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公开(公告)号：CN114721098A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210164043.8
申请日：2022-02-22
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G02B6/42 , H01L31/0232 , H01L31/0203 , H01L31/18
摘要： 本发明提供一种光电耦合器件，包括管壳基板、光芯片、光学元件和连接支架，连接支架位于管壳基板和光学元件之间。其明热塑性粘固材料受热熔化变形过程中，光学元件的偏移量较小，偏移量可控性更强，继而实现精准耦合。本发明还提供一种光电耦合器件制造方法，能实现精准耦合，同时，相比于传统的光电耦合中采用激光焊接等方式，该方法操作简单，相较于其他光电耦合过程，操作难度更低，操作过程中的参数少且易控制，重复性较好，有利于实现自动化生产，生产效率较高。
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公开(公告)号：CN101764060B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200910263949.X
申请日：2009-12-31
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/331
摘要： 本发明公开了一种利用复合掩模版制备微波功率器件的方法，该方法采用选择性氧化技术和表面平坦化技术实现芯片场区和有源区处于同一焦平面，实现等平面结构；采用同一块复合掩模版进行光刻，刻蚀形成发射区和基极欧姆接触区的掺杂窗口，然后完成发射区和基极欧姆接触区掺杂，同时结合侧墙保护技术实现双极器件芯片发射极和基极自对准。该方法实现了亚微米、深亚微米图形的光刻工艺，并且通过一次光刻工艺使得发射区和基极欧姆接触区的间距相等，从而达到提高微波功率器件的微波性能目的。
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公开(公告)号：CN114721098B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210164043.8
申请日：2022-02-22
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G02B6/42 , H01L31/0232 , H01L31/0203 , H01L31/18
摘要： 本发明提供一种光电耦合器件，包括管壳基板、光芯片、光学元件和连接支架，连接支架位于管壳基板和光学元件之间。其明热塑性粘固材料受热熔化变形过程中，光学元件的偏移量较小，偏移量可控性更强，继而实现精准耦合。本发明还提供一种光电耦合器件制造方法，能实现精准耦合，同时，相比于传统的光电耦合中采用激光焊接等方式，该方法操作简单，相较于其他光电耦合过程，操作难度更低，操作过程中的参数少且易控制，重复性较好，有利于实现自动化生产，生产效率较高。
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公开(公告)号：CN103490743B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201310428936.X
申请日：2013-09-22
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器和滤波器，属于谐振器和滤波器领域。本发明包括低阻硅的衬底、设于衬底上、且与衬底之间设有空气隙的支撑层，在支撑层上设有由下电极、压电层和上电极组成的三明治结构，在支撑层和压电层或仅在支撑区上设有金属化通孔，在低阻硅衬底的底面设有电极引出层，上电极或下电极通过金属化通孔与电极引出层电连通。本发明的谐振器将谐振器的上电极或下电极转移到衬底的背面，实现了电极在物理结构上的直接接地；利用这种谐振器组成的滤波器避免了键合引线带来的接地电感的影响，接地性能不受键合引线长短的影响，可实现滤波器装配后的性能与理想接地时的性能基本一致；并且在接地电路中不需加入任何其他元件，操作简单、方便。
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公开(公告)号：CN103490743A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310428936.X
申请日：2013-09-22
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器和滤波器，属于谐振器和滤波器领域。本发明包括低阻硅的衬底、设于衬底上、且与衬底之间设有空气隙的支撑层，在支撑层上设有由下电极、压电层和上电极组成的三明治结构，在支撑层和压电层或仅在支撑区上设有金属化通孔，在低阻硅衬底的底面设有电极引出层，上电极或下电极通过金属化通孔与电极引出层电连通。本发明的谐振器将谐振器的上电极或下电极转移到衬底的背面，实现了电极在物理结构上的直接接地；利用这种谐振器组成的滤波器避免了键合引线带来的接地电感的影响，接地性能不受键合引线长短的影响，可实现滤波器装配后的性能与理想接地时的性能基本一致；并且在接地电路中不需加入任何其他元件，操作简单、方便。
