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公开(公告)号：CN109408974B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN201811278057.2
申请日：2018-10-30
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G06F30/36
摘要： 本发明适用于功率器件技术领域，提供了一种功率器件制备方法，本方法将所述预失真电路和所述阻抗变换器集成形成单片微波集成电路，并结合功率芯片内匹配设计实现高线性度功率器件，有效解决了采用常规方法设计的功率器件存在大功率、高效率应用时线性度不足及小型化困难的问题，显著提高了功率器件的线性度，大大缩小了电路尺寸，可有效减小通信电子系统固态功率放大器等组件产品的体积和重量。
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公开(公告)号：CN110137092B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910353871.4
申请日：2019-04-29
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L21/329 , H01L29/872 , H01L23/29 , H01L23/367 , H01L23/488
摘要： 本发明适用于半导体及微电子技术领域，提供了一种功率半导体器件制作方法及功率半导体器件，包括：对基板双面金属化，其中基板正面形成三个金属化区域，并在所述基板的正面三个金属化区域表面分别粘接热沉片；将所述基板的背面粘接在金属外壳内腔底面上，并对粘接有所述基板的所述金属外壳进行烧结；设置玻璃绝缘子；在所述基板的中间位置的热沉片上粘接芯片，并对所述芯片进行烧结；电连接所述芯片与两侧热沉片；在所述芯片表面涂覆绝缘胶，并对所述金属外壳进行密封。从而形成一种具有特殊结构布局的功率半导体器件，布局合理，易于实现多芯片并联布局，键合金带操作简单，寄生电感及寄生电阻小，稳定性及可靠性均得到了很好的提升。
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公开(公告)号：CN116190368A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310079855.7
申请日：2023-02-06
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/057
摘要： 本发明提供了一种超大功率的X波段内匹配功率管，属于微波技术领域，包括封装管壳、管芯台、高压GaN管芯、输入匹配电路及输出匹配电路，管芯台封装于所述封装管壳内；高压GaN管芯设置于所述管芯台上，高压GaN管芯工作电压为70～100V；输入匹配电路封装于所述封装管壳内，且与高压GaN管芯键合连接；输出匹配电路封装于封装管壳内，且与高压GaN管芯键合连接。本发明通过匹配电路与管芯台结构设计，提高生产便利性，实现输出功率达到千瓦级别的超大功率X波段内匹配功率管，极大的提高了目前X波段GaN功率管的性能水平。
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公开(公告)号：CN116582094A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310449761.4
申请日：2023-04-24
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种P波段宽带放大器输出内匹配网络。该输出内匹配网络包括第一微带线、第二微带线、多个匹配电容和隔直电容，第一微带线与多个匹配电容形成LC匹配网络，第二微带线与隔直电容形成隔直网络；第一微带线的一端作为LC匹配网络的输入端，另一端作为LC匹配网络的输出端；多个匹配电容的第一端均与第一微带线连接，第二端均接地；隔直电容的第一端作为输入端，另一端与第二微带线的一端连接，第二微带线的另一端作为输出端；LC匹配网络的输出端与隔直网络的输入端连接；其中，多个匹配电容均为陶瓷电容，多个匹配电容的陶瓷基板的材质均为钛酸锆。本发明中匹配电容的材质采用钛酸锆，能够压缩匹配电路的尺寸，达到放大器小型化的目的。
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公开(公告)号：CN115188755A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210713676.X
申请日：2022-06-22
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本申请适用于微波射频功率管及模块组件技术领域，提供了电源调制管理压块及其制备方法，该压块包括：压块盖板、电源管理电路元器件、电源管理电路板、电容、MOS管、电容电路板、MOS管电路板和压块壳体；压块壳体外侧设置有用于固定电源调制管理压块的多个螺丝孔洞，压块壳体内侧设置有用于对电源管理电路板进行支撑和接地的凸起，压块壳体下部具有用于固定功率管的功率管固定空腔，压块盖板位于压块壳体上方。本申请可以解决调制电路体积过大问题，还可以实现对功率器件的固定，有效提高功率模块的工作可靠性和小型化。
