具有太阳能选择性吸收薄膜膜系的制备方法

    公开(公告)号:CN105568238B

    公开(公告)日:2020-11-13

    申请号:CN201511020165.6

    申请日:2015-12-30

    摘要: 一种具有太阳能选择性吸收薄膜膜系的制备方法,包括如下步骤:(1)采用氢氟酸和TMAH混合后的复合溶液对金属基片进行喷淋(2)清洗金属基片,后用高压N2吹干;(3)采用磁控溅射技术在所述金属基片表面微结构上沉积的TiN高金属填充因子层、TiNxOy低金属填充因子层、TiO2、AlN和SiO2组成的减反层,从而得到太阳能选择性吸收膜系。本发明采用氢氟酸和TMAH混合后的复合溶液对金属基片表面进行喷淋处理,获得微结构的金属基片,然后在金属基片上以磁控溅射技术沉积TiN高金属填充因子层、TiNxOy低金属填充因子层、TiO2,AlN和Al2O3减反层,从而得到具有高吸收率、低发射率太阳能选择性吸收膜系,提高了太阳能光热转换的效率。

    一种共掺杂DLC薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN106756846A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611188594.9

    申请日:2016-12-21

    IPC分类号: C23C14/35 C23C14/06

    CPC分类号: C23C14/352 C23C14/0605

    摘要: 本发明公开了一种共掺杂DLC薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:(1)将分别经过丙酮、酒精、去离子水等严格清洗的玻璃衬底置于载物台上,载物台正对钨W、石墨C两靶材的焦点处。(2)W、C两靶材都分别成45°倾斜,都对准衬底。(3)氩离子轰击靶材,达到去除靶材表面杂质和活化靶材的作用。(4)通入氩气,使两靶材同时起辉,通过分别改变每个靶材的参数,达到制备高性能的W掺杂类金刚石薄膜。本发明通过改变每个靶材的工艺参数,可以根据实际需要制备不同掺杂量和不同性能的W掺杂DLC薄膜。

    多层AZO薄膜的制备方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107099771A

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201611233868.1

    申请日:2016-12-28

    IPC分类号: C23C14/08 C23C14/34

    摘要: 一种多层AZO薄膜的制备方法,包括如下步骤:使用第一Al掺杂浓度的AZO靶材溅射生长一层AZO薄膜;使用第二Al掺杂浓度的AZO靶材溅射生长一层AZO薄膜;使用第三Al掺杂浓度的AZO靶材溅射生长一层AZO薄膜。所述第一Al掺杂浓度,所述第二Al掺杂浓度,和所述第三Al掺杂浓度不相同。根据本发明的制备方法,使用三种不同Al掺杂浓度的AZO靶材,射频与直流激励同时作用于AZO靶材,将较高成膜速率与较高等离子体密度结合在一起,促进沉积原子的表面扩散,获得致密、晶粒大、缺陷少、晶态质量高的AZO晶体结构,更可控地在较低温度下制备电阻率在10‑4Ωcm级的多层透光AZO薄膜。

    消影增透导电玻璃
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106587655A

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201611188163.2

    申请日:2017-01-23

    IPC分类号: C03C17/34 G06F3/041

    摘要: 本发明公开消影增透导电玻璃,包括玻璃基板,玻璃基板顶面由下至上依次层叠有上TiO2膜层、上SiO2膜层与ITO膜层,ITO膜层蚀刻有电极图案;玻璃基板底面由上至下依次层叠有第一下TiO2膜层、第一下SiO2膜层、第二下TiO2膜层与第二下SiO2膜层;所述上TiO2膜层的厚度为5~10nm、上SiO2膜层的厚度为40~60nm、ITO膜层的厚度为20~40nm;所述第一下TiO2膜层的厚度为12~18nm、第一下SiO2膜层的厚度为25~35nm、第二下TiO2膜层的厚度为95~135nm、第二下SiO2膜层的厚度为70~100nm;利用折射率不同的上TiO2膜层与上SiO2膜层起到消影作用,玻璃基板底部交错的四层介质层起到减反増透的效果,并由各膜层厚度的配合,提高产品的透过率,减少反射率,降低面电阻,使得触摸屏在强光下也可以清晰的显示。