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公开(公告)号：CN102315151B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201110185040.4
申请日：2011-06-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/6719 , C23C16/401 , C23C16/4582 , C23C16/46 , H01L21/67109 , H01L21/68742 , H01L21/68771 , H01L21/68785 , Y10T156/17 , Y10T156/1702
Abstract: 本发明提供一种可以分别独立且精密地进行基板的周缘部和中心部的温度管理、温度控制的基板承载台、基板处理装置及基板处理系统。本发明提供一种基板承载台，其供承载基板，且包含：周缘承载部件，承载所述基板的周缘部进行温度控制；中央承载部件，承载所述基板的中央部进行温度控制；支撑台，支撑所述周缘承载部件和所述中央承载部件；且，在所述周缘承载部件和所述中央承载部件之间形成有间隙，所述周缘承载部件和所述中央承载部件相互为非接触。
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公开(公告)号：CN107978541A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201710969596.X
申请日：2017-10-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/02 , C23C16/34 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45548 , C23C16/303 , C23C16/34 , C23C16/448 , C23C16/45544 , C23C16/45565 , C23C16/45574
Abstract: 本发明提供一种能够获得即使膜厚薄而膜中氯也少的良好的TiN膜的成膜装置和成膜方法。通过ALD法在晶片(W)上成膜TiN膜的成膜装置(100)，包括：收纳晶片W的腔室(1)；向腔室(1)内部供给由TiCl4气体形成的钛原料气体、由NH3气体形成的氮化气体和吹扫气体的气体供给机构(5)；对腔室(1)内进行排气的排气机构(42)；和控制部(6)，其控制气体供给机构(5)以使得向晶片(W)交替供给TiCl4气体和NH3气体，气体供给机构(5)具有加热NH3气体并使其状态变化的NH3气体加热单元(65)，向腔室(1)内供给由NH3气体加热单元(65)导致状态发生了变化的NH3气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102315143A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110189199.3
申请日：2011-06-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67248 , C23C16/4586 , C23C16/463 , H01J37/20 , H01J37/32724 , H01J37/32779 , H01J2237/2001 , H01J2237/201 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，可以分别独立且精密地进行基板的周缘部和中心部的温度管理、温度控制，且配管构成简化。本发明提供一种基板处理装置，在真空处理空间中处理基板，且包含承载至少2片以上的基板的基板承载台，所述基板承载台是由数量与承载的基板数量对应的基板承载部构成，在所述基板承载部，相互独立地形成有使承载的基板中央部冷却的中央调温通道和使基板周缘部冷却的周缘调温通道，在所述基板承载台上设置有1个使调温介质导入到所述周缘调温通道的调温介质导入口，且设置数量与承载的基板数量对应的使调温介质从所述周缘调温通道中排出的调温介质排出口。
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公开(公告)号：CN1961405A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200480038051.8
申请日：2004-11-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67253 , C23C16/4405 , C25D11/02 , H01L21/0337 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/67155 , H01L21/67207 , H01L21/67248 , H01L22/20
Abstract: 提供了一种用于化学氧化物去除(COR)的处理系统和方法，其中处理系统包括第一处理室和第二处理室，其中第一和第二处理室彼此相互耦合。第一处理室包括化学处理室，其提供被控温的室以及用于支持进行化学处理的衬底的被单独控温的衬底支撑物。衬底在包括表面温度和气体压强的被控条件下，暴露给例如HF/NH3的气体化学物质。第二处理室包括提供了被控温的室的热处理室，其与化学处理室热绝缘。热处理室提供了用于控制衬底温度的衬底支撑物，以对衬底上经化学处理过的表面进行热处理。
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公开(公告)号：CN102315143B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201110189199.3
申请日：2011-06-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67248 , C23C16/4586 , C23C16/463 , H01J37/20 , H01J37/32724 , H01J37/32779 , H01J2237/2001 , H01J2237/201 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，可以分别独立且精密地进行基板的周缘部和中心部的温度管理、温度控制，且配管构成简化。本发明提供一种基板处理装置，在真空处理空间中处理基板，且包含承载至少两片以上的基板的基板承载台，所述基板承载台是由数量与承载的基板数量对应的基板承载部构成，在所述基板承载部，相互独立地形成有使承载的基板中央部冷却的中央调温通道和使基板周缘部冷却的周缘调温通道，在所述基板承载台上设置有一个使调温介质导入到所述周缘调温通道的调温介质导入口，且设置数量与承载的基板数量对应的使调温介质从所述周缘调温通道中排出的调温介质排出口。
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公开(公告)号：CN102315151A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110185040.4
申请日：2011-06-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/6719 , C23C16/401 , C23C16/4582 , C23C16/46 , H01L21/67109 , H01L21/68742 , H01L21/68771 , H01L21/68785 , Y10T156/17 , Y10T156/1702
Abstract: 本发明提供一种可以分别独立且精密地进行基板的周缘部和中心部的温度管理、温度控制的基板承载台、基板处理装置及基板处理系统。本发明提供一种基板承载台，其供承载基板，且包含：周缘承载部件，承载所述基板的周缘部进行温度控制；中央承载部件，承载所述基板的中央部进行温度控制；支撑台，支撑所述周缘承载部件和所述中央承载部件；且，在所述周缘承载部件和所述中央承载部件之间形成有间隙，所述周缘承载部件和所述中央承载部件相互为非接触。
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公开(公告)号：CN1961405B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200480038051.8
申请日：2004-11-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67253 , C23C16/4405 , C25D11/02 , H01L21/0337 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/67155 , H01L21/67207 , H01L21/67248 , H01L22/20
Abstract: 提供了一种用于化学氧化物去除(COR)的处理系统和方法，其中处理系统包括第一处理室和第二处理室，其中第一和第二处理室彼此相互耦合。第一处理室包括化学处理室，其提供被控温的室以及用于支持进行化学处理的衬底的被单独控温的衬底支撑物。衬底在包括表面温度和气体压强的被控条件下，暴露给例如HF/NH3的气体化学物质。第二处理室包括提供了被控温的室的热处理室，其与化学处理室热绝缘。热处理室提供了用于控制衬底温度的衬底支撑物，以对衬底上经化学处理过的表面进行热处理。
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