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公开(公告)号：CN106591789A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611188145.4
申请日：2016-12-21
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司 , 安徽省包装印刷产品质量监督检验中心
摘要： 本发明公开一种直接制备绒面AZO薄膜的方法，包括采用直流磁控溅射工艺，将玻璃衬底加热至300℃后，在玻璃衬底上溅射厚度为180～220nm的底层AZO薄膜；关闭磁控溅射装置，使玻璃衬底冷却至室温；将玻璃衬底由室温加热至300℃后，在底层AZO薄膜上溅射厚度为180～220nm的中间层AZO薄膜；关闭磁控溅射装置，使玻璃衬底冷却至室温；将玻璃衬底由室温加热至300℃后，在中间层AZO薄膜上溅射厚度为180～220nm的顶层AZO薄膜，最终得到层叠的绒面AZO薄膜；在反复的冷却和加热过程中，晶粒尺寸大幅度增加，使得每层AZO薄膜表面都呈凹凸结构，三层叠加后，得到具有绒面织构的AZO薄膜；本发明舍弃了传统的蚀刻方式，能够避免薄膜材料的消耗，节省生产成本，并且保证薄膜质量。
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公开(公告)号：CN106591789B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201611188145.4
申请日：2016-12-21
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司 , 安徽省包装印刷产品质量监督检验中心
摘要： 本发明公开一种直接制备绒面AZO薄膜的方法，包括采用直流磁控溅射工艺，将玻璃衬底加热至300℃后，在玻璃衬底上溅射厚度为180～220nm的底层AZO薄膜；关闭磁控溅射装置，使玻璃衬底冷却至室温；将玻璃衬底由室温加热至300℃后，在底层AZO薄膜上溅射厚度为180～220nm的中间层AZO薄膜；关闭磁控溅射装置，使玻璃衬底冷却至室温；将玻璃衬底由室温加热至300℃后，在中间层AZO薄膜上溅射厚度为180～220nm的顶层AZO薄膜，最终得到层叠的绒面AZO薄膜；在反复的冷却和加热过程中，晶粒尺寸大幅度增加，使得每层AZO薄膜表面都呈凹凸结构，三层叠加后，得到具有绒面织构的AZO薄膜；本发明舍弃了传统的蚀刻方式，能够避免薄膜材料的消耗，节省生产成本，并且保证薄膜质量。
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公开(公告)号：CN106784060B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201611188429.3
申请日：2016-12-21
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
IPC分类号： H01L31/0236
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明公开一种具有自陷光功能的ZnO基透明导电玻璃，包括玻璃基底，玻璃基底顶面由下至上依次设有下ZnO基薄膜、微结构增透膜系与上ZnO基薄膜；所述微结构增透膜系为单层离散分布的SiO2小球，所述上ZnO基薄膜的厚度小于SiO2小球的直径，在微结构增透膜系上形成凹凸的织构化结构；采用离散分布的SiO2小球作为微结构增透膜系，其上方的上ZnO基薄膜以微结构增透膜系为模板，自然地形成凹凸的织构化结构；在制备时，SiO2小球表面微结构可根据需要进行调整，使得上ZnO基薄膜的表面微结构容易控制，形成均匀性优良的表面微结构，实现高透过率、低电阻，制备工艺简单，降低成本，利于产业化推广应用。
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公开(公告)号：CN106756847A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611188596.8
申请日：2016-12-21
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
CPC分类号： C23C14/352 , C23C14/0605 , C23C14/14
摘要： 本发明公开了一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将经过丙酮、酒精、去离子水等严格超声波清洗的衬底置于载物台上。（2）钨W、石墨C两靶材分别置于两个靶基座上，分别进行起辉溅射。（3）通入氩气，辉光放电，Ar+离子轰击靶材，以达到清除靶材表面杂质和氧化物的目的。（4）衬底在镀膜之前进行200C°‑400C°的加热。（5）在进行镀膜过程中，先在C靶上进行镀膜，而后转到W靶上，再转到C靶上，如此反复，达到制备高性能W掺杂类金刚石薄膜。
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公开(公告)号：CN107527959A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201611188632.0
申请日：2016-12-21
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0445
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/022425 , H01L31/022483 , H01L31/0445
摘要： 本发明公开一种多层自带绒面的AZO薄膜，包括依次叠加的底层AZO薄膜、中间层AZO薄膜与顶层AZO薄膜，各层AZO薄膜的晶粒尺寸由下至上依次增加，每层AZO薄膜的表面均呈凹凸结构，各层AZO薄膜的表面粗糙度由下至上依次增加；将不同晶粒尺寸的AZO薄膜叠加，且由下至上晶粒尺寸逐渐变大，每一层AZO薄膜表面都带有凹凸结构，从而得到多层绒面结构的AZO薄膜，使得太阳光在入射以后，形成对光的折射和散射，把入射到薄膜中的光分散到各个角度，从而提高入射光在电池中的光程，增加光的吸收，增大电子空穴的形成几率。
