一种双面互连气密封装结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN115377050A

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN202210813168.9

    申请日:2022-07-12

    摘要: 本发明涉及微电子封装技术领域,旨在解决现有技术中双面互连封装结构的气密封装难的问题,提供一种双面互连气密封装结构及其制备方法,包括第一封装基板、第二封装基板、金属围框、金属微柱、裸芯片、第一封焊面、第二封焊面、第一焊球和第二焊球,用激光植球和激光局部焊接工艺将第一封装基板、金属围框、第一封焊面、第二封焊面和第二封装基板构成气密封装结构,金属微柱和裸芯片位于气密封装结构内,第一焊球和第二焊球分别在第一封装基板和第二封装基板外表面。本发明的有益效果是封装结构既能满足PoP叠层封装的需求、又能满足与印制电路板双面互连的需求,在提升集成密度的同时,保证了封装气密性。

    一种铝碳化硅电子封装盒体连接器孔的制备方法

    公开(公告)号:CN111668103B

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN202010565120.1

    申请日:2020-06-19

    IPC分类号: H01L21/48 H01L23/06

    摘要: 本发明涉及电子封装领域,公开了一种铝碳化硅电子封装盒体连接器孔的制备方法,本方法先按照设定的尺寸、结构制造碳化硅预制件,并在多孔碳化硅预制件上加工出电连接器孔、螺钉孔等机械特征;其次在孔内预填铝合金粉或块体,形成预镶嵌铝合金的碳化硅预制件;然后再采用真空气压浸渗的方式制备铝碳化硅坯体;最后,对胚体进行机械加工,将坯体加工至带电连接器孔的铝碳化硅盒体。本方法可解决铝碳化硅盒体难以机械加工电连接器孔的难题,适用于批量生产。制备的电连接器孔无铸造缺陷,无界面微观裂纹,具有良好的力学性能,可保证钎焊电连接器后盒体的气密性,可广泛用于微波集成电路、混合集成电路等需要加工电连接器孔的铝碳化硅盒体。

    一种局部镀金围框结构及其加工方法

    公开(公告)号:CN112447611A

    公开(公告)日:2021-03-05

    申请号:CN202011038810.8

    申请日:2020-09-28

    摘要: 本发明公开了一种局部镀金围框结构及其加工方法,所述局部镀金围框结构包括:金属围框;以及覆盖于金属围框上下表面和外侧面的镍金镀层。所述加工方法包括:S1,在金属基材上加工出金属围框最大外形;S2,加工出金属围框上的台阶结构;S3,在金属围框内需要镂空区域加工出线切割穿线孔;S4,进行镀镍金处理;S5,根据所述线切割穿线孔,通过线切割加工出镂空区域。本发明具有以下有益效果:1、加工工艺简单,无需手工涂覆等特殊处理工艺;2、加工成本低;3、加工周期短;4、适用于金属围框加工,可用多种金属加工制作。

    一种适用于深腔窄槽的点胶随动测高结构及方法

    公开(公告)号:CN115365075B

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202210815137.7

    申请日:2022-07-12

    IPC分类号: B05C11/10 B05C5/02

    摘要: 本发明提供了一种适用于深腔窄槽的点胶随动测高结构及方法,主要包括伺服电机、编码器、气电滑环、定子固定板、转子法兰、点胶部件和激光测高传感器;伺服电机通过定子固定板与气电滑环连接,气电滑环下方连接有转子法兰,激光测高传感器和点胶部件均固定设在转子法兰上,通过伺服电机的旋转,将激光测高传感器与点胶部件旋转至运动的方向,使得所述激光测高传感器与所述点胶部件同步旋转;点胶随动测高结构运动时,激光测高传感器根据设置好的频率采集路径上的平面高度值,并反馈给控制器,进而调整点胶部件与待点胶产品的高度。实现针对深腔窄槽的微波组件产品在点胶过程中的待点胶平面不平整问题,进行实时测高。

    一种射频产品的自动测试方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113917301A

    公开(公告)日:2022-01-11

    申请号:CN202111175495.8

    申请日:2021-10-09

    IPC分类号: G01R31/18

    摘要: 本发明公开了一种射频产品的自动测试方法,其包括:步骤一:测试控制器获取射频产品的各个绝缘子电连接器的位置信息;步骤二:测试控制器先控制带电测试探针移动接触一个绝缘子电连接器的插针,然后检测射频产品的导电腔体是否带电;若是导电腔体带电则认定该绝缘子电连接器异常并进入步骤三;若是导电腔体不带电则认定该绝缘子电连接器正常并进入步骤四:步骤三:测试控制器驱动标记装置对该异常的绝缘子电连接器进行标记,待标记完成后进入步骤四;步骤四:重复步骤二直至各个绝缘子电连接器测试完成。本发明可以自动测试射频产品的各个绝缘子电连接器的插针与导电腔体之间的绝缘性能,测试效率高。