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公开(公告)号：CN101764060A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910263949.X
申请日：2009-12-31
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/331
摘要： 本发明公开了一种利用复合掩模版制备微波功率器件的方法，该方法采用选择性氧化技术和表面平坦化技术实现芯片场区和有源区处于同一焦平面，实现等平面结构；采用同一块复合掩模版进行光刻，刻蚀形成发射区和基极欧姆接触区的掺杂窗口，然后完成发射区和基极欧姆接触区掺杂，同时结合侧墙保护技术实现双极器件芯片发射极和基极自对准。该方法实现了亚微米、深亚微米图形的光刻工艺，并且通过一次光刻工艺使得发射区和基极欧姆接触区的间距相等，从而达到提高微波功率器件的微波性能目的。
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公开(公告)号：CN111565031A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010268792.6
申请日：2020-04-08
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H03G11/02
摘要： 本发明适用于无线电技术领域，提供了一种吸收式限幅器，包括电桥、第一限幅模块、第二限幅模块、第一负载模块和第二负载模块；所述电桥的输入端口为所述吸收式限幅器的输入端口，所述电桥的隔离端口为所述吸收式限幅器的输出端口；所述电桥的耦合输出端口连接所述第一限幅模块的输入端，所述电桥的直通输出端口连接所述第二限幅模块的输入端，所述第一限幅模块的输出端与所述第一负载模块的输入端连接，所述第二限幅模块的输出端与所述第二负载模块的输入端连接，所述第一负载模块和所述第二负载模块均接地。本申请采用一个电桥的输入端口作为吸收式限幅器的输入，隔离端口作为吸收式限幅器的输出，简化了电路结构，降低了插入损耗和泄露功率。
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公开(公告)号：CN212343741U
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202020499024.7
申请日：2020-04-08
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H03G11/02
摘要： 本实用新型适用于无线电技术领域，提供了一种吸收式限幅器，包括电桥、第一限幅模块、第二限幅模块、第一负载模块和第二负载模块；所述电桥的输入端口为所述吸收式限幅器的输入端口，所述电桥的隔离端口为所述吸收式限幅器的输出端口；所述电桥的耦合输出端口连接所述第一限幅模块的输入端，所述电桥的直通输出端口连接所述第二限幅模块的输入端，所述第一限幅模块的输出端与所述第一负载模块的输入端连接，所述第二限幅模块的输出端与所述第二负载模块的输入端连接，所述第一负载模块和所述第二负载模块均接地。本申请采用一个电桥的输入端口作为吸收式限幅器的输入，隔离端口作为吸收式限幅器的输出，简化了电路结构，降低了插入损耗和泄漏功率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN203457118U
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201320581111.7
申请日：2013-09-22
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本实用新型公开了一种薄膜体声波谐振器和滤波器，属于谐振器和滤波器领域。本实用新型包括低阻硅的衬底、设于衬底上、且与衬底之间设有空气隙的支撑层，在支撑层上设有由下电极、压电层和上电极组成的三明治结构，在支撑层和压电层或仅在支撑区上设有金属化通孔，在低阻硅衬底的底面设有电极引出层，上电极或下电极通过金属化通孔与电极引出层电连通。本实用新型的谐振器将谐振器的上电极或下电极转移到衬底的背面，实现了电极在物理结构上的直接接地；利用这种谐振器组成的滤波器避免了键合引线带来的接地电感的影响，接地性能不受键合引线长短的影响，可实现滤波器装配后的性能与理想接地时的性能基本一致；并且在接地电路中不需加入任何其他元件，操作简单、方便。
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公开(公告)号：CN213461693U
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202022217578.6
申请日：2020-09-30
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H03H7/01
摘要： 本实用新型提供了一种立体LC滤波器，该立体LC滤波器应用于半导体集成技术领域，包括：通过BGA植球封装集成的第一基板和第二基板；所述第一基板上设有电容元件，所述第二基板上设有电感元件，所述电容元件和所述电感元件通过所述BGA植球连接构成LC滤波器。本实用新型利用3D立体电路提高了LC滤波器的集成度，实现了小型化，同时采用的都是分立的集总电容电感元件，其Q值高，可调试，可使LC滤波器工作在频率低端，实现高性能高抑制的窄带滤波器特性。
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