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公开(公告)号：CN114606461B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202210404249.3
申请日：2022-04-18
申请人： 东莞理工学院 , 肇庆南都再生铝业有限公司 , 广东省科学院新材料研究所
摘要： 本发明公开了一种Al‑Ti‑C‑N纳米晶的制备方法及在铝合金中的应用，包括以下步骤：(1)衬底材料的安装：将衬底材料安装夹具上，并放置在真空镀膜室中；(2)预处理：依次开启抽真空系统、加热系统和机械传动系统，真空室抽真空并升温，随后充入高纯氩气，开启脉冲偏压，放电清洗；(3)多弧离子镀：充入反应气体，设置靶材，打开弧源，设置参数后进行镀膜，得到Al‑Ti‑C‑N纳米晶。本发明采用电弧离子镀的方法制备纳米尺寸的AlTiCN晶粒细化剂，所制备的细化剂既可细化含Zr铝合金的晶粒，也可以细化含Si铝合金的晶粒，从而克服晶粒细化中的“Zr中毒”和“硅中毒”。
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公开(公告)号：CN114807871A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210406056.1
申请日：2022-04-18
申请人： 东莞理工学院 , 肇庆南都再生铝业有限公司 , 广东省科学院新材料研究所
摘要： 本发明公开了一种抗硅中毒铝合金晶粒细化剂的制备方法，包括以下步骤：步骤1，将衬底材料安装在夹具上，并固定在真空镀膜室中；步骤2，开启抽真空系统，通入氩气，并将室内气压提高至6～8Pa；步骤3，调整脉冲偏压电源的参数，随后开启脉冲偏压电源，放电清洗衬底表面；步骤4，充入反应气体，调整真空室内的气压，调整脉冲偏压参数，以钛铝合金作为靶材，开启多弧离子镀的弧源，达到设定的时间后停止，即完成抗硅中毒铝合金晶粒细化剂的制备。本发明采用真空镀膜技术制备纳米尺寸的AlTiCB镀层，用于细化含Zr或Si铝合金中的基体，避免因“Zr中毒”和“Si中毒”带来的细化消除衰退的问题。
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公开(公告)号：CN114606461A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210404249.3
申请日：2022-04-18
申请人： 东莞理工学院 , 肇庆南都再生铝业有限公司 , 广东省科学院新材料研究所
摘要： 本发明公开了一种Al‑Ti‑C‑N纳米晶的制备方法及在铝合金中的应用，包括以下步骤：(1)衬底材料的安装：将衬底材料安装夹具上，并放置在真空镀膜室中；(2)预处理：依次开启抽真空系统、加热系统和机械传动系统，真空室抽真空并升温，随后充入高纯氩气，开启脉冲偏压，放电清洗；(3)多弧离子镀：充入反应气体，设置靶材，打开弧源，设置参数后进行镀膜，得到Al‑Ti‑C‑N纳米晶。本发明采用电弧离子镀的方法制备纳米尺寸的AlTiCN晶粒细化剂，所制备的细化剂既可细化含Zr铝合金的晶粒，也可以细化含Si铝合金的晶粒，从而克服晶粒细化中的“Zr中毒”和“硅中毒”。
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公开(公告)号：CN114807689A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210406048.7
申请日：2022-04-18
申请人： 东莞理工学院 , 广东省科学院新材料研究所 , 广州致远新材料科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种再生原料比例高达95％的高导热再生压铸铝合金材料，按照重量百分比计算，包括以下成分：Si 9.6～11.5％，Fe 0.75～1.1％，Mn≤0.3％，Zn≤1.0％，Mg≤0.25％，Ti≤0.1％，Cr≤0.1％，Ni≤0.1％，V≤0.1％，Cu≤2.0％，Sr＝0.03～0.05％，RE＝0.04～0.06％，B＝0.01～0.02％，杂质元素总和≤0.15％，杂质元素的单个含量≤0.05％，其余为铝。本发明制备的压铸件，其铸态的抗拉强度、屈服强度和伸长率分别达到280～350MPa、120～150MPa、3～6％，导热系数可达到140W/(m·K)以上。
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公开(公告)号：CN109290602B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201811039038.4
申请日：2018-09-06
申请人： 东莞理工学院 , 东莞市横沥模具科技产业发展有限公司
摘要： 本发明涉及机械加工设备技术领域，更具体地，公开了一种数控式滑轨侧孔倒角机，应用于对滑轨侧孔进行倒角，包括基座、固定机构、定位装置、倒角机构和PLC控制器，所述固定机构与基座固定连接并用于固定滑轨，所述定位装置与固定机构相邻设置并固定于基座上，所述倒角机构水平设于定位装置上并用于对滑轨进行倒角；所述定位装置还连接有用于控制倒角机构进行定位的PLC控制器。本倒角机通过数控编程，具有自动进行判别上料到位、自动夹紧料材、自动侧孔倒角的功能，替代传统手动式倒角，自动化程度高，工作效率高，在大规模的工业生产中，其能有效节约大量的人力资源，并且能保证良好的生产效率。
