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公开(公告)号：CN112086371B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010836860.4
申请日：2020-08-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/552 , H01L23/66
Abstract: 本发明公开了一种宽带射频板级互连集成方法、结构及装置，包括：步骤1，制作金属屏蔽结构；步骤2，在射频单元封装基板表面制作图形化焊盘，将所述金属屏蔽结构焊接至射频单元封装基板对应的焊盘图形区域，并预置焊点；步骤3，在射频母板表面制作图形化焊盘，该图形化焊盘与射频单元封装基板上的焊盘图形对应；步骤4，将载有金属屏蔽结构、焊点的所述射频单元封装基板与所述射频母板焊接，完成板级互连等；本发明完成宽带射频单元封装基板与射频母板的板级互连，可以改善驻波、降低传输损耗，缓解热失配，提升板级互连可靠性，满足射频、数字、接地等信号的灵活传输。
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公开(公告)号：CN115172305A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210776473.5
申请日：2022-07-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01L23/473 , H01L23/00 , H01L23/15 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明涉及微电子集成技术领域，具体公开了一种大功率SiP的板级集成散热结构，其特征在于，包括系统母板、安装在系统母板上的高热流密度SiP器件、以及位于系统母板与高热流密度SiP器件之间的焊接件。本发明有效的解决了板级集成散热效率低、大功率应用受限、与系统复杂多层布线矛盾的技术难题，相比现有技术厚度更薄，满足电子设备轻薄化的需求。
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公开(公告)号：CN112422139B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202011309593.1
申请日：2020-11-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
Abstract: 本发明公开了一种宽带下变频装置，所述下变频装置包括前端微波通道单元、采样保持单元，所述前端微波通道单元与所述采样保持单元相连；输入的微波信号进入前端微波通道单元进行放大、滤波和数控衰减处理后经采样保持单元进行采样保持，输出中频信号。本发明公开的变频装置，以更简洁的射频链路将宽频带微波信号频谱搬移至可被AD直接采样的中频信号，同时保证高线性度及带宽。
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公开(公告)号：CN113787250A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110847957.X
申请日：2021-07-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
Abstract: 本发明涉及微电子封装技术领域，具体公开了一种提升引线键合精度的楔形劈刀结构，包括刀柄、与刀柄一端连接的刀头；所述刀头上设置有键合引线过孔，所述键合引线过孔包括设置在刀头侧面的导向孔、与导向孔连通的椭圆通孔。本发明有效的限制键合引线水平方向可移动的范围，避免键合引线在键合引线过孔中发生偏移；可使键合过程中键合引线始终处于劈刀刀头端面正中；有效的提升键合引线键合的精度。
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公开(公告)号：CN113423198A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110696999.8
申请日：2021-06-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
Abstract: 本发明提供一种内嵌微型平板热管的印制电路板及其封装方法，所述封装方法包括：步骤1：制作内嵌微型平板热管的印制电路板；所述内嵌微型平板热管的印制电路板具有不布线的牺牲结构；步骤2：去除牺牲结构对应的金属芯板顶部多层布线层和金属芯板底部多层布线层，然后再加工连通微型平板热管的注液口；步骤3：通过注液口将微型平板热管与真空灌注设备相连接，然后进行抽真空，再向微型平板热管灌注冷却工质；步骤4：采用冷压封焊和激光局部封焊密封注液口；步骤5：将牺牲结构对应的金属芯板切除，得到最终的内嵌微型平板热管的印制电路板。本发明通过结合微型平板热管散热技术与印制电路板高密度集成封装技术，能够改善高热流密度散热效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112072375A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010800790.7
申请日：2020-08-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
