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公开(公告)号：CN114096083A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111494389.6
申请日：2021-12-09
申请人： 中国振华集团云科电子有限公司
摘要： 一种基于LTCC、HTCC技术的多层孤岛陶瓷电路的制备方法，属于电子元器件领域。通过生瓷片打孔、填孔、印刷、打盲腔、叠层、小压力预压、孤岛多层陶瓷电路预压坯体制备、孤岛电路生坯嵌入盲腔、大压力等静压、热切、排胶烧结，制备得到一种具有高精度对位的陶瓷孤岛结构，实现1mm～50mm尺寸的多层孤岛陶瓷电路的制备，孤岛形状多样化，包含正方形、长方形、圆形及异形结构，陶瓷孤岛与主体LTCC/HTCC电路基板电气互联，具有互联位置精度高、尺寸范围可调等特点，解决了现有多层陶瓷基板LTCC/HTCC工艺平台中无法对具有孤岛凸台的多层生瓷片进行对位堆叠的问题。广泛应用于具有孤岛结构的多层陶瓷电路技术领域。
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公开(公告)号：CN106601480A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201710104187.3
申请日：2017-02-24
申请人： 中国振华集团云科电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器及其制作工艺，包括陶瓷基板，依次制备在陶瓷基板上的底电极薄膜，电容功能薄膜和顶电极薄膜；所述电容功能薄膜是聚酰亚胺薄膜；所述底电极薄膜是钛钨‑金‑钛钨三层结构；所述顶电极薄膜是钛钨‑金双层薄膜。本发明的高温高频聚酰亚胺薄膜电容器具有耐高温，温度特性好，制造成本低廉，可重复性好等特点，由于聚酰亚胺薄膜具有耐高温，耐酸碱，高频特性好，可以在使用环境要求更为苛刻的航空航天，工业应用等领域使用，因此高温高频聚酰亚胺薄膜电容器可以带来具大的军事价值及商业价值。
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公开(公告)号：CN112712951A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011511969.7
申请日：2020-12-18
申请人： 中国振华集团云科电子有限公司
摘要： 一种散热式无感厚膜功率电阻器及制造方法，包括：散热底板、陶瓷基片、表面电极层、厚膜电阻层、背面金属化层、包封层、硅橡胶层、塑封外壳、复数个金属引脚。散热底板的陶瓷基片焊接区表面有多个凹槽；陶瓷基片的上表面依次有表面电极层、厚膜电阻层，陶瓷基片的背面有金属化层；包封层覆盖整个厚膜电阻层和部分表面电极层；复数个金属引脚包括第一金属引脚和第二金属引脚组成，第一金属引脚和第二金属引脚的首端通过耐高温焊料分别焊接在电阻层两端的表面电极层上；硅橡胶层覆盖整个包封层，及包封层未覆盖的其余表面电极层；塑封外壳为最外层。解决了现有电阻器额定功率冗余度小、抗强脉冲性能不足等问题。广泛应用于高可靠及微型化电子系统中。
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公开(公告)号：CN112712950A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011507638.6
申请日：2020-12-18
申请人： 中国振华集团云科电子有限公司
摘要： 本发明涉及一种功率电阻器及其制备方法，功率电阻器包括电阻器本体，所述电阻器本体包括陶瓷基板、全面覆盖设置于所述陶瓷基板背面上的全覆盖银钯电极层以及设置于所述全覆盖银钯电极层上的散热板，所述全覆盖银钯电极层上带有镀镍层和镀锡层。制备时，在电阻器本体中陶瓷基板的背面全面覆盖设置全覆盖银钯电极层；在全覆盖银钯电极层上焊接散热板；在所述全覆盖银钯电极层上镀上镍层和锡层。散热板与所述全覆盖银钯电极层采用热板焊的方式焊接，焊接热板温度为230℃。本发明中可以提高散热板与全覆盖银钯电极层的焊接性能，可使得焊接空洞率小于1％，焊接空洞最大孔径不超过0.5mm，大大降低了焊接空洞率，焊接效率提升50％以上，进而提高了功率电阻器的散热效率。
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公开(公告)号：CN118595561A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410970578.3
申请日：2024-07-19
申请人： 中国振华集团云科电子有限公司
IPC分类号： B23K3/08
摘要： 一种四边扁平引线双面腔体陶瓷外壳及其高温焊接夹具，属于电子封装技术领域。所述陶瓷外壳包括陶瓷基体、下腔体、下金属围框、下围框焊片、引线焊片、金属引线、上腔体、上金属围框、上围框焊片、多层共烧陶瓷基板，由多层共烧陶瓷基板将陶瓷基体隔离为上腔体和下腔体，金属引线垂直于陶瓷基体侧壁，与上腔体陶瓷顶部在同一平面上。所述高温焊接夹具包括钎焊基座、钎焊隔板、钎焊活块、钎焊盖板及钎焊夹，钎焊基座位于夹具底部，从底部到顶部依次为钎焊隔板、钎焊活块、钎焊盖板、钎焊夹。解决了现有技术中没有四边扁平引线陶瓷双面腔体外壳，以及该外壳一体化高温焊接成型焊接夹具的问题。广泛应用于有引线表贴式陶瓷外壳及其焊接夹具技术领域。
