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公开(公告)号：CN107844263B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201710132910.9
申请日：2017-03-08
申请人： 东芝存储器株式会社
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本发明提供一种存储器系统及处理器系统。本发明的实施方式涉及存储器系统及处理器系统。提供一种能够实现错误发生概率下降、存取速度提高以及低功耗化的存储器系统及处理器系统。一个实施方式所涉及的存储器系统具备：非易失性存储器；存储部，能够进行与所述非易失性存储器相比高速的存取，在对所述非易失性存储器进行存取之前存储针对所述非易失性存储器的存取信息；以及存储器控制部，根据所述存储部的空白容量或存储在所述存储部中的所述存取信息，对所述非易失性存储器的写入脉冲宽度进行控制。
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公开(公告)号：CN108091358B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201710900091.8
申请日：2017-09-28
申请人： 东芝存储器株式会社
IPC分类号： G11C11/16
摘要： 本公开涉及磁存储器和存储器系统。根据一个实施例，磁存储器包括：具有第一电阻状态或第二电阻状态的第一磁阻效应元件；以及读取电路。读取电路被配置为：将第一读取电压施加到第一磁阻效应元件，保持由第一读取电压造成的第一充电电位，将高于第一读取电压的第二读取电压施加到第一磁阻效应元件，保持由第二读取电压造成的第二充电电位，以及基于第一充电电位与第二充电电位之间的比较结果来确定第一磁阻效应元件是处于第一电阻状态还是处于第二电阻状态。
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公开(公告)号：CN107844430B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201710177591.3
申请日：2017-03-23
申请人： 东芝存储器株式会社
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/0866
摘要： 本发明涉及一种存储器系统和处理器系统。提高主机处理器以及主存储器间的数据转送能力。存储器系统具备：第1存储器，包含第1地址；第2存储器，能够存储第1存储器的数据；第3存储器；以及控制器，控制向第1、第2、第3存储器的存取。控制器发出向第1存储器的第1地址进行第1存取的指令，该指令指示向第1地址写入的写入动作，在与第1地址相对应的数据没有存储在第2以及第3存储器中的情况下代替第1存取来存取第3存储器。
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公开(公告)号：CN108630271A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201710901089.2
申请日：2017-09-28
申请人： 东芝存储器株式会社
CPC分类号： G11C7/1051 , G11C7/02 , G11C7/1069 , G11C11/1673 , G11C11/1693 , G11C13/00 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C27/024 , G11C27/026
摘要： 根据一个实施例，存储器设备包括：存储器单元；读取驱动器，被配置为在针对存储器单元的读取操作时向存储器单元供给读取脉冲；滤波器电路，被配置为从第一信号输出第一频域中的第二信号，该第一信号通过读取脉冲从存储器单元输出；保持电路，被配置为保持第二信号的峰值；以及感测放大器电路，被配置为基于峰值从存储器单元读取数据。
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公开(公告)号：CN107844430A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201710177591.3
申请日：2017-03-23
申请人： 东芝存储器株式会社
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/0866
CPC分类号： G06F12/0284 , G06F2212/251 , G11C11/005 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/406 , G11C11/40603 , G11C11/4076 , G11C11/4091 , G11C11/4096 , G06F12/023 , G06F12/0866
摘要： 本发明涉及一种存储器系统和处理器系统。提高主机处理器以及主存储器间的数据转送能力。存储器系统具备：第1存储器，包含第1地址；第2存储器，能够存储第1存储器的数据；第3存储器；以及控制器，控制向第1、第2、第3存储器的存取。控制器发出向第1存储器的第1地址进行第1存取的指令，该指令指示向第1地址写入的写入动作，在与第1地址相对应的数据没有存储在第2以及第3存储器中的情况下代替第1存取来存取第3存储器。
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公开(公告)号：CN107844264A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201710136121.2
申请日：2017-03-09
