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公开(公告)号：CN111199859B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201811381277.8
申请日：2018-11-20
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号： H01J37/21 , H01J37/244 , H01J37/317
摘要： 本发明公开了一种扫描宽带离子束注入机，包括旋转靶盘以及用于形成扫描宽带离子束的扫描宽带离子束形成组件，所述旋转靶盘上设有与旋转靶盘中心重合的环形注入区域，所述环形注入区域内均匀布置有多个晶圆装载区，扫描宽带离子束形成组件形成的扫描宽带离子束的宽度为a、所述环形注入区域的半径为b，则a≥b。本发明具有能够降低在大剂量注入、高产能的应用场景下的晶片表面的温升，满足一些对温度敏感的特殊材料的注入工艺要求的优点。
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公开(公告)号：CN111128650B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201811276370.2
申请日：2018-10-30
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/24 , H01J37/317
摘要： 本发明公开了一种直热式固体金属离子源，包括离子源弧室、灯丝部件和含铝部件，灯丝部件包括灯丝端面、螺旋侧面和导电部，灯丝端面由单根灯丝径向盘旋形成，螺旋侧面由单根灯丝轴向螺旋形成，导电部与灯丝端面和螺旋侧面连接，含铝部件包括相互连接的第一环体和第二环体，离子源弧室一端具有安装孔，第二环体装于安装孔内，第一环体伸入离子源弧室内，灯丝端面和螺旋侧面设于第一环体内，导电部穿出第二环体位于离子源弧室外。本发明简化了离子源本身和其外围配电的结果，提高了离子源运行的可靠性，同时Al离子源的寿命有较大程度的提升。
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公开(公告)号：CN106399958B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201610360061.8
申请日：2016-05-27
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明公开了一种用于金属镀膜的矩形磁控溅射靶，包括阳极座、水冷靶座、磁铁组件、靶材和靶背板，阳极座设有矩形安装槽，水冷靶座安装于矩形安装槽内，磁铁组件安装于水冷靶座内并通过靶背板密封，靶材装设于靶背板上，磁铁组件包括中心磁铁、两个端部磁铁和多个侧部磁铁，两个端部磁铁和多个侧部磁铁构成矩形磁铁框，中心磁铁沿矩形磁铁框长度方向固定于矩形磁铁框内部，每个侧部磁铁固设一固定块，水冷靶座内设有多个安装凸块，所述固定块与安装凸块一一对应，固定块可移动的与安装凸块连接。本发明可改变靶材表面磁场强度分布，提高矩形磁控溅射靶的沉膜均匀性，增大溅射靶有效沉膜区域，提高靶材的利用率。
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公开(公告)号：CN105575748B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201510915124.7
申请日：2015-12-11
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号： H01J37/02 , H01J37/04 , H01J37/317
摘要： 本发明公开了一种提高大口径离子源离子束流均匀性的方法，其步骤为：S1:设置具有引出孔的栅网；将栅网安装在离子源放电室束流出口位置，对其束流密度均匀性进行测试，并绘出束流密度分布图A；S2：调整栅网上引出孔的分布；根据束流密度分布图A，调整栅网上引出孔的分布；将调整引出孔分布后的栅网安装在同一个离子源放电室相同束流出口位置，对其束流密度均匀性进行测试，并绘出束流密度分布图B；S3：二次调整栅网上引出孔的分布；根据束流密度分布图B，再细微调整栅网上引出孔的分布；S4：安装栅网；安装最终的栅网，离子源离子束均匀性即满足要求。本发明具有原理简单、操作简便、能够降低成本等优点。
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公开(公告)号：CN104867803B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201510262780.1
申请日：2015-05-21
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/141
摘要： 本发明涉及为一种用于离子注入机的30°平行透镜，包括结构及尺寸一致且上下对称安装的上磁极和下磁极，上磁极的上方设有上磁轭，下磁极的下方设有下磁轭，上磁极的顶面与上磁轭的底面连接，而下磁极的底面与下磁轭的顶面连接；该平行透镜还设有两个中间磁轭，两个中间磁轭的顶端均与上磁轭的底面连接，而两个中间磁轭的底端均与下磁轭的顶面连接，且上磁极和下磁极置于两个中间磁轭之间；上磁极的下磁极面与下磁极的上磁极面边缘的均由多条弧线构成。本发明磁极面形状合理，可以使离子束注入角度保持一致、保证均匀性和重复性，并可以防止入射离子在半导体晶片的晶格结构上产生沟道效应，也可以使之产生均匀的需要的沟道。