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公开(公告)号：CN106784089A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611188428.9
申请日：2016-12-21
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
IPC分类号： H01L31/048 , H01L31/0236
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/048 , H01L31/0236
摘要： 本发明公开一种自陷光ZnO基透明导电玻璃的制备方法，包括以下步骤：S1、采用磁控溅射工艺，在玻璃衬底表面溅射生长下ZnO基薄膜；S2、采用液相法，在下ZnO基薄膜表面制备单层离散分布的SiO2小球模板层；S3、采用磁控溅射工艺，在SiO2小球模板层上溅射生长上ZnO基薄膜，上ZnO基薄膜的厚度小于SiO2小球的直径，得到表面形貌呈凹凸织构化结构的自陷光ZnO基透明导电玻璃；结合磁控溅射与液相法镀膜的固有优点，在制备时，SiO2小球表面微结构可根据需要进行调整，使得上ZnO基薄膜的表面微结构容易控制，形成均匀性优良的表面微结构，实现高透过率、低电阻，制备工艺简单，降低成本，利于推广应用。
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公开(公告)号：CN106756846A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611188594.9
申请日：2016-12-21
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
CPC分类号： C23C14/352 , C23C14/0605
摘要： 本发明公开了一种共掺杂DLC薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将分别经过丙酮、酒精、去离子水等严格清洗的玻璃衬底置于载物台上，载物台正对钨W、石墨C两靶材的焦点处。（2）W、C两靶材都分别成45°倾斜，都对准衬底。（3）氩离子轰击靶材，达到去除靶材表面杂质和活化靶材的作用。（4）通入氩气，使两靶材同时起辉，通过分别改变每个靶材的参数，达到制备高性能的W掺杂类金刚石薄膜。本发明通过改变每个靶材的工艺参数，可以根据实际需要制备不同掺杂量和不同性能的W掺杂DLC薄膜。
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公开(公告)号：CN106582764A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611188587.9
申请日：2016-12-21
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
CPC分类号： B01J27/24 , B01J35/004 , B01J35/1004 , B01J37/34
摘要： 一种增大比表面积的氮掺杂二氧化钛薄膜的制备方法，包括如下步骤：（1）采用氢氟酸和TMAH混合后的复合溶液对玻璃基片进行喷淋（2）清洗玻璃基片，后用高压N2吹干；（3）采用磁控溅射技术在所述玻璃基片表面微结构上沉积氮掺杂二氧化钛薄膜，从而得到具有更大比表面积的氮掺杂二氧化钛薄膜。本发明采用氢氟酸和TMAH混合后的复合溶液对玻璃基片表面进行喷淋处理，获得微结构的玻璃基片，然后在玻璃基片上以磁控溅射技术沉积氮掺杂二氧化钛薄膜，从而得到具有更大比表面积的薄膜，提高了薄膜光催化的效率。
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公开(公告)号：CN106756847B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201611188596.8
申请日：2016-12-21
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
摘要： 本发明公开了一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将经过丙酮、酒精、去离子水等严格超声波清洗的衬底置于载物台上。（2）钨W、石墨C两靶材分别置于两个靶基座上，分别进行起辉溅射。（3）通入氩气，辉光放电，Ar+离子轰击靶材，以达到清除靶材表面杂质和氧化物的目的。（4）衬底在镀膜之前进行200C°‑400C°的加热。（5）在进行镀膜过程中，先在C靶上进行镀膜，而后转到W靶上，再转到C靶上，如此反复，达到制备高性能W掺杂类金刚石薄膜。
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公开(公告)号：CN106756845A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611188591.5
申请日：2016-12-21
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/0036 , C23C14/0605
摘要： 本发明公开了一种可作为滑动元件表层涂层的掺杂DLC膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将经过丙酮、酒精、去离子水等严格清洗的Si衬底置于样品基架上。（2）以氮气作为起辉气体，轰击靶材，达到去除表面杂质和活化靶材的目的。（3）同时氮气也作为反应气体——掺杂源，通过反应实现DLC薄膜的掺杂。本发明通过以氮气同时作为起辉和反应气体，改变工艺参数较少，可根据实际需要制备出可作为滑动元件表层涂层的低摩擦系数的N掺杂DLC膜。
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