    一种激光焊接层预制件及其和铝碳化硅盒体的制备方法

    公开(公告)号:CN111482598A

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN202010173917.7

    申请日:2020-03-13

    IPC分类号: B22F3/02 B22D23/04 H01L23/10

    摘要: 本发明公开了一种激光焊接层预制件及其和铝碳化硅盒体的制备方法,包括步骤1:制备激光焊接层预制件;步骤2:激光焊接层预制件与碳化硅预制件层压配合;步骤3:真空气压浸渗制备带激光焊接层的铝碳化硅坯体;步骤4:进行机械加工;所述激光焊接层预制件由颗粒增强的铝合金粉压制而成,具体为将所述铝合金粉置于石墨模具中,所述石墨模具包括凹模和凸模,将所述铝合金粉铺在凹模的底部,液压机经由凸模对凹模内的铝合金粉施以0.5-2MPa的压力并保压,形成激光焊接层预制件,所述颗粒增强的铝合金粉的粒径大小为10~200μm,通过在铝碳化硅盒体的上端设计出该激光焊接层,有效解决铝碳化硅盒体与盖板的激光焊接难题,保证封焊后盒体的气密性。

    一种高隔离三维集成结构及制作方法

    公开(公告)号:CN118366965A

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202410270477.5

    申请日:2024-03-11

    摘要: 本发明涉及射频电路集成技术领域,具体涉及一种高隔离三维集成结构及制作方法,集成结构包括至少三层转接板并依次叠合,转接板包括介质层,介质层上表面和下表面对应设置若干处上焊接层及下焊接层,上焊接层与下焊接层通过接地结构连接形成接地区域或通过通信结构连接形成通信区域;同一转接板上相邻通信区域或相邻接地区域之间设置隔离墙进行水平间隔,相邻转接板之间对应的接地区域或通信区域则通过隔离墙进行垂向连通。高隔离三维集成结构可实现三层转接板堆叠的高隔离电路,实现射频信号的高隔离交叉传输,提高了传输线间的隔离度,并提高三维集成系统的集成密度,有效地实现小型化、多功能、高密度的异质集成。

    一种适用于深腔窄槽的点胶随动测高结构及方法

    公开(公告)号:CN115365075A

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN202210815137.7

    申请日:2022-07-12

    IPC分类号: B05C11/10 B05C5/02

    摘要: 本发明提供了一种适用于深腔窄槽的点胶随动测高结构及方法,主要包括伺服电机、编码器、气电滑环、定子固定板、转子法兰、点胶部件和激光测高传感器;伺服电机通过定子固定板与气电滑环连接,气电滑环下方连接有转子法兰,激光测高传感器和点胶部件均固定设在转子法兰上,通过伺服电机的旋转,将激光测高传感器与点胶部件旋转至运动的方向,使得所述激光测高传感器与所述点胶部件同步旋转;点胶随动测高结构运动时,激光测高传感器根据设置好的频率采集路径上的平面高度值,并反馈给控制器,进而调整点胶部件与待点胶产品的高度。实现针对深腔窄槽的微波组件产品在点胶过程中的待点胶平面不平整问题,进行实时测高。

    一种局部镀金围框结构及其加工方法

    公开(公告)号:CN112447611B

    公开(公告)日:2022-05-31

    申请号:CN202011038810.8

    申请日:2020-09-28

    摘要: 本发明公开了一种局部镀金围框结构及其加工方法,所述局部镀金围框结构包括:金属围框;以及覆盖于金属围框上下表面和外侧面的镍金镀层。所述加工方法包括:S1,在金属基材上加工出金属围框最大外形;S2,加工出金属围框上的台阶结构;S3,在金属围框内需要镂空区域加工出线切割穿线孔;S4,进行镀镍金处理;S5,根据所述线切割穿线孔,通过线切割加工出镂空区域。本发明具有以下有益效果:1、加工工艺简单,无需手工涂覆等特殊处理工艺;2、加工成本低;3、加工周期短;4、适用于金属围框加工,可用多种金属加工制作。