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公开(公告)号：CN112687638A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011551795.7
申请日：2020-12-24
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/48 , H01L21/768
摘要： 本发明提供了一种立式互联金属陶瓷封装外壳、器件及制备方法，立式互联金属陶瓷封装外壳包括下陶瓷基板、上陶瓷基板、金属墙和盖板；下陶瓷基板上设有第一金属柱，下陶瓷基板的上表面用于生长金属墙；上陶瓷基板上设有第二金属柱，上陶瓷基板的下表面与下陶瓷基板的上表面对称设置；金属墙包括用于芯片侧装的多个第一金属侧墙、以及第二金属侧墙，第一金属侧墙与对应的第二金属侧墙形成一侧面开口的芯片密封腔；盖板包括用于密封芯片密封腔的开口的侧盖板。立式互联金属陶瓷封装器件包括：将封装的芯片焊接在立式互联金属陶瓷封装外壳内的芯片密封腔内，然后焊接盖板。本发明在单个封装内实现了多频收发甚至多频多通道收发。
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公开(公告)号：CN110797620A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911005395.3
申请日：2019-10-22
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明属于无线电技术领域，涉及一种3dB电桥及其制备方法。所述电桥包括：输入端口、直通端口、耦合端口、隔离端口、第一平行微带线、第二平行微带线、介质基片和金属垫片；第一平行微带线呈正U字形，第二平行微带线呈倒U字形，两者呈叉指结构耦合并设置在介质基片的正面上；第一平行微带线的第一端与输入端口连接，第二端与直通端口连接，第二平行微带线的第一端与耦合端口连接，第二端与隔离端口连接；介质基片的背面设置缺陷地结构；金属垫片设置在介质基片的背面，且设置与缺陷地结构的位置和图形均相同的开槽结构。本发明尺寸小，插入损耗小，有效提高电桥的耐功率能力，提高产品可靠性。
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公开(公告)号：CN118089933A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410035789.8
申请日：2024-01-09
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本申请适用于光电技术领域，提供了一种匹配电路、光电探测器和匹配电路确定方法。该匹配电路包括：第一电容、第二电容和第一电感；第一电容的一端连接光电探测器中光电二极管的负极，第一电容的另一端接地；第二电容的一端连接光电二极管的正极，第二电容的另一端作为光电探测器的射频输出端口；第一电感的一端连接光电二极管的正极，第一电感的另一端接地。本申请实施例提供的感性负载的匹配电路，可以实现对光电探测器中光电二极管的直流短路，提高光电二极管的饱和输入光功率，以及实现射频信号的高阻抗特性，降低光电探测器的射频输出端口的损耗，从而，提高光电探测器的射频信号的输出功率，满足光电探测器的应用需求。
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公开(公告)号：CN112687638B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202011551795.7
申请日：2020-12-24
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/48 , H01L21/768
摘要： 本发明提供了一种立式互联金属陶瓷封装外壳、器件及制备方法，立式互联金属陶瓷封装外壳包括下陶瓷基板、上陶瓷基板、金属墙和盖板；下陶瓷基板上设有第一金属柱，下陶瓷基板的上表面用于生长金属墙；上陶瓷基板上设有第二金属柱，上陶瓷基板的下表面与下陶瓷基板的上表面对称设置；金属墙包括用于芯片侧装的多个第一金属侧墙、以及第二金属侧墙，第一金属侧墙与对应的第二金属侧墙形成一侧面开口的芯片密封腔；盖板包括用于密封芯片密封腔的开口的侧盖板。立式互联金属陶瓷封装器件包括：将封装的芯片焊接在立式互联金属陶瓷封装外壳内的芯片密封腔内，然后焊接盖板。本发明在单个封装内实现了多频收发甚至多频多通道收发。
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公开(公告)号：CN110707406B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201910841694.4
申请日：2019-09-06
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01P5/08
摘要： 本发明适用于微波毫米波电路技术领域，提供了一种微带线垂直过渡结构与微波器件，该结构包括：金属盒体上开有一贯穿上下侧面的过渡腔体；金属盒体置于两个微带探针装置之间，与每个微带探针装置的背面连接，且每个微带探针装置背面设置的带状线探针的位置与过渡腔体的位置对应，使微波信号从一个微带探针装置正面设置的微带线通过微带线上的第一信号盲孔过渡到介质内部传输线，再通过与介质内部传输线连接的第二信号盲孔过渡到带状线探针后在过渡腔体中进行垂直过渡到对侧的微带探针装置上的带状线探针上，微带线垂直过渡结构的结构简单、易于装配、方便调试，并且可以实现高频、低损耗、小型化的微波毫米波垂直过渡结构。
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公开(公告)号：CN118199630A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410219625.0
申请日：2024-02-28
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种温度测量补偿电路及相干布居数囚禁原子钟。其中，该补偿电路包括：温度测量电路、MCU电路和磁场控制电路；温度测量电路连接MCU电路，MCU电路连接磁场控制电路；温度测量电路测量相干布居数囚禁原子钟内部的实际温度，并将实际温度对应的第一电压输入至MCU电路，MCU电路基于第一电压，确定补偿磁场量，并将补偿磁场量对应的第二电压输入至磁场控制电路，磁场控制电路根据第二电压，对相干布居数囚禁原子钟内的磁场进行补偿。本发明能够在相干布居数囚禁原子钟内部存在温度变化时进行磁场补偿，保证相干布居数囚禁原子钟稳定输出。
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公开(公告)号：CN110797620B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201911005395.3
申请日：2019-10-22
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明属于无线电技术领域，涉及一种3dB电桥及其制备方法。所述电桥包括：输入端口、直通端口、耦合端口、隔离端口、第一平行微带线、第二平行微带线、介质基片和金属垫片；第一平行微带线呈正U字形，第二平行微带线呈倒U字形，两者呈叉指结构耦合并设置在介质基片的正面上；第一平行微带线的第一端与输入端口连接，第二端与直通端口连接，第二平行微带线的第一端与耦合端口连接，第二端与隔离端口连接；介质基片的背面设置缺陷地结构；金属垫片设置在介质基片的背面，且设置与缺陷地结构的位置和图形均相同的开槽结构。本发明尺寸小，插入损耗小，有效提高电桥的耐功率能力，提高产品可靠性。
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公开(公告)号：CN110707406A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910841694.4
申请日：2019-09-06
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01P5/08
摘要： 本发明适用于微波毫米波电路技术领域，提供了一种微带线垂直过渡结构与微波器件，该结构包括：金属盒体上开有一贯穿上下侧面的过渡腔体；金属盒体置于两个微带探针装置之间，与每个微带探针装置的背面连接，且每个微带探针装置背面设置的带状线探针的位置与过渡腔体的位置对应，使微波信号从一个微带探针装置正面设置的微带线通过微带线上的第一信号盲孔过渡到介质内部传输线，再通过与介质内部传输线连接的第二信号盲孔过渡到带状线探针后在过渡腔体中进行垂直过渡到对侧的微带探针装置上的带状线探针上，微带线垂直过渡结构的结构简单、易于装配、方便调试，并且可以实现高频、低损耗、小型化的微波毫米波垂直过渡结构。
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