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公开(公告)号：CN109078809B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201810998260.0
申请日：2018-08-29
申请人： 东莞理工学院 , 东莞市横沥模具科技产业发展有限公司
摘要： 本发明涉及点胶装置技术领域，更具体地，涉及一种自动点胶生产线的上下料机械手，包括有机架，机架连接有第一驱动装置，第一驱动装置通过传动件连接有X轴运动平台，X轴运动平台与机架滑动连接；X轴运动平台通过转动装置连接有Y轴运动平台，Y轴运动平台设有第二驱动装置，第二驱动装置通过传动件连接有机械爪运动装置，机械爪运动装置设有第三驱动装置，所述第三驱动装置与机械爪连接。本发明具有自由度高、模块化设计的特点。
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公开(公告)号：CN115612893B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202211252161.0
申请日：2022-10-13
申请人： 东莞理工学院
摘要： 本发明提供了一种具有各向异性热膨胀性能的钛铌钽合金垫片及其制备方法，钛铌钽合金垫片由纯钛、纯铌和纯钽三种元素组成，其中Nb的质量分数为25％‑29％，Ta的质量分数为14％‑20％，其余都是Ti；钛铌钽合金垫片的制备方法包括如下步骤：步骤S1:将纯钛、纯铌和纯钽元素按照比例配料，其中Nb的质量分数为25％‑29％，Ta的质量分数为14％‑20％，其余都是Ti；步骤S2：采用真空自耗电弧技术进行4次熔炼铸锭；步骤S3：铸锭经过高温均匀化扩散热处理，消除元素偏析；步骤S4：铸锭热锻为方坯；步骤S5：方坯热轧为厚板；步骤S6：厚板经过退火处理和淬火处理；步骤S7：厚板进行冷轧；步骤S8：垂直于冷轧方向90度切割薄片；步骤S9：将薄片冲裁为圆形中空垫片。
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公开(公告)号：CN115627384A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211260869.0
申请日：2022-10-14
申请人： 东莞理工学院
摘要： 本发明公开了一种具有热缩冷胀特性的钛合金芯片托架及其制备方法，钛合金芯片托架由纯钛和纯铌两种元素组成，其中Nb的原子百分比为22％，其余都是Ti；钛合金芯片托架的制备方法包括如下步骤：S1：将纯钛和纯铌元素按照比例配料，其中Nb的原子百分比为22％，其余都是Ti；S2：进行真空自耗熔炼铸锭；S3：铸锭热锻成方坯；S4：方坯热轧成厚板；S5：厚板分段切割；S6：切板进行固溶处理并淬火；S7：淬火厚板经多道次冷轧成为冷轧薄板；S8：冷轧薄板经冲裁得到拼接原料；S9：切割下来的原料拼接组合，再焊接成型；S10：铣削外形，定位钻孔，对表面进行磨削抛光；S11：最后进行装配。
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公开(公告)号：CN114858552A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210481831.X
申请日：2022-05-05
申请人： 东莞理工学院
IPC分类号： G01N1/28 , G01N1/32 , G01N23/2251
摘要： 本发明涉及光学测试技术领域，具体涉及一种用于金属材料微纳米尺度应变分析的HR‑DIC散斑制备方法。该HR‑DIC散斑制备方法包括以下步骤：S1.制备金属材料待测样品；S2.配制混合液；S3.喷射上清液。本发明的HR‑DIC散斑制备方法具有效率高同时又不受温度、氧化等因素影响的优点，适用于马氏体时效钢、镍基合金和钛合金以及其他易受温度、氧化等因素影响的金属材料。
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公开(公告)号：CN110757498B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201911197837.9
申请日：2019-11-29
申请人： 东莞理工学院
IPC分类号： B25J17/02
摘要： 一种三自由度机器人关节，它包括基座、大臂连杆、第一关节、第二关节和第三关节；第一关节的驱动装置安装在基座上，第一关节的输出端带动第二关节相对基座在竖直平面内作外展内收运动；第二关节的驱动装置安装在第一关节的输出端上，第二关节的输出机构带动第三关节在水平面内作内外旋转运动；第三关节的驱动装置安装在第二关节上，第三关节的输出机构带动大臂连杆在竖直平面内作伸展弯曲运动；大臂连杆的旋转轴线、第二关节的旋转轴线、第三关节的旋转轴线在空间交汇于同一点。本发明具有结构紧凑，避开关节轴线的空间交汇点，有利于肩关节和髋关节设计。
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