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公开(公告)号：CN106591789A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611188145.4
申请日：2016-12-21
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司 , 安徽省包装印刷产品质量监督检验中心
摘要： 本发明公开一种直接制备绒面AZO薄膜的方法，包括采用直流磁控溅射工艺，将玻璃衬底加热至300℃后，在玻璃衬底上溅射厚度为180～220nm的底层AZO薄膜；关闭磁控溅射装置，使玻璃衬底冷却至室温；将玻璃衬底由室温加热至300℃后，在底层AZO薄膜上溅射厚度为180～220nm的中间层AZO薄膜；关闭磁控溅射装置，使玻璃衬底冷却至室温；将玻璃衬底由室温加热至300℃后，在中间层AZO薄膜上溅射厚度为180～220nm的顶层AZO薄膜，最终得到层叠的绒面AZO薄膜；在反复的冷却和加热过程中，晶粒尺寸大幅度增加，使得每层AZO薄膜表面都呈凹凸结构，三层叠加后，得到具有绒面织构的AZO薄膜；本发明舍弃了传统的蚀刻方式，能够避免薄膜材料的消耗，节省生产成本，并且保证薄膜质量。
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公开(公告)号：CN106591789B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201611188145.4
申请日：2016-12-21
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司 , 安徽省包装印刷产品质量监督检验中心
摘要： 本发明公开一种直接制备绒面AZO薄膜的方法，包括采用直流磁控溅射工艺，将玻璃衬底加热至300℃后，在玻璃衬底上溅射厚度为180～220nm的底层AZO薄膜；关闭磁控溅射装置，使玻璃衬底冷却至室温；将玻璃衬底由室温加热至300℃后，在底层AZO薄膜上溅射厚度为180～220nm的中间层AZO薄膜；关闭磁控溅射装置，使玻璃衬底冷却至室温；将玻璃衬底由室温加热至300℃后，在中间层AZO薄膜上溅射厚度为180～220nm的顶层AZO薄膜，最终得到层叠的绒面AZO薄膜；在反复的冷却和加热过程中，晶粒尺寸大幅度增加，使得每层AZO薄膜表面都呈凹凸结构，三层叠加后，得到具有绒面织构的AZO薄膜；本发明舍弃了传统的蚀刻方式，能够避免薄膜材料的消耗，节省生产成本，并且保证薄膜质量。
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公开(公告)号：CN106756847B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201611188596.8
申请日：2016-12-21
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
摘要： 本发明公开了一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将经过丙酮、酒精、去离子水等严格超声波清洗的衬底置于载物台上。（2）钨W、石墨C两靶材分别置于两个靶基座上，分别进行起辉溅射。（3）通入氩气，辉光放电，Ar+离子轰击靶材，以达到清除靶材表面杂质和氧化物的目的。（4）衬底在镀膜之前进行200C°‑400C°的加热。（5）在进行镀膜过程中，先在C靶上进行镀膜，而后转到W靶上，再转到C靶上，如此反复，达到制备高性能W掺杂类金刚石薄膜。
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公开(公告)号：CN106756845A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611188591.5
申请日：2016-12-21
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/0036 , C23C14/0605
摘要： 本发明公开了一种可作为滑动元件表层涂层的掺杂DLC膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将经过丙酮、酒精、去离子水等严格清洗的Si衬底置于样品基架上。（2）以氮气作为起辉气体，轰击靶材，达到去除表面杂质和活化靶材的目的。（3）同时氮气也作为反应气体——掺杂源，通过反应实现DLC薄膜的掺杂。本发明通过以氮气同时作为起辉和反应气体，改变工艺参数较少，可根据实际需要制备出可作为滑动元件表层涂层的低摩擦系数的N掺杂DLC膜。
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公开(公告)号：CN106671509A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611188631.6
申请日：2016-12-21
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
CPC分类号： B32B15/04 , B32B27/06 , B32B27/36 , B32B33/00 , B32B2307/40
摘要： 本发明公开一种光谱选择反射型隔热膜，包括由下至上依次层叠的聚酯膜基层、下硫化锌层、下铝钛合金层、金属层、上铝钛合金层、上硫化锌层与减反增透层；所述聚酯膜基层为厚度1～30μm的无色透明薄膜；所述上硫化锌层与下硫化锌层的厚度为10～100nm；上铝钛合金层与下铝钛合金层的厚度为1～50nm；金属层为厚度1～30 nm的铝层或银层；减反增透层的厚度为100～300nm；减反增透层单分散介孔空心二氧化硅球薄膜；采用具有高折射率的硫化锌层作为介质层，形成D/M/D的结构，增加隔热膜的光谱选择性；通过在金属层两侧设置铝钛合金层，以减缓金属层的氧化、凝聚和扩散现象；利用单分散介孔空心二氧化硅球薄膜作为减反增透层从整体上提高隔热膜的可见光透过率。
