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公开(公告)号:CN108231986A
公开(公告)日:2018-06-29
申请号:CN201711259894.6
申请日:2017-12-04
申请人: 丰田合成株式会社
CPC分类号: H01L33/647 , H01L21/48 , H01L21/4839 , H01L21/4842 , H01L22/32 , H01L23/3107 , H01L23/48 , H01L23/49503 , H01L23/49551 , H01L23/49558 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L23/49861 , H01L23/50 , H01L25/00 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L2933/0066
摘要: 本发明公开了一种电子装置,该电子装置包括:发热的第一元件,以及发热的第二元件;引线框架,其包括:第一部分,第一元件安装于其上;第二部分,第二元件安装于其上;以及,在第一部分与第二部分之间的高热阻部;以及树脂部,其覆盖引线框架的一部分。
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公开(公告)号:CN108155119A
公开(公告)日:2018-06-12
申请号:CN201711276009.5
申请日:2017-12-06
申请人: 三菱电机株式会社
CPC分类号: B21D28/02 , B26D1/09 , B29C33/00 , B29C39/10 , H01L21/48 , H01L21/56 , H01L21/67 , H01L23/28 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/50 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要: 在引线加工装置(1)处,半导体装置(51)配置为将封装树脂体(57)的表面(57a)朝上,外部端子(61)的凸出方向成为上方。在一方的外部端子(61)和另一方的外部端子(61)之间插入模板(5)。以与模板(5)相对的方式配置脱模板(7)。在该状态下,通过朝向模板(5),在与外部端子(61)的凸出方向交叉的方向上使冲头(41)移动,从而将连接杆(69)等切除。在模板(5)形成有供冲头(41)插穿的插穿孔(5a)。
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公开(公告)号:CN108137786A
公开(公告)日:2018-06-08
申请号:CN201680057055.3
申请日:2016-08-15
申请人: 汉高知识产权控股有限责任公司
发明人: H·蒋
IPC分类号: C08G59/02 , C08G59/18 , C08G59/16 , C08L63/00 , C09D163/00 , H01L21/56 , H01L21/48 , C08G59/20 , C08G59/24 , C08G59/50 , C08G59/42
CPC分类号: C08G59/02 , C08G59/18 , C08G59/20 , C08G59/24 , C08G59/4014 , C08G59/42 , C08G59/50 , C08G59/5033 , C08L63/00 , C09D163/00 , H01L21/48 , H01L21/563 , H01L23/293 , C08K5/09
摘要: 本发明涉及可用于助熔底部填充应用的热固性树脂组合物,特别是以预施加膜的形式。
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公开(公告)号:CN105140206B
公开(公告)日:2018-05-25
申请号:CN201410311976.0
申请日:2014-07-02
申请人: 旭德科技股份有限公司
发明人: 王朝民
IPC分类号: H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/683
CPC分类号: H05K1/0313 , H01L21/48 , H01L21/486 , H01L21/6835 , H01L23/498 , H01L23/49827 , H01L2221/68318 , H01L2924/15151 , H05K1/0298 , H05K1/114 , H05K1/115 , H05K3/007 , H05K3/46 , H05K2201/0145 , H05K2201/0154 , H05K2201/035 , H05K2201/0355 , H05K2201/09063 , H05K2203/0214 , H05K2203/1178 , Y10T156/10
摘要: 本发明公开一种基板结构及其制作方法。该基板结构包括基板以及承载器。基板包括第一贯孔、第一表面以及相对第一表面的第二表面。第一贯孔贯穿基板,以连通第一表面及第二表面。承载器包括第二贯孔、离型层、绝缘胶层以及金属层。绝缘胶层设置于离型层以及金属层之间。承载器以离型层贴附于第二表面。第二贯孔对应第一贯孔而贯穿承载器,以暴露第一贯孔。
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公开(公告)号:CN107611104A
公开(公告)日:2018-01-19
申请号:CN201710625511.6
申请日:2017-07-27
申请人: 比亚迪股份有限公司
IPC分类号: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/48
CPC分类号: H01L21/48 , H01L23/367 , H01L23/373
