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公开(公告)号：CN117855157B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410258634.0
申请日：2024-03-07
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/50 , H01L21/56
摘要： 本发明涉及封装技术领域，具体公开了一种毫米波固态功率放大器的封装结构及方法，封装结构包括设置有热沉区域且采用铝合金制备的封装主体结构、设置在封装主体结构上与封装主体结构一体成型且与封装主体结构之间不形成间隙的热沉；所述热沉呈层状结构且位于热沉区域，包括采用铝基碳化硅复合材料制备的上层结构、以及采用金刚石/铝复合材料制备且位于上层结构的底部的下层结构；以及公开了封装方法；本发明消除了热沉与封装主体结构之间的装配间隙，不但提高了射频芯片的散热通道的散热效率，降低高频传输损耗；既保证了芯片的散热通道效率和热膨胀系数匹配性，又保证了封装结构的整体可机械加工成型性和高效的镀涂性。
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公开(公告)号：CN114744438A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210506277.6
申请日：2022-05-11
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01R13/52 , H01R13/533
摘要： 本发明涉及微电子封装技术领域，具体公开了一种面向气密矩形连接器的一体化梯度材料盒体封装结构，包括设置有矩形连接器封装区和芯片安装区的主体、位于矩形连接器封装区内且与主体一体成型的调节体；所述调节体的热膨胀系数小于主体的热膨胀系数且大于矩形连接器的热膨胀系数；所述调节体上设置有用于安装气密矩形连接器的安装孔。本发明解决了微波件气密矩形连接器封装中热膨胀系数匹配、内应力降低、焊接气密、激光焊接兼容性等问题，提升了微波件的封装可靠性与集成密度。
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公开(公告)号：CN109378302A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201810972900.0
申请日：2018-08-24
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L23/373 , H01L23/367 , H01L23/498 , H01L21/48
摘要： 本发明公开了一种散热共形电路，包括散热金属芯、绝缘介质层和金属电路，其特征在于，所述散热共形电路为三维立体结构；所述绝缘介质层包被于所述散热金属芯的部分表面，所述金属电路共形设于所述绝缘介质层表面。本发明将散热金属芯与金属电路通过绝缘介质层形成一个整体，散热结构与电路共形集成，电路集成度高，体积小，可以较好满足微小型化要求。本发明采用具有高导热率的金属制造散热金属芯，且散热金属芯与产热电子器件直接接触，散热速度快，散热效果好，可满足200W/cm2以上热流密度场合的散热需求。本发明的散热共形电路无需在电路中引入任何微流道之类的复杂主动散热结构，其制造工艺简单，制造成本也远低于微流道散热电路制造成本。
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公开(公告)号：CN107302167B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201710717875.7
申请日：2017-08-21
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明提供了一种在狭小空间中替代线缆进行可靠异形互连的方法，具体方法为：根据实际应用对象设计异形互连所需要的金属壳体；对完成数模铣切加工工序的合格金属壳体去除油脂和无机污染物；通过静电喷涂、3D打印或者注塑方式在所述金属壳体内表面沉积一层绝缘介质膜；在成型好的绝缘介质膜表面采用激光微熔覆和精细刻蚀，制作设置尺寸的三维金属带线；在制作好金属带线的共形电路上焊接和/或粘接实现互连需要的元器件和连接器。与现有技术相比，能够确保微小型高密度集成电子装备内部模块与模块，分机与分机之间形成一种可靠的无线缆异形互连，实现电路和结构一体化集成，满足微小型高密度集成电子装备可靠、高效装联需求。
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公开(公告)号：CN108213633A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810025163.3
申请日：2018-01-11
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： B23K1/06 , B23K3/08 , B23K1/08 , B23K101/36
摘要： 本发明提供了一种全自动射频电缆接头钎焊装置及方法。所述装置包括传送装置、超声波辅助浸锡装置、超声波辅助钎焊装置和控制系统四个主要部分。与传统钎焊方式相比，本发明可实现射频电缆全自动钎焊，且内导体和连接器外壳一次钎焊完成。由于全程采用自动化钎焊且引入超声波辅助浸锡和钎焊，钎焊质量和效率均大幅度提高。