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公开(公告)号：CN107293521A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710393310.8
申请日：2017-05-27
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种实现L波段器件50Ω阻抗匹配的方法，涉及L波段器件匹配电路技术领域。所述方法包括如下步骤：在L波段器件的封装壳体内采用介电常数为30-50的陶瓷基片作为衬底材料，通过T型网络将芯片的虚部阻抗抵消，实部阻抗提高到5Ω-8Ω，然后采用多枝节阻抗匹配网络匹配到50Ω，实现器件的阻抗匹配。所述方法采用高介电常数的陶瓷基片制作多枝节匹配电路，通过阻抗匹配将器件输入输出阻抗变换提升到50Ω，显著缩小器件内匹配电路尺寸。
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公开(公告)号：CN114976824B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202210406751.8
申请日：2022-04-18
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01S1/02
摘要： 本发明提供一种宽带稳频的光电振荡器。该光电振荡器包括：包括激光模块、声光移频模块、相位调制模块、平衡光电探测模块、振荡反馈模块、PID反馈模块和射频振荡器；激光模块、声光移频模块、相位调制模块、平衡光电探测模块和振荡反馈模块构成光电振荡环路；激光模块、声光移频模块、相位调制模块、平衡光电探测模块PID反馈模块和射频振荡器构成锁频锁相环路。本发明能够实现光电振荡器的宽带稳频输出。
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公开(公告)号：CN113395056B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202110656500.0
申请日：2021-06-11
申请人： 西安交通大学 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H03K3/02
摘要： 本发明公开了一种快前沿大电流脉冲调制器电路及脉冲调制器，该大电流脉冲调制器电路包括电流源单元、开关单元、储能单元和负载单元，所述的开关单元由一组或者多组半导体开关组成，所述得电流源可以为恒流源或者脉冲电流源，所述的电流源其峰值电流高于工作时的脉冲电流。本发明提出一种快前沿大电流脉冲调制器，其由电流源单元和开关单元所构成。电流源单元在主开关单元动作前在极短时间内对负载施加一较高幅值的脉冲电流，使负载两端电压快速提升至额定电压，从而获得快前沿脉冲，采用此种方法可以在负载两端获得远小于30ns的脉冲前沿。
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公开(公告)号：CN115910954A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211356642.6
申请日：2022-11-01
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L23/473 , H01L23/467 , H01L23/373 , H01L21/52 , H01L21/48 , B81C1/00
摘要： 本发明提供了一种基于微流道散热器的微波功率器件的封装结构及制备方法，属于微电子封装技术领域，包括微波封装管壳、金属基微流道散热器以及芯片和电路模块，微波封装管壳包括底板、固设于底板上的墙体以及封装于墙体上的盖板。金属基微流道散热器包括微流道载板、冷媒进管和冷媒出管；微流道载板内设有微流道，冷媒进管和冷媒出管连接于微流道的进口和出口，微流道载板固定于底板上，冷媒进管和冷媒出管外露在微波封装管壳的外面。芯片和电路模块封装于微流道载板上。本发明将芯片和电路模块直接组装在微流道载板上，可以实现导热性、可加工性、导电性，提升微波封装管壳的散热效果。
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公开(公告)号：CN115483890A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211129592.8
申请日：2022-09-16
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种微波功率器件及设计方法。该器件包括：输入匹配电路和功率芯片。输入匹配电路的输出端连接功率芯片的输入端。功率芯片的输出端连接微波功率器件的输出端。输入匹配电路包括依次连接的主匹配电容、匹配电阻和次匹配电容。主匹配电容的输入端作为输入匹配电路的输入端。次匹配电容的输出端作为输入匹配电路的输出端。其中主匹配电容的电容值大于次匹配电容的电容值。本发明通过依次连接的主匹配电容、匹配电阻和次匹配电容，将匹配电阻设于主匹配电容与次匹配电容之间，匹配电阻距离功率芯片的位置更近，匹配电阻的阻值更小，降低了匹配电阻的功率损耗，提升了功率器件的效率和增益系数。
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