-
公开(公告)号：CN104319242B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201410579029.X
申请日：2014-10-27
IPC分类号： H01L21/60
摘要： 本发明公开了一种厚膜基板无焊料共晶贴装方法，对基板进行加热，使用芯片吸头拾取芯片，并将芯片对准基板上的焊接区域，在焊接区域上按一定方向进行摩擦，直至芯片的硅材料与基板的金熔合形成金硅共晶体，冷却后形成焊接界面。本发明实现无焊料的共晶焊焊接，有效的降低成本；芯片与基板直接熔合，具有较高的导电率和导热率，改善了电路的性能，可以用于大功率电路；无须进行焊料的涂覆、印刷、焊片的裁剪，生产效率得以提高；芯片硅材料直接与基板导体熔合，具有较高的机械强度和长期可靠性，不会产生放气和二次污染，可以用于高可靠性应用场合。
-
公开(公告)号：CN103456699A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310453599.X
申请日：2013-09-29
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/56
摘要： 本发明涉及一种集成电路封装结构，包括金属管壳和双面均设置有表贴器件和裸芯片的基板，基板引出通过锡焊连接的引脚，引脚上套设有由下方支撑基板的支撑环；金属管壳内的上、下内表面上与表贴器件或裸芯片中的发热器件相对应的位置设置有散热结构，散热结构包括凸出设置于金属管壳内的内表面上并与发热器件相对应的导热凸台、一面与导热凸台相接触而另一面与发热器件的顶部相接触的散热垫；金属管壳包括通过平行缝焊或激光焊实现气密性封装的管壳底座和管壳盖板。本发明的集成电路封装结构能够实现双面布局的基板的封装，提高集成电路的集成度，使基板双面的发热器件均能够实现较好的散热，保证了电路的可靠性并起到抗冲击的作用，加工工艺简单。
-
公开(公告)号：CN118695492A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202411056633.4
申请日：2024-08-02
摘要： 本发明公开了一种SMT焊盘及其去金方法，所述方法包括对SMT焊盘的基板正面去金，所述基板正面去金的方法包括以下步骤：对基板正面的待去金区域进行含锡焊膏印刷；对基板正面的非去金区域进行阻焊胶涂覆和阻焊胶固化；对基板先进行预热，再加热融化待去金区域的焊膏；除去待去金区域的焊膏，并揭去阻焊胶，经后处理后，完成SMT焊盘的基板正面去金。本发明能够有效区分待去金区域和非去金区域，避免人为识别误差和操作过程中对非去金区域的侵蚀现象，有效提高去金的准确性和效率，且去金效果一致性好，省时省力。
-
公开(公告)号：CN118218753A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410533082.X
申请日：2024-04-30
摘要： 本发明公开了一种激光封焊返修方法，包括将待返修器件装夹到工作台上；控制切割装置的外侧面对准外壳的内侧面。控制切割装置Z轴以预设进给量沿焊接轨迹进行切割，沿焊接轨迹采用多次向下进给的方式使切割装置进给到盖板厚度的70%‑95%。控制切割装置的工作面对准外壳的内侧面，并控制切割装置向外壳方向运动预设值，控制切割装置Z轴以预设进给量沿焊接轨迹进行切割，沿焊接轨迹采用多次向下进给的方式使切割装置进给到盖板厚度的70%‑95%。沿切屑侧壁割掉外壳上的金属丝，清洗器件表面碎屑，撬开盖板。返修好外壳内的元器件后，将新盖板放置到外壳上，进行激光封焊。本申请可确保返修工作的高精度、低污染、高效率以及良好的结构恢复效果。
-
公开(公告)号：CN114156254A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111361738.7
申请日：2021-11-17
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/538 , H01L23/043 , H01L23/10 , H01L21/48 , H01L21/60 , H01L21/768
摘要： 本发明公开了一种基于LTCC基板的SOC一体化封装结构及制造方法，该封装结构包含一个引脚数量在600以上的系统级芯片SOC，采用低温共烧陶瓷（LTCC）作为封装载体基板，基板中设置多层空腔，SOC芯片采用导电胶粘接在空腔中，利用高纯度金线进行SOC芯片与封装基板的互连。多层陶瓷基板内部布设有金属化通孔和导体将SOC芯片的输入/输出端与基板背面的引线互连，基板背面植有焊锡球形成球栅阵列（BGA）。本发明实现了大规模SOC芯片的一体化封装，具有较高的封装密度，封装体积较小，可以承受较高的过载。本发明采用3层空腔、4层键合区布局，键合线交错布置，实现大规模细间距芯片小尺寸封装。