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公开(公告)号：CN106637117A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611188589.8
申请日：2016-12-21
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/021 , C23C14/083
摘要： 本发明公开了一种高效氮掺杂二氧化钛薄膜的制备方法，包括如下步骤：（1）清洗玻璃基片，后用高压N2吹干；（2）采用直流耦合射频磁控溅射的方法沉积氮掺杂二氧化钛薄膜，即射频电源与匹配器相连接后与直流电源一起连接至滤波器，滤波器直接连接阴极，射频电源和直流电源一起供电给阴极。本发明采用直流耦合射频磁控溅射的方法沉积氮掺杂二氧化钛薄膜，从而得到沉积速率快，膜层质量高的薄膜。本发明工艺简单，条件易控，制备周期短，易于规模放大。制备的氮掺杂二氧化钛薄膜结晶度高，与基底结合牢固，稳定性好，可重复使用。
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公开(公告)号：CN104465890A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410842463.2
申请日：2014-12-25
申请人： 中国建材国际工程集团有限公司 , 蚌埠玻璃工业设计研究院
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/0236
摘要： 一种薄膜太阳能电池前电极用绒面AZO薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)清洗玻璃基片，后用高压N2吹干；(2)采用反应离子束技术对所述玻璃基片表面进行刻蚀，使所述玻璃基片表面具有绒面结构；并且(3)采用磁控溅射技术在所述玻璃基片表面的绒面结构上沉积450～750纳米的AZO薄膜，从而得到绒面结构的AZO薄膜。本发明开发了一种新的用于薄膜太阳能电池前电极的绒面AZO薄膜的制备方法，先采用离子束技术，对玻璃基片表面进行刻蚀处理，获得绒面结构的玻璃基片，然后在玻璃基片上以磁控溅射技术沉积具有绒面结构的AZO薄膜，避免了现有刻蚀技术中对膜层厚度的浪费，同时也避免了湿法刻蚀工艺中产生的废酸腐蚀液对环境造成的污染。
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公开(公告)号：CN106784060B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201611188429.3
申请日：2016-12-21
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
IPC分类号： H01L31/0236
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明公开一种具有自陷光功能的ZnO基透明导电玻璃，包括玻璃基底，玻璃基底顶面由下至上依次设有下ZnO基薄膜、微结构增透膜系与上ZnO基薄膜；所述微结构增透膜系为单层离散分布的SiO2小球，所述上ZnO基薄膜的厚度小于SiO2小球的直径，在微结构增透膜系上形成凹凸的织构化结构；采用离散分布的SiO2小球作为微结构增透膜系，其上方的上ZnO基薄膜以微结构增透膜系为模板，自然地形成凹凸的织构化结构；在制备时，SiO2小球表面微结构可根据需要进行调整，使得上ZnO基薄膜的表面微结构容易控制，形成均匀性优良的表面微结构，实现高透过率、低电阻，制备工艺简单，降低成本，利于产业化推广应用。
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公开(公告)号：CN106756847A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611188596.8
申请日：2016-12-21
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
CPC分类号： C23C14/352 , C23C14/0605 , C23C14/14
摘要： 本发明公开了一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将经过丙酮、酒精、去离子水等严格超声波清洗的衬底置于载物台上。（2）钨W、石墨C两靶材分别置于两个靶基座上，分别进行起辉溅射。（3）通入氩气，辉光放电，Ar+离子轰击靶材，以达到清除靶材表面杂质和氧化物的目的。（4）衬底在镀膜之前进行200C°‑400C°的加热。（5）在进行镀膜过程中，先在C靶上进行镀膜，而后转到W靶上，再转到C靶上，如此反复，达到制备高性能W掺杂类金刚石薄膜。
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公开(公告)号：CN104138766A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410392446.3
申请日：2014-08-11
申请人： 中国建材国际工程集团有限公司 , 蚌埠玻璃工业设计研究院
摘要： 一种可实现可见光催化的N掺杂TiO2薄膜的制备方法，包括如下步骤：(a)用N离子源轰击TiO2薄膜；并且(b)使得所述薄膜中N元素的掺杂量提高到21％。本发明的可实现可见光催化的N掺杂TiO2薄膜催化剂，有相对较高的N掺杂量，减小TiO2价带与导带间的禁带宽度；形成的晶相为anatase相TiO2，并且，可直接制备得到纳米晶结构的anatase相TiO2。
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