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公开(公告)号：CN103364752B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201310306006.7
申请日：2013-07-19
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R35/00
摘要： 本发明公开了一种在片负载牵引测量系统的现场校准方法。本校准方法首先制作反射系数覆盖0.1到0.8的失配衰减单片作为传递标准件，然后用在片校准过的矢量网络分析仪对传递标准件进行定标测量，得到传递标准件的标准转换增益GT(S)及其定标不确定度，接着用定标后的传递标准件对在片负载牵引测量系统进行转换增益参数校准，完成负载牵引测量系统量值溯源工作。本校准技术可以对在片负载牵引系统的性能指标进行全面、真实的校准，给出校准偏差△GT,并且能够定量的给出在片负载牵引测量系统的测量不确定度，对实现负载牵引测量系统的量值统一有所帮助，为功率单片电路的研制、生产提供了计量技术支撑。
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公开(公告)号：CN104866902A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510323649.1
申请日：2015-06-12
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种用于太赫兹有源器件的神经网络建模方法，涉及太赫兹器件建模方法技术领域。所述方法在单纯神经网络建模的基础上加上空间映射的方法，将粗模型的输入电压通过神经网络映射到最终的精确模型的输入电压，由太赫兹有源器件的粗模型、输入端的神经网络修正模块、输出端的神经网络修正模块以及各个流控电流源和流控电压源等构成。所述方法针对传统经验模型在太赫兹频段的缺陷，通过神经网络的学习，自动地映射新、旧模型的输入和输出关系以修正粗模型，使得新模型与器件在太赫兹频段的测量特性相吻合，得到适用于太赫兹频段的神经网络模型，且新模型可定标。
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公开(公告)号：CN104865421A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510323002.9
申请日：2015-06-12
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R1/04
摘要： 本发明公开了一种在片微波探针测试夹具及在片微波探针测试方法，涉及微波在片测试方法技术领域。所述测试夹具包括第一测试PAD、第二测试PAD、第三测试PAD、第一对位标记、第二对位标记、第三对位标记和第四对位标记。所述测试方法使用上述测试夹具，通过测试夹具上的对位标记，在测试的过程中能够保证被测件的参考面与校准件的测量参考面相一致，从而避免探针扎针的不一致性导致额外的误差引入，提高了测量的精确度。
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公开(公告)号：CN104865453B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201510323003.3
申请日：2015-06-12
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种太赫兹在片散射参数测量校准件及其制备方法，涉及太赫兹器件散射参数测试装置技术领域。所述校准件包括衬底，所述衬底的上表面制作有一个直通标准件、一个反射标准件和至少一个传输线标准件，所述衬底的下表面制作有背面金属层，所述衬底作为整个校准件和被测件的共同衬底。所述校准件不仅可以解决衬底和被测件衬底不匹配的问题，提高了测量的精确度，还可以将校准后的参考平面移到管芯根部，不需要做去嵌入处理，并且采用共面波导结构还可以减小损耗。
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公开(公告)号：CN102023238B
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201010530694.1
申请日：2010-11-04
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种用于SiC MESFET直流测试的夹具，属于场效应晶体管测试领域。其包括布有滤波电路的PCB板和承载所述PCB板的金属板；所述金属板设有用于固定被测SiCMESFET器件的凹槽，所述PCB板设有与上述凹槽对应的通孔；所述滤波电路包括栅极滤波电路和漏极滤波电路，所述栅极滤波电路和漏极滤波电路的输出端分别通过偏置线与栅极传输线和漏极传输线连接，所述栅极传输线和漏极传输线的一端分别设有与被测SiC MESFET器件的栅极和漏极连接的触点，所述栅极传输线和漏极传输线的另一端分别设有防自激模块。本发明通过防自激模块，可以消除器件自激现象；提高了器件的测试效率，同时为器件特性的表征积累了宝贵数据。
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公开(公告)号：CN101692427B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200910075552.8
申请日：2009-09-28
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种带有胞间平衡电阻的大栅宽SiC MESFET制作方法，主要在SiC MESFET制作过程中，加入胞间平衡电阻的制作步骤，最终在大栅宽SiC MESFET管芯的输入输出端各设置一个胞间平衡电阻。该胞间平衡电阻的制作方法简单，易于加工，在SiC MESFET制作过程中引入胞间平衡电阻后，可以提高SiC MESFET的成品率，能制造出性能稳定，可靠性高的大栅宽SiC MESFET，从而提高SiCMESFET的输出功率。
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公开(公告)号：CN116780142A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310732397.2
申请日：2023-06-20
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种V波段的微带线波导转换结构、制备方法及应用，其中，结构包括顶层金属层、中间介质层和底层金属层；顶层金属层上靠近微带线波导转换结构的微带线连接处设有一传输线接口区，且传输线接口区上未设有金属层；底层金属层在远离顶层金属层的一面，且靠近微带线波导转换结构的波导连接处设有与待连接波导形状相适配的波导接口区，在远离波导接口区处设有一传输转换区，且波导接口区和传输转换区上均未设有金属层；在中间介质层上设有多个实心金属通孔，实心金属通孔用于互联顶层金属层和底层金属层，多个实心金属通孔位于传输线接口区和波导接口区的外围。本发明提供的V波段的微带线波导转换结构可以实现对微波有源器件的气密性封装。
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公开(公告)号：CN109164406B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201811283843.1
申请日：2018-10-31
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R35/00
摘要： 本发明适用于微波测量及校准技术领域，提供了一种测试夹具的散射参数提取方法，包括：根据被测微波功率器件的封装形式，制作不包括馈线的TRL校准件，并计算所述TRL校准件的传输矩阵参数；根据微波功率器件的封装形式及工作频段，制作测试夹具；将所述测试夹具与所述TRL校准件级联，并根据TRL校准件的传输矩阵参数计算测试夹具的散射参数。本发明能够利用已知散射参数的不包含馈线的TRL校准件夹具与测试夹具直接级联测试，可快速准确的提取测试夹具的散射参数，从而无需重新制作基于新测试夹具且包含馈线的TRL校准件，减小了测试夹具散射参数的误差。
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公开(公告)号：CN108268705A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201711486767.X
申请日：2017-12-30
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明适用于微波电路技术领域，提供了微波电路非线性模型建立方法、测量系统及终端设备。该方法包括：在输出端口的反射系数为第一固定值时，调节输入端口的入射功率波大小，获取输出端口的入射功率波和出射功率波，以及输出端口的入射功率波和出射功率波；在输出端口的反射系数为第二固定值时，调节输入端口的入射功率波大小，获取输出端口的入射功率波和出射功率波，以及输出端口的入射功率波和出射功率波；根据输出端口的负载阻抗、输出端口的入射功率波和出射功率波以及输入端口的入射功率波和出射功率波，建立被测件的非线性模型。上述方法能够减少模型参数的个数，降低模型参数提取的难度。
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公开(公告)号：CN107315098A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710392364.2
申请日：2017-05-27
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R1/067
摘要： 本发明公开了一种微波共面测试探针及其制作方法，属于微波通讯器件技术领域。本发明包括同轴设置的外导体和内导体，在外导体和内导体之间设有绝缘层，外导体的端部设有转接器，内导体向外延伸形成信号线触头，外导体向外延伸形成两个地线触头，两个地线触头相对于信号线触头对称。该探针具有制作简单、成本低廉、维修便利的特点。
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