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公开(公告)号：CN114599459A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202080075319.4
申请日：2020-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本文描述了用于监测和同步用于处理系统的分配系统的实施例。对于一个实施例，使用压力传感器和流速传感器来确定流量变化事件与流速增加之间的延迟，并且使用该延迟来检测该分配系统内的缺陷或状况。对于一个实施例，使用流速传感器来同步分配系统操作。对于一个实施例，使用基于组合的压力/流量/自旋/浓度传感器数据的模拟模型或复合分配曲线来实现复杂的工艺方案。对于一个实施例，使用分配间的压力和/或流速测量结果来检测分配参数和缺陷。对于一个实施例，使用相机和图像处理来检测分配喷嘴的流速，并且使用分配间的测量结果来检测分配参数和缺陷。所披露实施例中的一个或多个可以用在用于微电子工件的处理系统中。
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公开(公告)号：CN114616657A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202080075783.3
申请日：2020-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本文披露了用于校准晶圆检查系统模块的系统和方法的各种实施例。更具体地，本披露提供了用于校准由包括在WIS模块内的相机系统从衬底获得的多光谱带值的系统和方法的各种实施例。在一个实施例中，多光谱带值是红色、绿色和蓝色(RGB)值。如下文更详细描述的，本文披露的校准方法可以使用具有预定厚度变化图案或颜色变化图案的测试晶圆来生成多光谱带偏移值。这些多光谱带偏移值可以被应用于从衬底获得的多光谱带值，以生成校准后的RGB值，这补偿了包括在多个WIS模块内的相机系统之间的光谱响应度差异。
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公开(公告)号：CN109073984B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201780021439.4
申请日：2017-02-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人大阪大学
IPC: G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/16 , H01L21/027
Abstract: 描述了用于PS‑CAR光致抗蚀剂模拟的方法和系统。在一个实施方案中，方法包括通过模拟确定使用辐射敏感材料的光刻工艺的至少一个工艺参数。在这样的实施方案中，辐射敏感材料包括：第一光波长活化阈值，其控制在辐射敏感材料中产生酸至第一酸浓度并控制在辐射敏感材料中光敏剂分子的产生；和第二光波长活化阈值，其可以激发辐射敏感材料中的光敏剂分子，这导致酸包含大于第一酸浓度的第二酸浓度，第二光波长不同于第一光波长。在这样的实施方案中，所述方法还包括使用先前确定的至少一个工艺参数进行光刻处理。
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公开(公告)号：CN107567597B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201680024930.8
申请日：2016-03-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 基板可以设置在整片曝光处理系统中的基板支承件上。可以选择整片曝光剂量分布。基板可以曝光于来自源的整片辐照，并且当实现所选的曝光剂量分布时，可以终止整片辐照。将基板曝光于整片辐照可以包括控制基板旋转速率、源扫描速率、基板扫描速率、源功率设置、从源到基板的距离、源孔设置、基板上的整片辐照的入射角和源焦点位置中的至少一个以实现所选的整片曝光剂量分布。
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公开(公告)号：CN114667598A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202080078639.5
申请日：2020-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 相机图像用于提供关于流体分配系统的特性的信息。相机图像可以用于识别流体分配系统的硬件的移动。该硬件的移动可以用于基于该硬件移动与分配方案中提供的分配时间之间的相关性来确定流体分配的开始。该流体分配的开始可以通过对相机图像执行图像分析以检测该相机图像中该流体的存在来检测。该图像分析可以涉及对检测到的相机图像进行强度分析。在另一个实施例中，该相机图像用于检测在衬底上形成的流体边缘。这些边缘在使该衬底自旋之前可以被检测为形成的水坑，和/或在自旋期间可以被检测为水坑扩散。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114631175A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202080076992.X
申请日：2020-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 相机图像可以用于检测衬底边缘，并提供关于该衬底在流体分配系统内的定心的信息。相机图像还可以用于监测该流体分配系统内的杯形件的位置。所利用的信号处理技术可以包括数据平滑、仅分析反射能量的特定波长、变换数据(在一个实施例中利用傅立叶变换)、和/或分析所收集的数据像素的子集。本文收集的相机图像数据可以与各种各样的其他数据组合，以便更好地监测、表征和/或控制衬底加工工艺流程。
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公开(公告)号：CN117678060A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202280042266.5
申请日：2022-05-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 一种监测浴工艺的示例性方法包括：通过将第一晶圆浸没在浴溶液内来加工该第一晶圆；在第一时间间隔期间捕获包含该第一晶圆的浴溶液的视频；基于在该视频的帧中捕获的光强度来分析该视频；以及基于对该视频的分析来确定该第一时间间隔期间该浴溶液的第一度量。
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公开(公告)号：CN117501424A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202280040341.4
申请日：2022-05-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种加工多个衬底的方法，该方法包括将多个衬底浸入包含在槽室中的槽液中；在该槽液中产生气泡；将来自光源的光投射向该槽室；通过用光传感器捕获在与这些气泡相互作用后从该槽室发出的光来生成光传感器数据；并将光传感器数据转换成该槽液的度量。
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公开(公告)号：CN109073984A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780021439.4
申请日：2017-02-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人大阪大学
IPC: G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/16 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/705 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/095 , G03F7/2022
Abstract: 描述了用于PS-CAR光致抗蚀剂模拟的方法和系统。在一个实施方案中，方法包括通过模拟确定使用辐射敏感材料的光刻工艺的至少一个工艺参数。在这样的实施方案中，辐射敏感材料包括：第一光波长活化阈值，其控制在辐射敏感材料中产生酸至第一酸浓度并控制在辐射敏感材料中光敏剂分子的产生；和第二光波长活化阈值，其可以激发辐射敏感材料中的光敏剂分子，这导致酸包含大于第一酸浓度的第二酸浓度，第二光波长不同于第一光波长。在这样的实施方案中，所述方法还包括使用先前确定的至少一个工艺参数进行光刻处理。
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公开(公告)号：CN107567597A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201680024930.8
申请日：2016-03-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 基板可以设置在整片曝光处理系统中的基板支承件上。可以选择整片曝光剂量分布。基板可以曝光于来自源的整片辐照，并且当实现所选的曝光剂量分布时，可以终止整片辐照。将基板曝光于整片辐照可以包括控制基板旋转速率、源扫描速率、基板扫描速率、源功率设置、从源到基板的距离、源孔设置、基板上的整片辐照的入射角和源焦点位置中的至少一个以实现所选的整片曝光剂量分布。
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