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公开(公告)号：CN113381151A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110675651.0
申请日：2021-06-18
申请人： 中国电子科技集团公司第九研究所 , 绵阳西磁科技有限公司
IPC分类号： H01P1/38
摘要： 本发明公开了一种小型化微带环行器电路及由该电路组成的环行器，属于微波元器件领域，所述电路制作于基片上，所述电路由分布电容和电感组成，其中，所述电感位于基片中心位置，所述分布电容与电感连接并一体化，在所述分布电容的边上设置有金属化过孔；采用本发明的结构，可以明显减小目前微带环行器的尺寸至6.5mm×6.5mm，达到器件小型化的目的。
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公开(公告)号：CN113381151B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202110675651.0
申请日：2021-06-18
申请人： 中国电子科技集团公司第九研究所 , 绵阳西磁科技有限公司
IPC分类号： H01P1/38
摘要： 本发明公开了一种小型化微带环行器电路及由该电路组成的环行器，属于微波元器件领域，所述电路制作于基片上，所述电路由分布电容和电感组成，其中，所述电感位于基片中心位置，所述分布电容与电感连接并一体化，在所述分布电容的边上设置有金属化过孔；采用本发明的结构，可以明显减小目前微带环行器的尺寸至6.5mm×6.5mm，达到器件小型化的目的。
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公开(公告)号：CN113395826B
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202110942562.8
申请日：2021-08-17
申请人： 中国电子科技集团公司第九研究所
摘要： 本发明公开了一种PCB板集总参数非互易磁性器件用高导热电路基板结构，包括粘合在一起的双面覆铜板、单面覆铜板，双面覆铜板包括从上到下依次设置的上覆铜层、中间介质层、下覆铜层，上覆铜层设有上表面电路，上表面电路用于形成安装中心导体模组的主安装位和匹配电路的副安装位，主安装位设有第一导热通道，副安装位设有第二导热通道，且根据中间介质层厚度不同，选用不同的方法加工第一导热通道，下覆铜层加厚，本发明提高了器件的通过功率耐受情况，使得器件能够耐受125℃环境下5W‑15W的连续波通过功率；且实现低频大功率下PCB板集总参数非互易磁性器件的高温高功率下损耗的增长较小，在0.5dB‑1.5dB之间。
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公开(公告)号：CN114907112B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202210343512.2
申请日：2022-04-02
IPC分类号： H01G4/12 , C04B35/46 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种低温度系数高介低损耗微波电子陶瓷材料，属于材料技术领域，其化学组成为：34～36wt%的TiO2、32～35.5wt%的Bi2O3、18～20wt%的Nd2O3、8.5～9wt%的CaO、1.8～2.2wt%的Li2O、0.1～0.13wt%的Na2O、0.05～0.08wt%的SiO2、0.05～0.08wt%的Nb2O5、0.05～0.08 wt%的ZrO2、0.05～0.09wt%MgO、0.03～0.05wt%的Fe2O3、0.01～0.02wt%的MoO3，0.008～0.015%的BaO，合计为100%；本发明所制得的陶瓷基板材料：介电常数180～200范围@1MHz，介电损耗在0.17%～0.25%@1MHz范围内，绝缘电阻105MΩ，耐压强度E≥5*106V/mm，Q值@1GHz为1400～1500，谐振频率温度系数τf为‑25～+30ppm/℃。
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公开(公告)号：CN114865256B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210808003.2
申请日：2022-07-11
摘要： 本发明公开了一种多层介质类带线结构超宽带集总参数环行器/隔离器，包括上铁氧体、多层介质板、下铁氧体；多层介质板包括中间电路层，其为双面覆铜板，中间电路层上、下表面分别设有上、下表面电路；上表面电路包括上交叉电路和三个匹配电路，下表面电路包括下交叉电路，所述下交叉电路形状为上交叉电路沿X轴翻转而成；上、下交叉电路中心重叠，二者间设有电路接地过孔且构成非互易中心结电感，非互易中心结电感与上铁氧体、下铁氧体构成非互易结NRJ。本发明对集总参数隔离器的电路中心结电路进行改进，可在尺寸增加不大的情况下实现18%~40%的宽带及超宽带电性能设计，满足下一代宽带基站用的隔离器/环行器设计，且降低器件成本。
