公开(公告)号：CN112652512B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202011046672.8

申请日：2020-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  江原宽贵

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其包括：处理容器；以及多个气体喷嘴，其从构成上述处理容器的顶壁和/或侧壁伸出，具有对上述处理容器内供给气体的气体供给孔，多个上述气体喷嘴具有扩径部，该扩径部在多个上述气体喷嘴的气体供给孔的前端从上述气体供给孔的细孔扩大，在处理空间开口。本发明能够在气体喷嘴防止异常放电。

公开(公告)号：CN107978541A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201710969596.X

申请日：2017-10-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小田桐正弥 ,  桑田拓岳 ,  江原宽贵 ,  田部井幸宽 ,  高桥毅 ,  中村秀雄 ,  山崎和良 ,  出野由和

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45548 ,  C23C16/303 ,  C23C16/34 ,  C23C16/448 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574

Abstract: 本发明提供一种能够获得即使膜厚薄而膜中氯也少的良好的TiN膜的成膜装置和成膜方法。通过ALD法在晶片(W)上成膜TiN膜的成膜装置(100)，包括：收纳晶片W的腔室(1)；向腔室(1)内部供给由TiCl4气体形成的钛原料气体、由NH3气体形成的氮化气体和吹扫气体的气体供给机构(5)；对腔室(1)内进行排气的排气机构(42)；和控制部(6)，其控制气体供给机构(5)以使得向晶片(W)交替供给TiCl4气体和NH3气体，气体供给机构(5)具有加热NH3气体并使其状态变化的NH3气体加热单元(65)，向腔室(1)内供给由NH3气体加热单元(65)导致状态发生了变化的NH3气体。

公开(公告)号：CN112652512A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202011046672.8

申请日：2020-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  江原宽贵

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其包括：处理容器；以及多个气体喷嘴，其从构成上述处理容器的顶壁和/或侧壁伸出，具有对上述处理容器内供给气体的气体供给孔，多个上述气体喷嘴具有扩径部，该扩径部在多个上述气体喷嘴的气体供给孔的前端从上述气体供给孔的细孔扩大，在处理空间开口。本发明能够在气体喷嘴防止异常放电。