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公开(公告)号：CN110868173B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201910328545.8
申请日：2019-04-23
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
发明人： 李亮 , 李宏军 , 吕鑫 , 梁东升 , 刘青林 , 马杰 , 高渊 , 丁现朋 , 冯利东 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 商庆杰 , 钱丽勋 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 付兴昌
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器及滤波器。该谐振器包括衬底、下电极层、上电极层和环；其中，环设置在所述下电极层或所述上电极层的表面上。所述衬底和所述下电极层之间形成有具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上；通过设置环及腔体，使谐振器形成一种新型的谐振器结构，具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN110868174B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201910328566.X
申请日：2019-04-23
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
发明人： 李亮 , 钱丽勋 , 吕鑫 , 梁东升 , 刘青林 , 马杰 , 高渊 , 丁现朋 , 冯利东 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 商庆杰 , 李宏军 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 付兴昌
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种声学谐振器和滤波器。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；以及桥部，其与所述多层结构的末端相邻，且与所述上电极层的一部分重叠，其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上，从而形成一种新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN110868173A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910328545.8
申请日：2019-04-23
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
发明人： 李亮 , 李宏军 , 吕鑫 , 梁东升 , 刘青林 , 马杰 , 高渊 , 丁现朋 , 冯利东 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 商庆杰 , 钱丽勋 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 付兴昌
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器及滤波器。该谐振器包括衬底、下电极层、上电极层和环；其中，环设置在所述下电极层或所述上电极层的表面上。所述衬底和所述下电极层之间形成有具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上；通过设置环及腔体，使谐振器形成一种新型的谐振器结构，具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN109524298A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811392398.2
申请日：2018-11-21
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/266 , H01L21/263 , H01L29/16
CPC分类号： H01L21/28 , H01L21/263 , H01L21/266 , H01L21/283 , H01L29/1608
摘要： 本发明提供了一种碳化硅器件非合金欧姆接触的制作方法及碳化硅器件，属于半导体器件制备领域，包括：对碳化硅圆片进行清洗；在碳化硅圆片表面淀积一层介质；光刻定义P型掺杂区域；对需要P型掺杂的区域进行离子注入，并去除光刻胶；光刻定义N型掺杂区域；对需要N型掺杂的区域进行离子注入，并去除光刻胶；去除碳化硅圆片表面介质，对碳化硅圆片进行高温退火；光刻定义欧姆接触区域；金属沉积以钛打底的多层金属；金属剥离，去除多余金属，保留金属电极部分，完成非合金欧姆接触电极的制作。本发明提供的制作方法，能够解决现有技术中存在的欧姆接触电极表面形貌粗糙、易形成碳聚集及P型区域和N型区域难以同时实现良好欧姆接触的问题。
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公开(公告)号：CN108288605A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201810167625.5
申请日：2018-02-28
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48
摘要： 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种Si基GaN器件的通孔制备方法，该方法包括：分别去除晶圆上表面的AlGaN层与第一通孔区对应的部分和GaN外延层与第一通孔区对应的部分，露出Si衬底层，形成一个第一通孔；其中，所述晶圆包括Si衬底、所述Si衬底上表面的GaN外延层和所述GaN外延层上表面的AlGaN层；在所述晶圆的源电极区制作正面源电极，其中，所述源电极区包含所述第一通孔区；去除所述Si衬底与第二通孔区对应的部分，形成一个第二通孔；在所述Si衬底的下表面和所述第二通孔的顶壁和侧壁上均生长金属层，所述金属层与所述正面源电极相连。本发明能够解决Si基GaN器件难以制作通孔的问题。
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公开(公告)号：CN110868171B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201910328541.X
申请日：2019-04-23
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
发明人： 田秀伟 , 李亮 , 吕鑫 , 梁东升 , 刘青林 , 马杰 , 高渊 , 丁现朋 , 冯利东 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 商庆杰 , 李宏军 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 付兴昌
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器、晶片及谐振器制造方法。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层、上电极层和声镜对；所述上电极层和下电极层中的至少一者包括：电极层和温度补偿层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体、声镜对及温度补偿层，从而形成一种新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN115714141A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211434734.1
申请日：2022-11-16
申请人： 北京国联万众半导体科技有限公司 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/16 , H01L29/10 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种JFET注入型N沟道SiC MOSFET器件及其制备方法，所述方法包括如下步骤：在外延层上淀积第一介质层作为离子注入缓冲层；将JFET区上方的第二介质层刻蚀，刻蚀后进行JFET区离子注入；淀积第三介质层，再大面积刻蚀第三介质层并终止于第二介质层，腐蚀第二介质层，自对准形成P阱注入图形，进行P阱注入；再淀积第四介质层，对第四介质层进行光刻形成N型重掺杂源区图形，自对准形成沟道；腐蚀掉第三介质层与第四介质层，光刻形成P型重掺杂接触区，进行离子注入；热氧化形成栅介质层，通过LPCVD淀积多晶硅作栅极完成正面结构。所述方法避免了光刻精度不足，且光刻步骤少，易于精确控制沟道长度，并能够降低JFET电阻，提升器件性能。
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公开(公告)号：CN110868189A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910080487.1
申请日：2019-01-28
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器制作方法。该谐振器制作方法包括：对衬底进行预处理，形成预设厚度的介质层；对介质层的预设区域进行离子注入处理；对经过离子注入处理后的介质层进行刻蚀或腐蚀，形成牺牲材料部分；所述牺牲材料部分的形状为顶面为平面且竖截面呈桥状结构；在已形成牺牲材料部分的衬底上形成多层结构，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；去除所述牺牲材料部分。上述谐振器制作方法相对于传统的谐振器制作方法对谐振器工作区域的表面粗糙度更为容易控制。
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公开(公告)号：CN110868175A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910328580.X
申请日：2019-04-23
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
发明人： 李亮 , 李丽 , 吕鑫 , 梁东升 , 刘青林 , 马杰 , 高渊 , 丁现朋 , 冯利东 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 商庆杰 , 李宏军 , 钱丽勋 , 卜爱民 , 王强 , 付兴昌
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种具有晶种层的谐振器、滤波器及谐振器制备方法。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括晶种层、下电极层、压电层和上电极层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上，从而形成一种具有晶种层的新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN110868171A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910328541.X
申请日：2019-04-23
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
发明人： 田秀伟 , 李亮 , 吕鑫 , 梁东升 , 刘青林 , 马杰 , 高渊 , 丁现朋 , 冯利东 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 商庆杰 , 李宏军 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 付兴昌
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器、晶片及谐振器制造方法。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层、上电极层和声镜对；所述上电极层和下电极层中的至少一者包括：电极层和温度补偿层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体、声镜对及温度补偿层，从而形成一种新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
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