公开(公告)号：CN115719705A

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN202211472747.8

申请日：2022-11-16

申请人： 北京国联万众半导体科技有限公司 ,  中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 廖龙忠 ,  杨志虎 ,  吕鑫 ,  刘相伍 ,  陟金华 ,  张力江 ,  吴嘉兴 ,  周国 ,  付兴中 ,  商庆杰 ,  刘佳佳 ,  吕孟山

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

摘要： 本发明公开了一种高迁移率的SiC MOSFET器件及其制作方法，所述方法包括如下步骤：清洗SiC外延片，清除圆片表面沾污；在圆片表面制备掩膜，之后进行P阱离子注入。进行P+和N+的注入，注入完成后退火激活注入离子；在圆片表面淀积一层poly Si，淀积结束后在氧化，并退火，生成SiO2；刻蚀掉P+区域和N+区域多余的SiO2，露出源极区域；将电极区域进行涂胶‑曝光‑显影，之后采用溅射的方法沉积金属体系，之后去除光刻胶完成正面金属化的制作；淀积一层Si3N4保护层，隔离栅源区域，并刻蚀电极区域完成正面制作。在背面溅射金属并形成背面欧姆接触，完成背面金属电极制作。所述方法可以有效减少栅中存在的碳团簇和近界面陷阱密度，使得沟道载流子迁移率明显增高，进而使得电流能力明显提升。

公开(公告)号：CN107578989A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201710823143.6

申请日：2017-09-13

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 谭永亮 ,  刘佳佳 ,  梁东升 ,  刘相伍 ,  张力江 ,  崔玉兴

IPC分类号： H01L21/04

摘要： 本发明公开了一种N型SiC欧姆接触电极的制作方法，涉及欧姆电极的制作方法技术领域。所述方法包括如下步骤：在N型SiC圆片的上表面欧姆接触电极区进行光刻，制作欧姆接触电极的掩膜；在具有掩膜的SiC圆片的上表面依次沉积Ni层、Ti层以及Pt层，沉积结束后进行剥离工艺，去除多余的金属；在惰性气氛中进行快速热退火处理，在所述N型SiC圆片的上表面形成欧姆接触电极。所述方法使用Ni/Ti/Pt多层金属并经过退火后形成欧姆接触电极，形成的欧姆接触电极的表面形貌平整，无C颗粒析出，并且能够与N型SiC形成较好的欧姆接触。

公开(公告)号：CN114242588A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111575095.6

申请日：2021-12-21

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 刘佳佳 ,  胡泽先 ,  谭永亮 ,  吕鑫 ,  马杰 ,  刘相伍

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778

摘要： 本发明提供一种半导体器件的隔离制备方法。该方法包括：在衬底表面依次生长高阻外延层、介质膜层；对介质膜层的与有源区对应的部分进行刻蚀，露出高阻外延层；对露出的高阻外延层进行指定深度的刻蚀；在高阻外延层的刻蚀区域外延生长器件层。本发明能够通过设置高阻外延层，在高阻外延层刻蚀凹槽，在凹槽内生长器件层，高阻外延层保护器件层的侧面，减少了侧面漏电。

公开(公告)号：CN109524304A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201811392399.7

申请日：2018-11-21

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 刘佳佳 ,  樊帆 ,  高渊 ,  毕胜赢 ,  崔玉兴

IPC分类号： H01L21/324 ,  H01L29/16 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L21/3247 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42364

摘要： 本发明提供了一种碳化硅栅介质氟等离子体的处理方法及碳化硅功率器件，包括以下步骤，对圆片进行清洗；对经清洗的圆片表面进行电子回旋共振-氟等离子体处理；放入氧化炉进行氧化。本发明提供的碳化硅栅介质氟等离子体的处理方法，在碳化硅进行干氧氧化前进行含氟等离子体处理，处理后的碳化硅在低温氧化设备中可实现碳化硅氧化，一方面避免使用传统退火工艺中的有毒气体，另一方面避免了采用特定的高温氧化退火设备，保证栅介质可靠性的同时，降低了工艺与设备成本，也降低了工艺的热预算。

公开(公告)号：CN109326523A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201811391541.6

申请日：2018-11-21

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 崔玉兴 ,  刘佳佳 ,  付兴中 ,  王川宝 ,  胡多凯

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66212

摘要： 本发明提供了一种碳化硅肖特基接触的制备方法及碳化硅肖特基二极管，属于半导体制备领域，包括：在碳化硅圆片表面沉积介质保护层；在介质保护层上涂覆一层光刻胶，对肖特基接触区域进行光刻，露出需要蒸发的肖特基接触金属区域；在碳化硅圆片表面沉积多层金属，所述多层金属为先沉积金属铌，再沉积铝、镍、银、金中一种、两种或三种或其组合；金属剥离，去除非肖特基接触区域的金属，保留肖特基接触区域的金属；快速退火，形成肖特基接触。本发明提供的碳化硅肖特基接触的制备方法，能够解决现有技术中存在的肖特基接触形成的势垒高度大、损耗大等技术问题。