公开(公告)号：CN101194345A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200680020281.0

申请日：2006-06-07

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  本多稔 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3185

Abstract: 本发明的等离子体氮化处理方法，由具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理容器内，形成含氮气体的微波激发高密度等离子体，在等离子体处理装置的处理容器内，使该高密度等离子体作用于被处理体表面的硅，在500℃以上的处理温度下进行氮化处理。

公开(公告)号：CN1873927A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610085008.8

申请日：2006-05-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本多稔 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供一种可以利用等离子体将硅直接氮化，形成质量优异的氮化膜的技术。本发明涉及一种等离子体处理方法，在等离子体处理装置的处理室内，使含氮等离子体作用于被处理体表面上的硅，进行直接氮化处理，形成氮化硅膜，其特征在于，包括：在由所述含氮等离子体中的自由基成分引发的氮化反应成为支配的条件下进行等离子体处理的第一步骤，和在由上述含氮等离子体中的离子成分引发的氮化反应成为支配的条件下进行等离子体处理的第二步骤。

公开(公告)号：CN1808695A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200610001791.5

申请日：2003-12-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大西正 ,  滨学 ,  本多稔 ,  光冈一行 ,  岩下光秋

IPC: H01L21/263 ,  H01L21/00 ,  C23C16/517 ,  B05D3/06

Abstract: 在现有的进行抗蚀剂膜和层间绝缘膜的成膜时，难以均匀地调整膜厚，例如如果使用旋转器涂布SOD膜，则如图9(a)所示，SOD膜的膜厚不均匀，这种状态原封不动保留。本发明的成膜方法如下：在从第一、第二、第三电子束管(43A、43B、43C)向形成在晶片W上的SOD膜照射电子束B时，根据图6(a)所示的膜厚分布，如图6(b)所示在每个块中控制第一、第二、第三电子束管(43A、43B、43C)各自的输出，变更剂量量。

公开(公告)号：CN1505115A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310116936.2

申请日：2003-12-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 光冈一行 ,  大西正 ,  本多稔 ,  浅子龙一 ,  岩下光秋

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/312 ,  C08L101/00

CPC classification number: H01L21/02137 ,  B05D1/005 ,  B05D3/068 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3124

Abstract: 本发明的处理方法是在形成于基板上的有机材料膜的表面上涂布保护膜用的极性液体材料或形成保护膜用的无机材料膜的方法。该方法包括：在稀有气体气氛气下、由电子束照射装置向有机材料膜照射电子束来进行改性处理的工序；和，在进行了改性处理的有机材料膜的表面涂布极性液体材料或形成无机材料膜的工序。通过改性工序，可以在使有机材料膜固化的共时，向有机材料膜赋予与极性液体材料或无机材料膜的亲和性。

公开(公告)号：CN107546096B

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201710485227.3

申请日：2017-06-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 今中雅士 ,  中西敏雄 ,  本多稔 ,  小谷光司

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明提供一种能够得到具有所希望的膜厚均匀性的膜的等离子体成膜装置和使用它的基板载置台。等离子体成膜装置包括：用于收纳基板的腔室；用于在腔室内载置基板的基板载置台；对腔室内供给包含成膜气体的气体的气体供给机构；对腔室内进行排气的排气机构；和使腔室内生成等离子体的等离子体生成机构，基板载置台包括：比基板的直径小且具有载置面的载置台主体；配置在载置台主体的外侧的形成环状的调整部件，调整部件设置成可更换，并且作为调整部件准备多个在基板的外侧的位置具有各种台阶差的调整部件，能够使用从多个调整部件中根据等离子体处理的处理条件选择的调整部件。

公开(公告)号：CN102549727A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080044020.9

申请日：2010-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本多稔 ,  鸿野真之 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/42 ,  C23C16/511 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/345 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28282

Abstract: 本发明提供氮化硅膜的成膜方法和半导体存储装置的制造方法。该氮化硅膜的成膜方法利用等离子体CVD法将存在大量的阱且可用作非易失性半导体存储装置的电荷蓄积层的氮化硅膜形成。在等离子体CVD装置中使用处理气体、并将处理容器内的压力设定在0.1Pa～8Pa的范围内来进行等离子体CVD，从而将含有较多的阱的氮化硅膜形成，其中，该等离子体CVD装置利用具有多个孔的平面天线将微波导入到处理容器内而生成等离子体，从而进行成膜，该处理气体含有由硅原子及氯原子构成的化合物的气体和氮气。

公开(公告)号：CN101981690A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200980111171.9

申请日：2009-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 远藤哲郎 ,  鸿野真之 ,  大田尾修一郎 ,  本多稔 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/318 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种MOS型半导体存储装置的制造方法和等离子体CVD装置。为了制造具有相邻的绝缘膜的带隙大小不同的绝缘膜层叠体的MOS型半导体存储装置，使用通过具有多个孔的平面天线(31)向腔室(1)导入微波的等离子体处理装置(100)，至少以与形成邻接的绝缘膜时的压力条件不同的压力条件进行等离子体CVD，改变构成绝缘膜层叠体的相邻的绝缘膜的带隙大小来依次进行成膜。

公开(公告)号：CN1512548A

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN200310123023.3

申请日：2003-12-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大西正 ,  滨学 ,  本多稔 ,  光冈一行 ,  岩下光秋

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/02351 ,  C23C16/56 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/3156 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/312 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253

Abstract: 在现有的进行抗蚀剂膜和层间绝缘膜的成膜时，难以均匀地调整膜厚，例如如果使用旋转器涂布SOD膜，则如图9(a)所示，SOD膜的膜厚不均匀，这种状态原封不动保留。本发明的成膜方法如下：在从第一、第二、第三电子束管(43A、43B、43C)向形成在晶片W上的SOD膜照射电子束B时，根据图6(a)所示的膜厚分布，如图6(b)所示在每个块中控制第一、第二、第三电子束管(43A、43B、43C)各自的输出，变更剂量量。

公开(公告)号：CN101156234B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200680011056.0

申请日：2006-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本多稔 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01J2237/3387 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/3211 ,  H01L29/518 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种基板的氮化处理方法，在等离子体处理装置的处理室内，将含氮等离子体作用于基板表面的硅，从而进行氮化处理，使作为等离子体生成区域的等离子体电位(Vp)与上述基板的悬浮电位(Vf)的电位差(Vp-Vf)的上述基板附近的鞘电压(Vdc)控制在3.5[V]以下，而进行利用上述含氮等离子体的氮化处理。

公开(公告)号：CN100576464C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200610085008.8

申请日：2006-05-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本多稔 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供一种可以利用等离子体将硅直接氮化，形成质量优异的氮化膜的技术。本发明涉及一种等离子体处理方法，在等离子体处理装置的处理室内，使含氮等离子体作用于被处理体表面上的硅，进行直接氮化处理，形成氮化硅膜，其特征在于，包括：在由所述含氮等离子体中的自由基成分引发的氮化反应成为支配的条件下进行等离子体处理的第一步骤，和在由上述含氮等离子体中的离子成分引发的氮化反应成为支配的条件下进行等离子体处理的第二步骤。