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公开(公告)号：CN119678244A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202380058464.5
申请日：2023-08-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供在等离子体处理中能够控制基片的边缘部分处的离子的入射角，并且能够抑制在控制了离子入射角时等离子体处理结果发生变动的技术。等离子体处理装置包括：腔室；配置于腔室内的基片支承部，基片支承部具有导电性基座、静电吸盘、边缘环、基片偏置电极和边缘环偏置电极，边缘环偏置电极在俯视时延伸至基片支承面的边缘部分，具有与基片偏置电极局部重叠的环状重叠部分，环状重叠部分具有9mm～11mm的径向的宽度；上部电极；RF生成器；第一电压脉冲生成器，其与基片偏置电极电连接，构成为能够生成第一电压脉冲的序列；和第二电压脉冲生成器，其与边缘环偏置电极电连接，构成为能够生成第二电压脉冲的序列。
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公开(公告)号：CN104282523B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410521359.3
申请日：2011-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/04 , H01J37/32091 , H01J37/3255 , H01J37/32568
Abstract: 本发明提供基板处理装置。该基板处理装置具有：用于容纳基板的容纳室；配置在该容纳室内、用于载置基板的下部电极；与该下部电极相对配置的上部电极；与下部电极相连接的高频电源；上部电极与下部电极之间的处理空间；与上部电极电连接的接地构件，上部电极与下部电极中的一个电极能够相对于另一个电极移动，并且，在上部电极的至少一部分中埋入有电介质，在处理空间中产生的等离子体与接地构件之间的电位差分割为等离子体与电介质之间的电位差以及电介质与接地构件之间的电位差，上部电极与下部电极之间的间隔能够改变，电介质的厚度是根据蚀刻率相对于上部电极和下部电极之间的间隔变化的依赖程度来设定的。
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公开(公告)号：CN119585855A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380055337.X
申请日：2023-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H05H1/46
Abstract: 一种等离子体处理装置，包括：等离子体处理腔室；基板支承部，配置在等离子体处理腔室内且包括下部电极；上部电极，配置于基板支承部的上方；RF电源，用于向上部电极或下部电极提供RF信号，RF信号在第1重复期间内的第1状态之间具有第1功率电平，在第1重复期间内的第2状态之间具有第1功率电平，在第1重复期间内的第3状态之间具有小于第1功率电平的第2功率电平，在第1重复期间内的第4状态之间具有小于第2功率电平的第3功率电平；和DC电源，构成为对下部电极施加DC信号，DC信号具有在第1重复期间内的第1状态之间具有第1电压电平、在第1重复期间内的第2状态之间具有第2电压电平的电压脉冲的序列，第2电压电平的绝对值大于第1电压电平的绝对值。
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公开(公告)号：CN111755374A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010201544.X
申请日：2020-03-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够在基板处理中减少通过静电吸盘吸附基板时的微粒并且使该基板处理的生产率提高。进行基板的处理的方法包括：载置工序，将所述基板载置于被设定为规定的温度的静电吸盘上；第一吸附工序，向所述静电吸盘施加第一直流电压来将所述基板吸附于该静电吸盘上；保持工序，一边向所述静电吸盘施加所述第一直流电压，一边保持所述静电吸盘对所述基板的吸附，直至所述静电吸盘与所述基板的温度差成为30℃以下；以及第二吸附工序，向所述静电吸盘施加比所述第一直流电压高的第二直流电压来将所述基板吸附于该静电吸盘上。
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公开(公告)号：CN104282523A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410521359.3
申请日：2011-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/04 , H01J37/32091 , H01J37/3255 , H01J37/32568
Abstract: 本发明提供基板处理装置。该基板处理装置具有：用于容纳基板的容纳室；配置在该容纳室内、用于载置基板的下部电极；与该下部电极相对配置的上部电极；与下部电极相连接的高频电源；上部电极与下部电极之间的处理空间；与上部电极电连接的接地构件，上部电极与下部电极中的一个电极能够相对于另一个电极移动，并且，在上部电极的至少一部分中埋入有电介质，在处理空间中产生的等离子体与接地构件之间的电位差分割为等离子体与电介质之间的电位差以及电介质与接地构件之间的电位差，上部电极与下部电极之间的间隔能够改变，电介质的厚度是根据蚀刻率相对于上部电极和下部电极之间的间隔变化的依赖程度来设定的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102254777A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110076088.1
申请日：2011-03-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32568
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置能够抑制在移动电极与筒状容器的一个端壁之间的空间里产生等离子体。基板处理装置(10)包括：用于收容晶圆(W)的筒状的腔室(11)、在该腔室(11)内沿腔室(11)的中心轴线移动自如的喷头(23)、在腔室(11)内与喷头(23)相对的基座(12)、用于将喷头(23)和腔室(11)的盖(14)连接起来的伸缩自如的波纹管(31)，向位于喷头(23)和基座(12)之间的处理空间(PS)施加高频电力并且导入处理气体，喷头(23)与腔室(11)的侧壁(13)不接触，并配设有将喷头(23)与腔室(11)的盖(14)或者侧壁(13)电连接的分流构件(35)。
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公开(公告)号：CN101651078A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200910165205.4
申请日：2009-08-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32642
Abstract: 本发明提供与现有技术相比能够延长聚焦环的寿命、提高等离子体处理装置的运转率并降低运行成本的聚焦环、等离子体处理装置和等离子体处理方法。聚焦环(15)的内周部(15a)的上表面被配置为与半导体晶片(W)的周边部的下表面相对，该聚焦环(15)的内周部(15a)的上表面和半导体晶片(W)的周边部下表面的距离(a)，在开始将聚焦环(15)使用于等离子体处理的时刻，即，在开始使用新的聚焦环(15)的时刻，构成为0.4mm以上。
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公开(公告)号：CN113643953A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110429611.8
申请日：2021-04-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供基片处理装置和基片处理装置的控制方法，在等离子体处理装置中，能够相对于吸引用的高频电功率调整以高功率对等离子体供给等离子体产生用的高频电功率的时刻。基片处理装置包括：载置基片的基片载置台；第一高频电源，其对上述基片载置台供给第一频率的第一高频电功率；阻抗变换器，其将从上述第一高频电源观察到的负载侧的阻抗变换为所设定的设定阻抗；第二高频电源，其对上述基片载置台供给比上述第一频率低的第二频率的第二高频电功率；和控制部，其控制上述阻抗变换器的上述设定阻抗，上述控制部根据基片处理来设定上述设定阻抗。
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公开(公告)号：CN113451096A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110264471.3
申请日：2021-03-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种边缘环、基片支承台、等离子体处理系统和边缘环的更换方法，其具有：载置基片的基片载置面；载置边缘环的环载置面，其中所述边缘环以包围被载置于所述基片载置面的基片的方式配置；和用于将所述边缘环通过静电力来吸附并保持于所述环载置面的电极，所述边缘环在与所述环载置面相对的面粘贴有传热片，且经由该传热片载置于所述环载置面，所述传热片在与所述环载置面相对的面形成有导电膜，所述边缘环通过借助由所述电极形成的静电力来吸附被粘贴于该边缘环的所述传热片的所述导电膜，而被保持于所述环载置面。根据本发明，能够维持隔着传热片的边缘环与基片支承台之间的热传导性的同时，提高传热片从基片支承台剥离的剥离性。
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