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公开(公告)号：CN118712070A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411203638.5
申请日：2024-08-30
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L21/48 , G06F30/20 , G16C60/00 , G06F113/26 , G06F119/08 , G06F119/14
摘要： 本发明涉及微波组件封装技术领域，公开了一种局部物理性能可调的微波件封装外壳设计及加工方法，包括以下步骤：步骤S1:根据设计图纸进行三维建模，形成外壳模型；步骤S2:在外壳模型上划分装配区；步骤S3:采用封装材料结合粉末冶金的方式制造封装坯体；封装坯体包括具有至少一个装配区的壳体本体、以及设置在装配区上的热沉；封装材料包括用于加工制造壳体本体的铝合金、用于加工制造热沉的硅铝合金和铝基碳化硅复合材料；步骤S4:对封装坯体进行精加工，获得封装体；步骤S5:对封装体进行表面镀涂，获得微波件封装外壳。根据后续装配可靠性需求，在不同的部位设计不同的封装材料，从而实现复杂微波组件的高密度可靠封装。
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公开(公告)号：CN118042762A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410141159.9
申请日：2024-01-31
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明公开了一种微波件减重密封外壳封装结构及制造方法，涉及微波件封装外壳结构设计和制造领域，其中封装结构包括：封装结构主体、过渡区域、密封区域；所述封装结构主体采用镁合金制成；所述过渡区域位于封装结构主体与密封区域之间，采用钼铜合金制成；所述密封区域采用铝合金制成；并以此提出了一种制造方法；本发明，在解决微波件封装外壳密度小于2.0g/cm3要求的同时，解决了此类封装外壳的可靠密封问题；由于采用的是局部高能束加热密封，兼顾了该类微波件微组装过程的工艺兼容性。
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公开(公告)号：CN113787250A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110847957.X
申请日：2021-07-27
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明涉及微电子封装技术领域，具体公开了一种提升引线键合精度的楔形劈刀结构，包括刀柄、与刀柄一端连接的刀头；所述刀头上设置有键合引线过孔，所述键合引线过孔包括设置在刀头侧面的导向孔、与导向孔连通的椭圆通孔。本发明有效的限制键合引线水平方向可移动的范围，避免键合引线在键合引线过孔中发生偏移；可使键合过程中键合引线始终处于劈刀刀头端面正中；有效的提升键合引线键合的精度。
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公开(公告)号：CN113787250B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202110847957.X
申请日：2021-07-27
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明涉及微电子封装技术领域，具体公开了一种提升引线键合精度的楔形劈刀结构，包括刀柄、与刀柄一端连接的刀头；所述刀头上设置有键合引线过孔，所述键合引线过孔包括设置在刀头侧面的导向孔、与导向孔连通的椭圆通孔。本发明有效的限制键合引线水平方向可移动的范围，避免键合引线在键合引线过孔中发生偏移；可使键合过程中键合引线始终处于劈刀刀头端面正中；有效的提升键合引线键合的精度。
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公开(公告)号：CN113770501B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202110847959.9
申请日：2021-07-27
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L21/607 , B23K20/10 , B23K20/26 , H01L23/00
摘要： 本发明涉及微电子封装技术领域，具体公开了一种提升引线键合密度的楔形劈刀结构，包括刀柄、与刀柄一端连接的刀头；所述刀头设置有过孔结构，所述过孔结构包括设置在刀头上的引线过孔、以及设置在过孔结构底面上的V型结构。本发明实现线间距小于二分之一劈刀刀头宽度的高密度引线键合，键合密度提升显著。
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公开(公告)号：CN115055772A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210441128.6
申请日：2022-04-25
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明公开了一种真空共晶工艺中钎缝尺寸的控制方法，该方法包括将成型的金属引线设置于共晶基板的共晶区域；将共晶钎料放置于共晶基板的共晶区域，压覆金属引线；将共晶模组放置于共晶基板的共晶区域，压覆共晶钎料；在共晶模组上放置配重块，并将共晶基板放入真空共晶炉；在预设共晶加热曲线下执行真空共晶，以使共晶钎料在真空共晶炉内溶化后，共晶模组与金属引线形成标准的钎缝。本发明通过在共晶时将引线放入共晶区域来限制钎缝的尺寸，然后通过增加原有的压力，以使钎料在共晶炉中溶化后，芯片或者模组压住引线，形成一个标准的钎缝，进而钎料在标准缝隙里润湿达到良好的共晶效果，解决共晶压力与钎料张力难平衡的问题。
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公开(公告)号：CN112420678B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011304110.9
申请日：2020-11-19
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/66 , H01L23/58
摘要： 本发明涉及电子封装技术领域，公开了一种高散热数模一体集成封装结构及其制作方法，本封装结构将高低频数模复合基板与金属基板进行一体化集成加工形成具备高散热的多功能复合基板，将复合基板的金属基与装配有低频连接器和射频连接器的金属围框之间进行焊接，再通过金属围框与盖板间的焊接形成气密封装结构，封装内部贴装数字封装器件、射频封装器件以及低功耗芯片、大功率芯片，射频电路通道间通过金属围框隔筋结构实现电磁隔离。本发明提供的封装结构具有更高的气密性，同时提高了器件的集成密度和散热效率。
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公开(公告)号：CN113770501A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110847959.9
申请日：2021-07-27
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明涉及微电子封装技术领域，具体公开了一种提升引线键合密度的楔形劈刀结构，包括刀柄、与刀柄一端连接的刀头；所述刀头设置有过孔结构，所述过孔结构包括设置在刀头上的引线过孔、以及设置在过孔结构底面上的V型结构。本发明实现线间距小于二分之一劈刀刀头宽度的高密度引线键合，键合密度提升显著。
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公开(公告)号：CN112420678A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011304110.9
申请日：2020-11-19
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/66 , H01L23/58
摘要： 本发明涉及电子封装技术领域，公开了一种高散热数模一体集成封装结构及其制作方法，本封装结构将高低频数模复合基板与金属基板进行一体化集成加工形成具备高散热的多功能复合基板，将复合基板的金属基与装配有低频连接器和射频连接器的金属围框之间进行焊接，再通过金属围框与盖板间的焊接形成气密封装结构，封装内部贴装数字封装器件、射频封装器件以及低功耗芯片、大功率芯片，射频电路通道间通过金属围框隔筋结构实现电磁隔离。本发明提供的封装结构具有更高的气密性，同时提高了器件的集成密度和散热效率。
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公开(公告)号：CN115383502A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210905069.3
申请日：2022-07-29
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： B23Q11/00
摘要： 本发明公开了一种高密度集成粘接故障元器件无碎屑返修装置及方法，该装置包括：故障元器件破除组件，所述故障元器件破除组件包括钻头和通过转动轴控制所述钻头转动的动力机构；残屑吸附组件，所述残屑吸附组件用于吸附残屑；残屑收集组件，所述残屑收集组件一端通过收集管道与所述残屑吸附组件可拆卸连通，另一端与吸附管道可拆卸连通。本发明能够实现高密度混合集成微波组件故障元器件无碎屑的经济、高效、低损伤返工返修，可满足不同尺寸产品故障元器件的返工返修。
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