公开(公告)号：CN104627956B

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201510065208.6

申请日：2015-02-09

申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所

发明人： 刘晓兰 ,  党元兰 ,  庄志学

IPC分类号： B81C1/00 ,  G03F7/16

摘要： 本发明涉及RF MEMS器件制造领域，公开了一种RF MEMS器件双层光刻胶牺牲层的制备方法，主要包括用负胶进行第一牺牲层的制备、第一牺牲层的固化、用正胶进行第二牺牲层的制备、第二牺牲层的固化4个工艺步骤；其中，第二牺牲层制备过程中，用带有光刻孔的掩膜版曝光即可实现带触点悬浮结构牺牲层的制备。本发明利用双层光刻胶作牺牲层，其制备工艺简单、平坦化效果好、易于释放，并且可以方便的制备带触点悬浮结构的牺牲层。

公开(公告)号：CN104627956A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201510065208.6

申请日：2015-02-09

申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所

发明人： 刘晓兰 ,  党元兰 ,  庄志学

IPC分类号： B81C1/00 ,  G03F7/16

摘要： 本发明涉及RF MEMS器件制造领域，公开了一种RF MEMS器件双层光刻胶牺牲层的制备方法，主要包括用负胶进行第一牺牲层的制备、第一牺牲层的固化、用正胶进行第二牺牲层的制备、第二牺牲层的固化4个工艺步骤；其中，第二牺牲层制备过程中，用带有光刻孔的掩膜版曝光即可实现带触点悬浮结构牺牲层的制备。本发明利用双层光刻胶作牺牲层，其制备工艺简单、平坦化效果好、易于释放，并且可以方便的制备带触点悬浮结构的牺牲层。

公开(公告)号：CN105390403B

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201510669853.9

申请日：2015-10-13

申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所

发明人： 党元兰 ,  赵飞 ,  徐亚新 ,  梁广华 ,  刘晓兰 ,  陈雨 ,  庄志学 ,  李攀峰

IPC分类号： H01L21/48

摘要： 本发明公开了LTCC厚薄膜混合基板制造领域中的一种基板腔体填充方法—UV膜腔体填充法，包括UV膜厚度、热切成型所用的UV膜载体材料、UV膜外形尺寸、多层UV总厚度与腔体高度差等。采用本发明的技术方案，其工艺简单易行、基板腔体填充效果好。

公开(公告)号：CN105390403A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510669853.9

申请日：2015-10-13

申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所

发明人： 党元兰 ,  赵飞 ,  徐亚新 ,  梁广华 ,  刘晓兰 ,  陈雨 ,  庄志学 ,  李攀峰

IPC分类号： H01L21/48

CPC分类号： H01L21/48

摘要： 本发明公开了LTCC厚薄膜混合基板制造领域中的一种基板腔体填充方法—UV膜腔体填充法，包括UV膜厚度、热切成型所用的UV膜载体材料、UV膜外形尺寸、多层UV总厚度与腔体高度差等。采用本发明的技术方案，其工艺简单易行、基板腔体填充效果好。