公开(公告)号：CN107978541A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201710969596.X

申请日：2017-10-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小田桐正弥 ,  桑田拓岳 ,  江原宽贵 ,  田部井幸宽 ,  高桥毅 ,  中村秀雄 ,  山崎和良 ,  出野由和

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45548 ,  C23C16/303 ,  C23C16/34 ,  C23C16/448 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574

Abstract: 本发明提供一种能够获得即使膜厚薄而膜中氯也少的良好的TiN膜的成膜装置和成膜方法。通过ALD法在晶片(W)上成膜TiN膜的成膜装置(100)，包括：收纳晶片W的腔室(1)；向腔室(1)内部供给由TiCl4气体形成的钛原料气体、由NH3气体形成的氮化气体和吹扫气体的气体供给机构(5)；对腔室(1)内进行排气的排气机构(42)；和控制部(6)，其控制气体供给机构(5)以使得向晶片(W)交替供给TiCl4气体和NH3气体，气体供给机构(5)具有加热NH3气体并使其状态变化的NH3气体加热单元(65)，向腔室(1)内供给由NH3气体加热单元(65)导致状态发生了变化的NH3气体。