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公开(公告)号:CN119650221A
公开(公告)日:2025-03-18
申请号:CN202411729570.4
申请日:2024-11-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十研究所
Abstract: 本发明公开了一种耐高温功率型共形电阻及其增材组装方法,属于电子元器件加工制造领域,包括步骤:S1:根据要求的电阻器件电阻值和设定的组装空间尺寸,计算所需电阻材料的方阻值或电阻率,选配耐高温电阻材料;S2:对电路承载基板上要组装电阻的区域进行表面处理;S3:在电路承载基板上通过增材制造工艺组装电阻;S4:将电阻随承载基板一同进行热固化,形成稳定的电阻体;S5:测试电阻阻值,对阻值偏差较大的电阻进行阻值调整。本发明可直接在异形不可展开曲面承载基板上增材组装共形电阻,具有易加工、设计灵活、阻值可调、可弯曲覆形的优异性能,提升了电阻的耐功率性能。
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公开(公告)号:CN119893840A
公开(公告)日:2025-04-25
申请号:CN202411924055.1
申请日:2024-12-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十研究所
Abstract: 本发明属于电气互联结构技术领域,特别涉及一种陶瓷球柱栅阵列封装结构及其工艺实现方法。其技术方案为:一种陶瓷球柱栅阵列封装结构,包括陶瓷基板、印制电路板和由若干球柱引脚结构组成的球柱引脚阵列,球柱引脚结构包括缩颈段和设置于缩颈段的两端的球状接触段,陶瓷基板和印制电路板上均设置有若干焊盘,球柱引脚结构的其中一个球状接触段与陶瓷基板的焊盘连接,球柱引脚结构的另一个球状接触段与印制电路板的焊盘连接。本发明提供了一种陶瓷球柱栅阵列封装结构及其工艺实现方法,满足大规模、高密度阵列封装要求,且具有优异的抗热疲劳能力、抗机械振动能力、散热性能以及良好的焊点力学性能。
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公开(公告)号:CN118875485A
公开(公告)日:2024-11-01
申请号:CN202411357305.8
申请日:2024-09-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于高重频超快激光热效应的金属焊盘键合系统及方法,该键合系统包括:激光加工光路子系统,其包括第一激光发射器、上位机、扩束镜、第一反射镜以及振镜与聚焦镜模块;显微成像光路子系统,其包括第二激光发射器、目镜、CCD图像传感器以及第二反射镜。本发明通过金属材料与半导体材料夹紧金丝,再通过高重频飞秒激光的作用,使金属材料表面发生烧蚀熔融溅射,高温金属熔融溅射物在半导体材料表面上不断沉积并逐渐冷却,从而直接在半导体材料表面形成金属接触面即焊盘,同时又由于高重频飞秒激光的不断作用,半导体材料、焊盘和金丝形成热量累积并体现出高热效应,此时在高重频飞秒激光的作用下形成了金属焊盘的直接键合。
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公开(公告)号:CN119943795A
公开(公告)日:2025-05-06
申请号:CN202510055557.3
申请日:2025-01-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十研究所
IPC: H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及集成器件的板级互联技术领域,具体涉及一种高频集成器件板级弹性互联结构及加工方法,互联结构包括底座和盖板,底座与盖板之间设置有封装阵列结构;所述的封装阵列结构包括依次连接的基板、弹性引脚阵列和电路板;所述的弹性引脚阵列包括若干微弹簧引脚,微弹簧引脚包括分别与基板和电路板连接的两个端环,两个端环之间一体成型有纵向的弹性支撑结构。本发明中采用的微弹簧引脚结构,同通过将纵向的弹性支撑结构与端环一体成型,减少了加工的工序,提高了微弹簧引脚的整体可靠性,能够更好的应对机械振动,同时对高频信号的传输更为稳定,可减少高频信号传输过程的损耗。
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公开(公告)号:CN118875485B
公开(公告)日:2025-01-10
申请号:CN202411357305.8
申请日:2024-09-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于高重频超快激光热效应的金属焊盘键合系统及方法,该键合系统包括:激光加工光路子系统,其包括第一激光发射器、上位机、扩束镜、第一反射镜以及振镜与聚焦镜模块;显微成像光路子系统,其包括第二激光发射器、目镜、CCD图像传感器以及第二反射镜。本发明通过金属材料与半导体材料夹紧金丝,再通过高重频飞秒激光的作用,使金属材料表面发生烧蚀熔融溅射,高温金属熔融溅射物在半导体材料表面上不断沉积并逐渐冷却,从而直接在半导体材料表面形成金属接触面即焊盘,同时又由于高重频飞秒激光的不断作用,半导体材料、焊盘和金丝形成热量累积并体现出高热效应,此时在高重频飞秒激光的作用下形成了金属焊盘的直接键合。
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公开(公告)号:CN119057273A
公开(公告)日:2024-12-03
申请号:CN202411545830.2
申请日:2024-11-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十研究所
IPC: B23K26/382 , B23K26/06 , B23K26/073 , B23K26/064 , B23K26/70 , B23K101/36
Abstract: 本发明公开了一种TGV通孔加工装置及加工方法,属于电子封装技术领域,该装置包括激光器、光束整形单元、光学变焦系统、微透镜阵列、聚焦单元和三维运动平台,利用激光器产生的飞秒量级超快脉冲光束,通过光束整形单元与光速变焦系产生贝塞尔光束,随后通过微透镜阵列,将入射的一束贝塞尔光束转变为多束输出光束。此时的输出光已经形成的多焦点阵列,但光束较弱,随后利用物镜紧聚焦,实现多焦点精确地定位到样品表面,对玻璃进行并行打孔。本发明产生的光斑小且焦深大,能大幅度提高TGV量产效率。
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公开(公告)号:CN117774323A
公开(公告)日:2024-03-29
申请号:CN202311737192.X
申请日:2023-12-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第十研究所
IPC: B29C64/386 , H01Q1/36 , H01Q1/28 , B29C64/393 , B29C64/124 , B33Y50/00 , B33Y50/02 , B33Y10/00 , B29L31/34
Abstract: 本发明公开了一种共形天线曲面辐射阵面3D打印成型方法,包括以下步骤:建立曲面辐射阵面的三维数字模型;定位安装共形承载基板于3D打印机内;在共形承载基板的顶端3D打印并光固化第一介质层;在第一介质层的顶端依次3D打印并光固化导电柱和导电层;重复制备第一介质层、导电柱和导电层,直至所有导电层制备完毕;最后,在导电层的顶端3D打印第二介质层。本发明可在一台设备上完成若干层第一介质层与若干导电层交替堆叠成型,并在最后成型第二介质层;另外,该成型方法不受曲面形状的限制,工艺流程相对简单、成型自由度高、成型精度高且可靠性高;因此,该成型方法可高质量地制备共形天线曲面辐射阵面。
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