Abstract: 本发明涉及一种具有气密封的微矩形多芯连接器，包括外壳、气密封插座；所述气密封插座包括插针、绝缘介质及转接板，所述转接板上设置阵列通孔和凸台结构，插针并排烧结在转接板的通孔内，插针与转接板之间填充绝缘介质形成气密封插座，气密封插座通过转接板上部的凸台结构定位于在外壳内部，并与外壳通过钎焊固定密封连接通过选用热膨胀系数逐级递增的材料，增加热匹配缓冲结构解决了铝盒体与微矩形多芯连接器之间的热失配问题，从而保证了电子组件封装的气密性与可靠性；通过将微矩形多芯连接器与铝盒体采用焊接安装固定，实现低频连接的高密度集成，降低了封装体积；通过本发明方法制备的微矩形连接器耐温高于220℃，工艺兼容性好。
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公开(公告)号：CN108428672A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810340528.1
申请日：2018-04-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01L23/13 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/56
CPC classification number: H01L23/13 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供一种超宽带射频微系统的陶瓷双面三维集成架构，属于超宽带射频封装技术领域。包括陶瓷基板，金属微框，正面盖板，背面盖板以及BGA焊球：所述陶瓷基板的双面均开设有用于安装芯片的腔槽，所述金属微框焊接在陶瓷基板的正面，所述正面盖板焊接在金属微框上，所述背面盖板焊接在陶瓷基板的背面腔槽上，所述陶瓷基板的背面除背面盖板以外的区域设置有BGA焊盘，BGA焊球通过BGA焊盘焊接在陶瓷基板的背面。本发明还提供所述集成架构的封装方法。本发明公开的陶瓷双面三维集成架构及封装方法，内部集成密度提升近一倍，对外互连接口及气密封装的体积占用率大大降低，同时具备结构简单、装配步骤少，是实现超宽带射频微系统三维堆叠的有效方式。
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公开(公告)号：CN117976632A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410391553.8
申请日：2024-04-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01L23/48 , H01L23/66 , H01L23/552 , H01L21/768
Abstract: 本申请的实施例提供了一种射频芯片垂直互联结构及其制作方法，涉及半导体领域。所述结构包括：芯片本体，所述芯片本体上设置有直流信号热过孔结构、接地背孔结构以及射频信号垂直传输结构；其中，所述射频信号垂直传输结构包括环状接地屏蔽结构和射频信号传输结构，所述环状接地屏蔽结构与所述射频信号传输结构同轴布置且不互相接触；所述环状接地屏蔽结构包括环状接地屏蔽结构正面PAD和环状接地屏蔽结构背面PAD，所述环状接地屏蔽结构正面PAD和所述环状接地屏蔽结构背面PAD通过贯穿所述芯片本体的金属通孔连接。申请的技术方案解决了热过孔在传输射频信号时存在的插损大、频带内增益陷坑和信号泄露等技术问题。
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公开(公告)号：CN114871957B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202210359424.1
申请日：2022-04-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: B25B9/02
Abstract: 本发明涉及微电子封装技术领域，具体公开了一种芯片共晶用精密镊子，包括两个相对设置且一端相互连接的夹臂；夹臂包括连接端、与连接端一端连接的夹持端；两个连接端远离夹持端的一端相互连接；夹持端包括与连接端连接且内侧面与连接端的内侧在同一平面上的连接部、与连接部远离连接端一侧连接的夹持部；夹持部包括与连接部连接且与连接部的内侧面在同一平面上的上凸台、与连接部连接且其内侧面与上凸台的底面相互配合形成抵接腔室的侧面抵接部；侧面抵接部的内侧面上设置有凹槽；芯片的厚度为H，上凸台的底面与凹槽远离上凸台一侧的侧面之间的距离为L1，本发明能够有效的避免芯片在夹取时出现碎边而损坏，有效的降低了芯片报废率。
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公开(公告)号：CN113241331B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110437642.8
申请日：2021-04-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/48 , G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种基于阵列散热的三维集成结构及其制备方法和分析方法，该三维集成结构包括从上至下依次堆叠的芯片层、转接板层、封装层和母板层。本发明构建从芯片到封装、再到系统的高效传热路径，实现该三维集成结构原位、实时热分析，从而减小整个系统的热衰减，提升电子系统的可靠性。
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