申请人： 东芝存储器株式会社
IPC分类号： G06F3/06
CPC分类号： G06F12/10 , G06F12/0238 , G06F12/0811 , G06F12/0868 , G06F12/0897 , G06F2212/1016 , G06F2212/214 , G06F2212/313 , G06F2212/7201 , G06F2212/7203 , G06F2212/7207 , G06F3/0625 , G06F3/0604 , G06F3/0638 , G06F3/0679
摘要： 本发明的实施方式提供一种使用非易失性存储器并且防止存取性能的降低，还能够提高数据写入时的可靠性的存储器系统以及处理器系统。一实施方式的存储器系统具备：第1存储器，按第1数据大小被存取；第2存储器；按小于所述第1数据大小的第2数据大小被存取，能够比所述第1存储器更高速地被存取；以及第3存储器，保存地址变换信息，所述地址变换信息用于将对所述第2存储器进行存取的地址变换为对所述第1存储器进行存取的地址，所述第1存储器以及所述第3存储器是非易失性存储器。
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公开(公告)号：CN107844429B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201710132921.7
申请日：2017-03-08
申请人： 东芝存储器株式会社
IPC分类号： G06F12/02
摘要： 本发明提供一种存储器控制电路、存储器系统以及处理器系统。存储器控制电路具备：写入目的地选择部，针对处理器在第1存储装置中写入数据的每个地址区域，将第1存储装置内的易失性存储器及非易失性存储器中的某一个选择为写入目的地；写入控制部，进行在由写入目的地选择部选择了的写入目的地中写入应写入的地址区域的数据的控制；以及存取信息登记部，针对每个地址区域，将作为写入目的地的易失性存储器或者非易失性存储器的选择信息、和切换了地址区域内的连续的地址群的页面的次数信息对应起来登记，写入目的地选择部如果从处理器有新的写入请求，则根据在存取信息登记部中登记了的信息，选择写入目的地。
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公开(公告)号：CN106796815B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201580046348.7
申请日：2015-06-30
申请人： 东芝存储器株式会社
摘要： 实施方式的非易失性半导体存储器具备：写入电路(13a－0)，生成使存储器单元(MC)从第1电阻值变化为第2电阻值的写入电流(Iw(t))；第1电流生成电路(T11(y1))，根据在存储器单元(MC)中流过的写入电流(Iw(t))，生成第1电流(Iw'(t))；第2电流生成电路(T13(y3))，根据在存储器单元(MC)中流过的写入电流(Iw(t))，生成第2电流(Iw'(t)×α)；保持电路(22)，保持根据存储器单元(MC)是第1电阻值时的第2电流(Iw'(t)×α)生成的第1值；以及比较器(23)，比较根据存储器单元(MC)从第1电阻值变化为第2电阻值的过程中的第1电流(Iw'(t))生成的第2值和第1值。
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公开(公告)号：CN108630267A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201710894082.2
申请日：2017-09-28
申请人： 东芝存储器株式会社
CPC分类号： G11C11/1673 , G11C11/1655 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C2013/0057
摘要： 本申请涉及计算机系统和存储器设备。根据一个实施例，系统包括：包含存储器单元阵列的存储器设备，该存储器设备被配置为对存储器单元阵列执行第一读取方法的第一读取操作和第二读取方法的第二读取操作；处理器，该处理器被配置为从设备接收第一数据，第一数据是通过第一读取操作来自存储器单元阵列中的选择的区域，该处理器被配置为在对选择的区域的第二读取操作期间使用第一数据执行第一计算处理，以及被配置为基于第一数据和第二数据的比较结果通过第一信号获取第一计算处理的结果，第一信号指示第一数据是有效的，并且第二数据是通过第二读取操作来自选择的区域。
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公开(公告)号：CN108091358A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201710900091.8
申请日：2017-09-28
申请人： 东芝存储器株式会社
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C11/1673 , G11C11/1657 , G11C11/1675 , G11C11/1697 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要： 本公开涉及磁存储器和存储器系统。根据一个实施例，磁存储器包括：具有第一电阻状态或第二电阻状态的第一磁阻效应元件；以及读取电路。读取电路被配置为：将第一读取电压施加到第一磁阻效应元件，保持由第一读取电压造成的第一充电电位，将高于第一读取电压的第二读取电压施加到第一磁阻效应元件，保持由第二读取电压造成的第二充电电位，以及基于第一充电电位与第二充电电位之间的比较结果来确定第一磁阻效应元件是处于第一电阻状态还是处于第二电阻状态。
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