摘要: 本公开涉及一种散热元件及其制备方法和IGBT模组;所述散热元件包括导热体和散热本体,所述导热体为陶瓷覆铝导热体;所述散热本体为铝硅碳散热本体;所述铝硅碳散热本体上通过渗铝一体成型地结合有一个或多个陶瓷覆铝导热体;本公开还提供了上述散热元件的制备方法及含有上述散热元件的IGBT模组。本公开所述的散热元件与真空焊接得到的散热元件相比金属层具有更少的空洞,散热元件的强度更高,良品率更高,延长了使用寿命;该散热元件具有更薄的铝层,提高了散热元件的导热效率;铝的硬度较低,提高了散热元件的耐冷热冲击性能;本公开提供的散热元件各层面之间的结合面无空隙,具有更高的连接强度和热传导效率。
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公开(公告)号:CN107548357A
公开(公告)日:2018-01-05
申请号:CN201680022173.0
申请日:2016-12-23
申请人: 梵尼克斯有限公司
发明人: 崔顺本
摘要: 就本发明的印刷丝网框架固定装置而言,在没有另外的装置或者额外的组件的情况下,利用孔口来调节空气压力的供给速度,据此使得框架固定装置的张力操作部和升降操作部以间隔数秒的形式依次操作,张力操作部和升降操作部均设置于通过多个安装框架和角件的组合来形成的四角框架体形状的框架固定装置,因为是这样的结构,所以具有如下效果:安装框架的内周面积不会像现有技术一样缩小和辅助支撑架的宽度一样多的面积,因此能够尽可能扩大印刷丝网的印刷区域,同时不需要替换框架固定装置,此外,不仅不需要像现有技术一样为了分别操作升降操作部而单独地额外设置辅助支撑架、升降缸、速阀、供给装置、螺线管、管等的组装体,而且在印刷丝网单元的拆装(替换)时,能够使得操作简单化,从而使得故障最小化的同时,减少体积及重量,进而不仅便于安装,而且能够减少制造费用。
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公开(公告)号:CN106925896A
公开(公告)日:2017-07-07
申请号:CN201511026154.9
申请日:2015-12-31
申请人: 无锡华润安盛科技有限公司
摘要: 本发明公开一种散热片表面溢料处理方法,其包括:在所述散热片的周边设定打印区域;利用激光打印设备在所述打印区域进行激光打印以去除所述打印区域内的溢料;通过软化去飞边工艺进一步去除激光打印后在所述打印区域残留的溢料。这样,利用激光打印设备在所述打印区域进行激光打印以去除所述打印区域内的溢料,其比人工用刀片刮除溢料省时省力,提高了效率,设备定位也大大降低了人为返工过程中划伤到塑封体可能性。
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公开(公告)号:CN106684002A
公开(公告)日:2017-05-17
申请号:CN201611065450.4
申请日:2016-11-28
申请人: 广东美的制冷设备有限公司
IPC分类号: H01L21/48 , H01L25/065
CPC分类号: H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/49171 , H01L21/48 , H01L21/4885 , H01L25/0655
摘要: 本发明提供了一种智能功率模块的制备方法、智能功率模块和电力电子设备,其中,智能功率模块的制备方法包括:在基板的正侧形成隔离槽,以将基板划分为隔离的第一区域和第二区域;在第一区域上形成高智能功率模块,高智能功率模块包括MOSFET、IGBT和快速恢复二极管;在第二区域上形成低智能功率模块,低智能功率模块包括高速集成控制电路;在高智能功率模块和低智能功率模块之间形成邦定线。通过本发明技术方案,降低了高智能功率模块对低智能功率模块的热干扰,在不提高生产成本的前提下,进一步地提升了智能功率模块的可靠性和热稳定性。
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公开(公告)号:CN106601623A
公开(公告)日:2017-04-26
申请号:CN201610702018.5
申请日:2016-08-22
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L21/48 , H01L23/48 , H01L25/075
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L21/568 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L24/19 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2225/06527 , H01L2225/06548 , H01L2225/06558 , H01L2225/06568 , H01L2225/06586 , H01L2924/15192 , H01L23/48 , H01L21/48 , H01L25/0753
摘要: 一种半导体器件包括多个半导体管芯以及围绕堆叠的半导体管芯的电介质,多个半导体管芯垂直地堆叠以具有垂直高度。半导体器件还具有位于堆叠的半导体管芯外部以及延伸穿过电介质的导电柱。在半导体器件中,导电柱的高度大于垂直高度。本发明实施例涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号:CN105470231A
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201510990730.5
申请日:2015-12-25
申请人: 华天科技(西安)有限公司
IPC分类号: H01L23/495 , H01L21/48
CPC分类号: H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L21/4814
摘要: 本发明公开了一种采用半蚀刻工艺形成阶梯式框架引脚及其制造方法,所述框架引脚在框架背面,其上有凹槽,所述凹槽处有锡膏,该方法采用化学蚀刻的方法替代第一次切割分离,避免了物理切割引脚受力的问题,降低引脚根部分层风险,也解决了切割后引起的毛刺,导致短路的问题,具有蚀刻精度高、定位准的优点。
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