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公开(公告)号：CN113412032B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202110690075.7
申请日：2021-06-22
申请人： 中国电子科技集团公司第九研究所
摘要： 本发明公开了一种新型水冷式差相移式隔离器，包括移相段，所述移相段包括重叠设置的上腔和下腔，上腔和下腔表面分别设有一散热槽，散热槽在上腔和下腔的表面弯折分布，且两端贯穿所在上腔或下腔的两侧，散热槽两端分别连接一管道接头和第一水嘴接头，两第一水嘴接头位于同一侧且连通；散热槽内铺设有铜管，铜管经高压液压机压接在散热槽内，两端与对应管道接头和第一水嘴接头焊接，散热槽与铜管的间隙内填充有焊料，所述焊料填满间隙并高温固化。本发明提出了一种新的散热结构，将传统开水槽的方式改变为铺铜管的方式，使水路与移相段分离，长期使用的过程中不漏水，且能有效将移相段上的热量传导到铜管内的冷却液中，保证移相段的散热效率。
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公开(公告)号：CN114709578B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210634202.6
申请日：2022-06-07
IPC分类号： H01P1/39
摘要： 本发明公开了一种基于陶瓷导热的L波段大功率波导环行器，属于微波元器件领域，采用高场设计，设计归一化内场为1.4～1.7，仿真设计内场为52000～63143A/m，包括腔体，所述腔体上设置有磁轭（1），在所述腔体内设置有冷却管路（2），在所述上腔体（3）上设置磁体组合（6），在所述腔体内设置由焊接板（8）、铁氧体（9）和陶瓷（10）组成的旋磁组合体（7），所述铁氧体（9）的磁矩为400 gauss～800 gauss；本发明采用高场设计，实现1.3GHz波导环行器在5kW‑10kW的平均功率耐受，杜绝了器件在高功率下的非线性效应；并且降低器件在高场设计时的磁化难度，减小器件磁体磁化高度。
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公开(公告)号：CN114907112A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210343512.2
申请日：2022-04-02
IPC分类号： C04B35/46 , C04B35/622 , H01G4/12
摘要： 本发明公开了一种低温度系数高介低损耗微波电子陶瓷材料，属于材料技术领域，其化学组成为：34～36wt%的TiO2、32～35.5wt%的Bi2O3、18～20wt%的Nd2O3、8.5～9wt%的CaO、1.8～2.2wt%的Li2O、0.1～0.13wt%的Na2O、0.05～0.08wt%的SiO2、0.05～0.08wt%的Nb2O5、0.05～0.08 wt%的ZrO2、0.05～0.09wt%MgO、0.03～0.05wt%的Fe2O3、0.01～0.02wt%的MoO3，0.008～0.015%的BaO，合计为100%；本发明所制得的陶瓷基板材料：介电常数180～200范围@1MHz，介电损耗在0.17%～0.25%@1MHz范围内，绝缘电阻105MΩ，耐压强度E≥5*106V/mm，Q值@1GHz为1400～1500，谐振频率温度系数τf为‑25～+30ppm/℃。
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公开(公告)号：CN113412032A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110690075.7
申请日：2021-06-22
申请人： 中国电子科技集团公司第九研究所
摘要： 本发明公开了一种新型水冷式差相移式隔离器，包括移相段，所述移相段包括重叠设置的上腔和下腔，上腔和下腔表面分别设有一散热槽，散热槽在上腔和下腔的表面弯折分布，且两端贯穿所在上腔或下腔的两侧，散热槽两端分别连接一管道接头和第一水嘴接头，两第一水嘴接头位于同一侧且连通；散热槽内铺设有铜管，铜管经高压液压机压接在散热槽内，两端与对应管道接头和第一水嘴接头焊接，散热槽与铜管的间隙内填充有焊料，所述焊料填满间隙并高温固化。本发明提出了一种新的散热结构，将传统开水槽的方式改变为铺铜管的方式，使水路与移相段分离，长期使用的过程中不漏水，且能有效将移相段上的热量传导到铜管内的冷却液中，保证移相段的散热效率。
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公开(公告)号：CN116148543A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310040603.3
申请日：2023-01-13
IPC分类号： G01R29/08
摘要： 本发明公开了一种用于量子测量系统的谐振腔结构，属于量子测量技术领域，包括金属腔体（1），在所述金属腔体（1）的前侧设置有微波耦合窗（2），在所述金属腔体（1）的左右两侧各设置有一个相互对应的激光光孔（3），在所述金属腔体（1）的内部设置有铯泡（4）；本发明还公开了采用前述的系统进行量子测量的方法；采用本发明的谐振腔结构测量的灵敏度、精确度等明显提高。
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