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公开(公告)号：CN118712070A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411203638.5
申请日：2024-08-30
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L21/48 , G06F30/20 , G16C60/00 , G06F113/26 , G06F119/08 , G06F119/14
摘要： 本发明涉及微波组件封装技术领域，公开了一种局部物理性能可调的微波件封装外壳设计及加工方法，包括以下步骤：步骤S1:根据设计图纸进行三维建模，形成外壳模型；步骤S2:在外壳模型上划分装配区；步骤S3:采用封装材料结合粉末冶金的方式制造封装坯体；封装坯体包括具有至少一个装配区的壳体本体、以及设置在装配区上的热沉；封装材料包括用于加工制造壳体本体的铝合金、用于加工制造热沉的硅铝合金和铝基碳化硅复合材料；步骤S4:对封装坯体进行精加工，获得封装体；步骤S5:对封装体进行表面镀涂，获得微波件封装外壳。根据后续装配可靠性需求，在不同的部位设计不同的封装材料，从而实现复杂微波组件的高密度可靠封装。
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公开(公告)号：CN118042762A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410141159.9
申请日：2024-01-31
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明公开了一种微波件减重密封外壳封装结构及制造方法，涉及微波件封装外壳结构设计和制造领域，其中封装结构包括：封装结构主体、过渡区域、密封区域；所述封装结构主体采用镁合金制成；所述过渡区域位于封装结构主体与密封区域之间，采用钼铜合金制成；所述密封区域采用铝合金制成；并以此提出了一种制造方法；本发明，在解决微波件封装外壳密度小于2.0g/cm3要求的同时，解决了此类封装外壳的可靠密封问题；由于采用的是局部高能束加热密封，兼顾了该类微波件微组装过程的工艺兼容性。
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公开(公告)号：CN116631955B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202310374209.3
申请日：2023-04-10
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/56
摘要： 本发明公开了一种毫米波固态功率放大器低损耗高散热的封装结构及方法，包括功放芯片和封装结构主体，所述功放芯片安装在封装结构主体的热沉区域上，所述热沉区域的材质为石墨/铜复合材料，其中石墨的含量为55％‑65％。本发明将功放芯片的热沉与封装盒体在封装材料制造时就制造成一个整体，功放芯片直接装配在封装体的热沉区域，减少了一级过渡。从而消除了功放芯片热沉与组件封装盒体组装时的界面。不但提高了射频芯片的散热通道的散热效率，同时消除了射频芯片热沉与封装盒体之间的缝隙，很大程度上改善了射频通道的传输性能，主要表现为降低高频传输损耗。
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公开(公告)号：CN108213633B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201810025163.3
申请日：2018-01-11
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： B23K1/06 , B23K3/08 , B23K1/08 , B23K101/36
摘要： 本发明提供了一种全自动射频电缆接头钎焊装置及方法。所述装置包括传送装置、超声波辅助浸锡装置、超声波辅助钎焊装置和控制系统四个主要部分。与传统钎焊方式相比，本发明可实现射频电缆全自动钎焊，且内导体和连接器外壳一次钎焊完成。由于全程采用自动化钎焊且引入超声波辅助浸锡和钎焊，钎焊质量和效率均大幅度提高。
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公开(公告)号：CN115172305A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210776473.5
申请日：2022-07-04
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L23/473 , H01L23/00 , H01L23/15 , H01L23/367 , H01L23/373
摘要： 本发明涉及微电子集成技术领域，具体公开了一种大功率SiP的板级集成散热结构，其特征在于，包括系统母板、安装在系统母板上的高热流密度SiP器件、以及位于系统母板与高热流密度SiP器件之间的焊接件。本发明有效的解决了板级集成散热效率低、大功率应用受限、与系统复杂多层布线矛盾的技术难题，相比现有技术厚度更薄，满足电子设备轻薄化的需求。
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