公开(公告)号：CN118095467A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410055216.1

申请日：2024-01-15

Applicant: 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学

Inventor： 王淑亚 ,  单征 ,  王文青 ,  赵博 ,  于小涵 ,  王东升 ,  刘福东 ,  王立新 ,  王卫龙 ,  何昊冉 ,  孙回回

IPC: G06N10/40 ,  G06N10/20

Abstract: 本发明涉及超导量子计算技术领域，特别涉及一种基于二维阵列扩展的大规模超导量子芯片及封装结构，其中的上层模块化比特层芯片结构包括以二维阵列形式排列的若干目标超导量子芯片，所述目标超导量子芯片仅包含量子比特结构，其以量子比特数量为依据并根据扩展的需求及超导量子芯片类型从超导量子芯片资源库中选取；下层芯片与上层模块化比特层芯片结构相对设置，下层芯片的电路结构分布依据上层模块化比特层芯片结构及扩展需求设置，包含传输线，读取谐振腔，控制线等；上层模块化比特层芯片结构通过耦合连接件与下层芯片耦合连接。本发明可适用于任何类型和/或规模的超导量子比特扩展，比如定频超导量子比特或者变频超导量子比特类型的任意规模扩展，保证芯片互联的质量，在超导量子计算领域具有较好的应用前景。

公开(公告)号：CN116193973A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202211557682.7

申请日：2022-12-06

Applicant: 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学

Inventor： 王卫龙 ,  单征 ,  刘福东 ,  王立新 ,  孙回回 ,  穆清 ,  王淑亚 ,  费洋扬 ,  孟祥栋 ,  何昊冉 ,  袁本政 ,  杨天 ,  冯薛飞 ,  张潮洁 ,  于小涵

IPC: H10N60/01 ,  H10N60/12 ,  H10N60/80

Abstract: 本发明属于半导体生产工艺技术领域，特别涉及一种底电极内嵌式约瑟夫森结的制备方法，该方法包括：选取半导体衬底；通过光刻技术在半导体衬底的上表面形成底电极图形；使用刻蚀工艺在半导体衬底上形成底电极图形凹槽，刻蚀后的衬底进行光刻胶去除和清洗处理；在半导体衬底表面进行金属淀积；通过化学机械抛光的方式将半导体衬底表面金属层去除，只留下凹槽中的底电极导线条；对底电极导线条的表面进行氧化处理；在氧化处理之后，利用光刻和刻蚀工艺形成顶电极，顶电极的导线条与底电极的导线条形成交叉导线结构。本发明将底电极嵌入衬底凹槽中，避免了底电极突起导致的顶电极导线条厚度不均匀的情况出现，大大降低了顶电极电阻。