公开(公告)号：CN114927864B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202210495013.5

申请日：2022-05-07

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 邢思贝 ,  李枫 ,  郝志娟 ,  张越成 ,  姜兆国 ,  韦雪真 ,  叶旭宇 ,  崔明远 ,  王占利 ,  张红梅 ,  陈茂林 ,  孔宪辉 ,  王星 ,  孙荣久 ,  郝利涛

IPC分类号： H01Q1/38 ,  H01Q1/50 ,  H01Q13/18 ,  H01Q5/20 ,  H01Q5/50

摘要： 本发明提供了一种自双工天线，包括由上层介质基板和下层介质基板形成的堆叠结构、设置在上层介质基板和下层介质基板之间的金属层以及设置在上层介质基板上表面的方形覆铜区域，方形覆铜区域刻蚀有条状缝隙和金属通孔阵列，条状缝隙与方形覆铜区域的对角线平行，且条状缝隙一端开口、一端闭合，金属通孔阵列分布于方形覆铜区域远离条状缝隙的两边；通过条状缝隙和金属通孔阵列构成1/4模基片集成波导，相比较其他基于SIW和HMSIW结构设计的自双工天线，本发明能够有效减小天线的尺寸。

公开(公告)号：CN114927864A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210495013.5

申请日：2022-05-07

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 邢思贝 ,  李枫 ,  郝志娟 ,  张越成 ,  姜兆国 ,  韦雪真 ,  叶旭宇 ,  崔明远 ,  王占利 ,  张红梅 ,  陈茂林 ,  孔宪辉 ,  王星 ,  孙荣久 ,  郝利涛

IPC分类号： H01Q1/38 ,  H01Q1/50 ,  H01Q13/18 ,  H01Q5/20 ,  H01Q5/50

摘要： 本发明提供了一种自双工天线，包括由上层介质基板和下层介质基板形成的堆叠结构、设置在上层介质基板和下层介质基板之间的金属层以及设置在上层介质基板上表面的方形覆铜区域，方形覆铜区域刻蚀有条状缝隙和金属通孔阵列，条状缝隙与方形覆铜区域的对角线平行，且条状缝隙一端开口、一端闭合，金属通孔阵列分布于方形覆铜区域远离条状缝隙的两边；通过条状缝隙和金属通孔阵列构成1/4模基片集成波导，相比较其他基于SIW和HMSIW结构设计的自双工天线，本发明能够有效减小天线的尺寸。