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公开(公告)号：CN110872702A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910783797.X
申请日：2019-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/02
Abstract: 本公开涉及成膜装置和成膜方法。在对多个基板进行成膜处理时，抑制基板间的膜厚的变动。本公开的成膜装置具备：载置部，其用于在真空容器内载置基板并且对该基板进行加热；喷淋头，其具备与载置部相向的相向部以及在该相向部进行开口所形成的多个气体喷出口，该喷淋头用于从多个气体喷出口向基板供给成膜气体来对该基板进行成膜；清洗气体供给部，在向多个基板分别供给成膜气体的间歇，在该基板没有被收纳于真空容器时，该清洗气体供给部供给用于对该真空容器内进行清洗的清洗气体；以及无孔质的覆盖膜，其至少在相向部覆盖构成喷淋头的基材来形成该喷淋头的表面，以使向各基板供给成膜气体时的所述喷淋头处的热的反射率的变动缓和。
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公开(公告)号：CN107978541A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201710969596.X
申请日：2017-10-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/02 , C23C16/34 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45548 , C23C16/303 , C23C16/34 , C23C16/448 , C23C16/45544 , C23C16/45565 , C23C16/45574
Abstract: 本发明提供一种能够获得即使膜厚薄而膜中氯也少的良好的TiN膜的成膜装置和成膜方法。通过ALD法在晶片(W)上成膜TiN膜的成膜装置(100)，包括：收纳晶片W的腔室(1)；向腔室(1)内部供给由TiCl4气体形成的钛原料气体、由NH3气体形成的氮化气体和吹扫气体的气体供给机构(5)；对腔室(1)内进行排气的排气机构(42)；和控制部(6)，其控制气体供给机构(5)以使得向晶片(W)交替供给TiCl4气体和NH3气体，气体供给机构(5)具有加热NH3气体并使其状态变化的NH3气体加热单元(65)，向腔室(1)内供给由NH3气体加热单元(65)导致状态发生了变化的NH3气体。
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公开(公告)号：CN110872702B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201910783797.X
申请日：2019-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/02
Abstract: 本公开涉及成膜装置和成膜方法。在对多个基板进行成膜处理时，抑制基板间的膜厚的变动。本公开的成膜装置具备：载置部，其用于在真空容器内载置基板并且对该基板进行加热；喷淋头，其具备与载置部相向的相向部以及在该相向部进行开口所形成的多个气体喷出口，该喷淋头用于从多个气体喷出口向基板供给成膜气体来对该基板进行成膜；清洗气体供给部，在向多个基板分别供给成膜气体的间歇，在该基板没有被收纳于真空容器时，该清洗气体供给部供给用于对该真空容器内进行清洗的清洗气体；以及无孔质的覆盖膜，其至少在相向部覆盖构成喷淋头的基材来形成该喷淋头的表面，以使向各基板供给成膜气体时的所述喷淋头处的热的反射率的变动缓和。
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公开(公告)号：CN112071752A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010500322.8
申请日：2020-06-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本公开提供基板处理方法和基板处理装置。所述方法是基板处理装置的控制方法，该基板处理装置具备：处理容器，其具有可升降的载置台；构件，在该构件与载置台之间形成处理空间；原料气体供给部；反应气体供给部；以及排气部，其具有能够调整开度的压力调整阀，所述方法包括重复以下工序的工序：吸附工序，供给原料气体并使其吸附于基板；第一吹扫工序，对剩余的原料气体进行排气；反应工序，供给反应气体来与原料气体进行反应；以及第二吹扫工序，对剩余的反应气体进行排气，其中，吸附工序以及/或者反应工序中的载置台与构件之间的间隙的宽度以及/或者压力调整阀的开度比第一吹扫工序以及/或者第二吹扫工序中的所述宽度以及/或者所述开度小。
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公开(公告)号：CN119506837A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411464495.3
