的稀有气体，将电子束照射到所述被处理体上。由此，可以获得均匀的薄膜处理。

公开(公告)号：CN1510720A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN200310121199.5

申请日：2003-12-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大西正 ,  滨学

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L22/26 ,  H01J37/304 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/2482 ,  H01J2237/30466 ,  H01J2237/3156

Abstract: 本发明涉及一种膜处理方法，其特征在于，包括：将电子束发射到被处理体的膜上以处理所述膜的处理工序；在上述处理工序中，在上述被处理体的附近捕捉电子束以作为电流值进行测量的电流测量工序；根据按时间对上述电流值积分得到的电子量检测出膜处理的终点的检测工序。根据本发明，可实现不会过多或不充分地对被处理体的膜发射电子束，从而可得到适当的膜质。