-
公开(公告)号：CN103021609B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201210406396.0
申请日：2012-10-23
IPC分类号： H01C17/00 , H01L21/786
摘要： 本发明涉及一种大规模厚膜电阻网络的设计方法，包括：（1）分类电阻：将电阻分为若干类，每类电阻采用一种电阻浆料并作为同一元器件进行设计，每个元器件是相同尺寸的厚膜电阻与片式电阻的兼容设计；（2）版图设计：在基板上采用等行距、等列距矩阵模式设计若干个单元；（3）丝网印刷：采用丝网印刷工艺印制电阻；（4）对丝网印刷后阻值大于设计标称值的电阻做校正；（5）引线键合：在电阻的一端或两端的键合区中通过内引线键合使电阻形成电阻网络，在电阻网络的引出端通过外引线键合使其与封装管壳的引脚相连接形成厚膜芯片；（6）将厚膜芯片封装于封装盖片中。本方法简化了大规模厚膜电阻网络的设计、降低加工难度，提高了成品率。
-
公开(公告)号：CN103824816A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410060005.3
申请日：2014-02-24
CPC分类号： H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种耐过载的T/R组件一体化气密性封装结构，包括一柱形壳体，壳体的一端具有一容纳天线的凹槽，壳体的另一端具有一容纳信号处理单元的腔体，所述腔体由一盖板密封；凹槽与腔体之间夹持的壳体上预留用于安装微波绝缘子的安装孔，微波绝缘子通过共晶焊设置至该安装孔中，微波绝缘子两侧的引线分别与天线和信号处理单元基板连接。本发明实现了射频/微波T/R组件的小型化、一体化。微波绝缘子采用金锡共晶焊方式烧结在金属外壳上，配合平行缝焊（或激光焊）气密性封装，保证了信号处理单元腔体的密封性，提高了组件的可靠性。采用微波绝缘子进行发射/接收天线和信号处理单元之间的传输，缩短了传输距离，改善了电路的微波特性。
-
公开(公告)号：CN103021609A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210406396.0
申请日：2012-10-23
IPC分类号： H01C17/00 , H01L21/786
摘要： 本发明涉及一种大规模厚膜电阻网络的设计方法，包括：（1）分类电阻：将电阻分为若干类，每类电阻采用一种电阻浆料并作为同一元器件进行设计，每个元器件是相同尺寸的厚膜电阻与片式电阻的兼容设计；（2）版图设计：在基板上采用等行距、等列距矩阵模式设计若干个单元；（3）丝网印刷：采用丝网印刷工艺印制电阻；（4）对丝网印刷后阻值大于设计标称值的电阻做校正；（5）引线键合：在电阻的一端或两端的键合区中通过内引线键合使电阻形成电阻网络，在电阻网络的引出端通过外引线键合使其与封装管壳的引脚相连接形成厚膜芯片；（6）将厚膜芯片封装于封装盖片中。本方法简化了大规模厚膜电阻网络的设计、降低加工难度，提高了成品率。
-
公开(公告)号：CN101977060A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010540818.4
申请日：2010-11-12
摘要： 本发明涉及一种坐标解码模块，包括用于将输入的不规则四象限编码信号变换为标准脉冲信号输出的前置放大电路、用于根据设定的对应平面坐标四个方向的中心频率对输入信号进行选通的四通道带通滤波电路、用于将相应通道输出的频率信号转换为幅值相同的单向方波信号的位置标定电路、用于将位置标定电路输出的单向方波信号转换为直流电压信号的低通滤波电路，所述的前置放大电路由依次相电连接的第一级限幅、第二级放大以及第三级门限电路组成，所述的带通滤波电路为无限增益多端反馈电路，且所述的前置放大电路、带通滤波电路、位置标定电路、低通滤波电路基于厚膜混合集成为一模块电路。本发明坐标解码模块解码的精度较高、电路体积较小、功耗较低。
-
公开(公告)号：CN118124246A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410362532.3
申请日：2024-03-28
摘要： 本发明公开了一种适用于小批量产品的焊膏印刷装置，该装置包括聚酯膜固定模块、传动模块和调节模块；聚酯膜固定模块包括具有印刷图形的聚酯膜，传动模块用于对待印刷基板进行固定和位置调整，待印刷基板置于聚酯膜固定模块和传动模块之间；调节模块用于对待印刷基板进行高度调整。本发明通过改变不同厚度聚酯膜达到实现不同厚度要求焊膏印刷，且基板的高度和位置均可调节；本发明该装置能适用于小批量、多品种的产品，实现焊膏高精度印刷。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
23 条记录 (耗时 0.047 秒)