申请日：2019-08-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供气体处理装置。气体处理装置构成为具备：相向部，其与真空容器内的基板的载置部相向，并且具备多个第一气体喷出口；处理气体的第一扩散空间，其在相向部的上方以与各第一气体喷出口连通的方式设置；多个第二气体喷出口，其是在从第一扩散空间的上方与该第一扩散空间相面对的顶部沿上下方向开设出的；处理气体的第二扩散空间，其在顶部的上方以与各第二气体喷出口连通的方式设置；以及多个第三气体喷出口，其是在所述顶部中的开设各第二气体喷出口的区域的外侧沿相对于垂直轴的倾斜比第二气体喷出口相对于垂直轴的倾斜大的斜方向开设出的，并且沿第一扩散空间的周向形成列且分别与该第二扩散空间连通。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112071752B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202010500322.8
申请日：2020-06-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本公开提供基板处理方法和基板处理装置。所述方法是基板处理装置的控制方法，该基板处理装置具备：处理容器，其具有可升降的载置台；构件，在该构件与载置台之间形成处理空间；原料气体供给部；反应气体供给部；以及排气部，其具有能够调整开度的压力调整阀，所述方法包括重复以下工序的工序：吸附工序，供给原料气体并使其吸附于基板；第一吹扫工序，对剩余的原料气体进行排气；反应工序，供给反应气体来与原料气体进行反应；以及第二吹扫工序，对剩余的反应气体进行排气，其中，吸附工序以及/或者反应工序中的载置台与构件之间的间隙的宽度以及/或者压力调整阀的开度比第一吹扫工序以及/或者第二吹扫工序中的所述宽度以及/或者所述开度小。
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公开(公告)号：CN110819967A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910733817.2
申请日：2019-08-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供气体处理装置和气体处理方法。气体处理装置构成为具备：相向部，其与真空容器内的基板的载置部相向，并且具备多个第一气体喷出口；处理气体的第一扩散空间，其在相向部的上方以与各第一气体喷出口连通的方式设置；多个第二气体喷出口，其是在从第一扩散空间的上方与该第一扩散空间相面对的顶部沿上下方向开设出的；处理气体的第二扩散空间，其在顶部的上方以与各第二气体喷出口连通的方式设置；以及多个第三气体喷出口，其是在所述顶部中的开设各第二气体喷出口的区域的外侧沿相对于垂直轴的倾斜比第二气体喷出口相对于垂直轴的倾斜大的斜方向开设出的，并且沿第一扩散空间的周向形成列且分别与该第二扩散空间连通。
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公开(公告)号：CN110819966A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910733558.3
申请日：2019-08-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/02
Abstract: 本公开涉及成膜装置和成膜方法，在向载置于载置部的基板供给成膜气体来对基板进行成膜时，抑制成膜气体绕到载置部的下方并附着于载置部。在从与处理容器内的载置部相向的成膜气体供给部向载置于载置部的基板供给成膜气体来对基板进行成膜的成膜装置中，以隔着间隙包围载置部的周围的方式设置有第一环状体，并设置有从第一环状体的内周缘向下方延伸的第二环状体。另外，从载置部的周缘起设置包括沿着第二环状体的内周面沿至第二环状体的下端面的流路形成面的第三环状体。
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公开(公告)号：CN103429783A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201280014151.1
申请日：2012-02-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/14 , C23C14/22 , H01L51/5076 , H01L2251/5346
Abstract: 本发明提供能够进行期望的共蒸镀的成膜装置、成膜方法、有机发光元件的制造方法和有机发光元件。成膜装置的成膜头包括将有机成膜材料的蒸气向被处理基板（G）喷出的有机成膜材料供给部（4）、和将无机成膜材料的蒸气向被处理基板（G）喷出的无机成膜材料供给部（5）。有机成膜材料供给部（4）、无机成膜材料供给部（5）构成为能够在水平方向和垂直方向上移动，且配置被控制使得以从喷出口（41a、51a）喷出的有机材料、无机材料的混合比例在厚度方向上不同的状态进行成膜。
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公开(公告)号：CN102414339A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080017943.5
申请日：2010-04-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C14/12 , C23C14/228 , C23C14/246
Abstract: 本发明提供一种能使保持了高流动性的状态的颗粒状的有机材料有效地升华、溶解的蒸镀处理装置和蒸镀处理方法。是通过蒸镀在基板上使薄膜成膜的蒸镀处理装置，具备供给材料气体的、自由减压的材料供给装置和在上述基板上使薄膜成膜的成膜装置，所述材料供给装置具有对材料进行定量的定量部和使通过了所述定量部的材料气化的材料气体生成部。
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