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公开(公告)号：CN105470086B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201510912897.X
申请日：2015-12-11
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/05 , H01J37/02
摘要： 本发明公开了一种高能多元素离子注入机，包括离子源、质量分析器、射频加速系统和靶室，质量分析器将离子源产生的离子束筛选后传输给射频加速系统进行加速，经射频加速系统加速到高能量状态的离子束传输至靶室内完成离子束注入，靶室内设有靶台运动机构，靶台运动机构兼具水平方向和竖直方向的两个运动维度，在靶室内以二维扫描方式完成离子束注入。本发明具有结构简单紧凑、离子注入均匀性好、离子注入能量污染小的优点。
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公开(公告)号：CN104362065B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410569130.7
申请日：2014-10-23
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317
摘要： 本发明公开了一种用于离子束刻蚀机的大口径平行束离子源。所述大口径平行束离子源主要由安装法兰、支杆、放电室、磁场部件、阳极、放电灯丝、中和灯丝、内罩以及绝缘件组成。磁场部件安装在放电室底部，阳极及放电灯丝安装在放电室内，栅网部件安装在放电室出口。本发明离子源所用磁场部件磁场区域大于放电室内径，放电灯丝及阳极高度可调，可根据实际工艺实验获取最佳位置，从而提高离子源出口离子束的性能。
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公开(公告)号：CN104332431A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410457248.0
申请日：2014-09-10
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
摘要： 本发明涉及LED芯片制造设备，进一步是指用于LED芯片制作设备中的退火装置，包括储存晶圆的晶圆盒、对晶圆进行退火处理的工艺腔，工艺腔的腔体内部设置石英隔离腔，并在石英隔离腔与工艺腔的内壁之间均匀设有卤素灯管；晶圆盒的输出端口外侧设有与晶圆盒在同一水平面的可容纳一个晶圆的缓存站，并在晶圆盒的底部设有向缓存站输送晶圆的输送带；该退火装置还包括托盘，退火装置还设有将晶圆盒内的晶圆运送至拖盘各晶圆格内的输送机构。本发明所述LED芯片退火装置，工艺腔内的卤素灯和工艺腔体的设计可实现快速退火，而设置的托盘及输送机构则可以实现多个晶圆同时进入工艺腔，自动化程度高，提高效率。
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公开(公告)号：CN103489742A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310398888.4
申请日：2013-09-05
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号： H01J37/05 , H01J37/317
摘要： 本发明公开了一种超宽带状离子束产生装置及离子注入机。为了解决现有的超宽离子束的均匀性较差的问题，所述超宽带状离子束产生装置包括离子质量分析磁铁、分析光栏和离子束聚焦磁铁；所述离子质量分析磁铁具有斑状离子束穿过的空间；所述分析光栏具有从所述离子质量分析磁铁出来的汇聚的带状离子束穿行的空间；所述离子束聚焦磁铁具有从所述分析光栏出来的带状离子束穿行的空间；所述离子质量分析磁铁产生第一磁场，所述离子束聚焦磁铁产生第二磁场，所述第二磁场与所述第一磁场方向垂直。本发明在现有斑状离子源的基础上产生超宽带状离子束，并且达到质量分析的目的，并保证整个带状离子束宽度上不变。
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公开(公告)号：CN111199858B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201811381226.5
申请日：2018-11-20
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号： H01J37/21 , H01J37/244 , H01J37/317
摘要： 本发明公开了一种成形宽带离子束注入机，包括用于产生成形宽带离子束的离子源、引出电极、分析器、带分析缝的分析光栏、平行透镜以及旋转靶盘，所述离子源、引出电极、分析器、分析光栏、平行透镜以及旋转靶盘依次布置，所述旋转靶盘上设有与旋转靶盘中心重合的环形注入区域，所述环形注入区域内均匀布置有多个晶圆装载区，经过所述平行透镜后的成形宽带离子束的宽度为a、所述环形注入区域的半径为b，则a≥b。本发明具有能够降低在大剂量注入、高产能的应用场景下的晶片表面的温升，满足一些对温度敏感的特殊材料的注入工艺要求的优点。
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