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公开(公告)号：CN106601480B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201710104187.3
申请日：2017-02-24
申请人： 中国振华集团云科电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器及其制作工艺，包括陶瓷基板，依次制备在陶瓷基板上的底电极薄膜，电容功能薄膜和顶电极薄膜；所述电容功能薄膜是聚酰亚胺薄膜；所述底电极薄膜是钛钨‑金‑钛钨三层结构；所述顶电极薄膜是钛钨‑金双层薄膜。本发明的高温高频聚酰亚胺薄膜电容器具有耐高温，温度特性好，制造成本低廉，可重复性好等特点，由于聚酰亚胺薄膜具有耐高温，耐酸碱，高频特性好，可以在使用环境要求更为苛刻的航空航天，工业应用等领域使用，因此高温高频聚酰亚胺薄膜电容器可以带来具大的军事价值及商业价值。
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公开(公告)号：CN114096083B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202111494389.6
申请日：2021-12-09
申请人： 中国振华集团云科电子有限公司
摘要： 一种基于LTCC、HTCC技术的多层孤岛陶瓷电路的制备方法，属于电子元器件领域。通过生瓷片打孔、填孔、印刷、打盲腔、叠层、小压力预压、孤岛多层陶瓷电路预压坯体制备、孤岛电路生坯嵌入盲腔、大压力等静压、热切、排胶烧结，制备得到一种具有高精度对位的陶瓷孤岛结构，实现1mm～50mm尺寸的多层孤岛陶瓷电路的制备，孤岛形状多样化，包含正方形、长方形、圆形及异形结构，陶瓷孤岛与主体LTCC/HTCC电路基板电气互联，具有互联位置精度高、尺寸范围可调等特点，解决了现有多层陶瓷基板LTCC/HTCC工艺平台中无法对具有孤岛凸台的多层生瓷片进行对位堆叠的问题。广泛应用于具有孤岛结构的多层陶瓷电路技术领域。
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公开(公告)号：CN112004325A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010930887.X
申请日：2020-09-07
申请人： 中国振华集团云科电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种多层异质熟瓷结构薄膜元器件及电路板制备方法，包括制备不同种类的陶瓷基片、陶瓷表面研磨与抛光处理、激光打孔、通孔填充、薄膜电路制备、丝印粘接相、多个单层陶瓷片的销钉定位与堆叠、固化或烧结、机械切割等步骤。从而得到了一种具有多层异质熟瓷结构的薄膜电子元器件或电路板，该种结构可以进行多层熟瓷电路板的对位堆叠，适用的单层熟瓷厚度范围0.2mm～0.5mm、叠层数量范围为2层～10层，可以解决多层共烧陶瓷技术(LTCC和HTCC)难以实现多层异质共烧、共烧后电路精度不高等问题，可用于多层异质陶瓷型电子元器件和组件模块，具有性能优异、体积大幅度减小等优势，应用领域广、市场前景非常好。
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公开(公告)号：CN109065308A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810882999.5
申请日：2018-08-06
申请人： 中国振华集团云科电子有限公司 , 贵州振华电子信息产业技术研究有限公司
IPC分类号： H01C17/02 , H01C17/065 , H01C17/28
摘要： 本发明公开了一种TO‑247封装功率电阻器制造方法，包括将银钯浆料和电阻浆料通过丝网印刷印制在氧化铝陶瓷基板上，进行高温烧结固化成表电极和电阻层，然后在电阻层上印刷玻璃浆料经烧结固化成玻璃包封层，通过引脚定位焊接夹具将铜引脚焊接在表电极上，将导热硅胶涂覆与玻璃包封层上，粘接高导热氮化铝陶瓷散热板，粘接完成后进行模压塑封。本发明通过在电阻层上粘接一块陶瓷散热板，有效提升了电阻膜层热量导出效率，保证了电阻层和焊点的可靠性。
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公开(公告)号：CN208753312U
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201821713056.1
申请日：2018-10-22
申请人： 中国振华集团云科电子有限公司 , 贵州振华电子信息产业技术研究有限公司
IPC分类号： H01L23/64
摘要： 本实用新型提供了一种低损耗电容器及集成芯片，涉及半导体领域。低损耗电容器，低损耗电容器包括基片、绝缘层、第一金属层、第二金属层和第三金属层，基片具有相对而设的第一表面和第二表面，绝缘层位于第一表面，第二金属层位于第二表面，第一金属层位于绝缘层远离基片的一面，第三金属层环绕绝缘层外，并设置于第一表面上。通过第三金属层的环绕设置能够降低电容器的损耗，降低因发热所消耗的能量。
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