公开(公告)号：CN115333488A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202210880328.1

申请日：2022-07-25

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 张晓帆 ,  高永辉 ,  斛彦生 ,  银军 ,  倪涛 ,  余若祺 ,  徐守利 ,  赵路阳 ,  林正兆

IPC分类号： H03F1/42 ,  H03F1/56 ,  H03F3/195 ,  H03F3/213

摘要： 本发明提供一种超宽带大功率放大器及发射器，其中功率放大器，包括：信号输入端，用于接收输入信号；输入匹配网络，一端与信号输入端连接，另一端与GaN功率放大芯片的栅极连接，用于对GaN功率放大芯片的栅极和信号输入端之间的阻抗进行匹配；输出匹配网络，一端与GaN功率放大芯片的漏极连接，另一端与信号输出端连接，用于超宽频带内的阻抗匹配；输入偏置网络，包括滤波电容，一端与GaN功率放大芯片的栅极连接，另一端与外部的栅极电源连接，用于对栅极电源进行滤波以及旁路处理；输出偏置网络，包括滤波电容，一端与GaN功率放大芯片的漏极连接，另一端与外部的漏极电源连接，用于对漏极电源进行滤波以及旁路处理。该功率放大器的频率可覆盖0.2G～2GHz。

公开(公告)号：CN114121848A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111256743.1

申请日：2021-10-27

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 高永辉 ,  徐守利 ,  银军 ,  夏达 ,  顾颖言 ,  蔡晓波 ,  张晓帆 ,  赵景波 ,  默江辉 ,  翟岐 ,  段雪 ,  杨光晖

IPC分类号： H01L23/427 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/00

摘要： 本发明提供了一种低频大功率器件金属陶瓷管壳封装，包括类矩形的金属热沉、陶瓷封装体，以及功率器件；金属热沉的两端分别设有连接部，两个连接部之间嵌装有热相变材料层；陶瓷封装体的底壁上设有第一散热部，第一散热部与相变材料层位置对应；功率器件与陶瓷封装体的内底壁贴合，且位于第一散热部的正上方；其中，第一散热部用于将功率器件散发的热量传导至热相变材料层，进而热传递至金属热沉与外界进行热交换；金属热沉上位于陶瓷封装体和两个连接部之间的区域均设有应力缓释部。本发明提供的一种低频大功率器件金属陶瓷管壳封装，能够从克服机械应力问题和散热问题两个方面共同提高功率器件的长期使用可靠性。

公开(公告)号：CN216698334U

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202122601268.9

申请日：2021-10-27

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 高永辉 ,  徐守利 ,  银军 ,  夏达 ,  顾颖言 ,  蔡晓波 ,  张晓帆 ,  赵景波 ,  默江辉 ,  翟岐 ,  段雪 ,  杨光晖

IPC分类号： H01L23/06 ,  H01L23/10 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

摘要： 本实用新型提供了一种密封功率器件金属陶瓷管壳，包括类矩形的金属热沉和陶瓷封装；金属热沉的两端分别设有连接部；陶瓷封装沿金属热沉的长轴方向设于金属热沉上，且位于两个连接部之间，具有适于封装功率器件的气密腔；其中，陶瓷封装于功率器件的安装位上设有散热部，散热部用于将功率器件散发的热量传递至金属热沉上，金属热沉上位于陶瓷封装和两个连接部之间的两个位置上均设有应力缓释部。本实用新型提供的一种密封功率器件金属陶瓷管壳，能够避免陶瓷封装及功率器件受到应力拉扯而破裂，且散热性能好，从而能够提高功率器件的长期使用可靠性。