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公开(公告)号：CN111063599A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201811201334.X
申请日：2018-10-16
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号： H01J37/10 , H01J37/317 , H01J37/244 , H01J37/147 , H01L21/67
摘要： 一种离子注入装置，包括屏蔽房、依次设置的离子源、引出电极、分析器、分析光栏、聚焦透镜、加速管、对称静电扫描电极以及均匀磁场平行透镜，屏蔽房内设有相互隔离的第一腔室和第二腔室，第一腔室内设有高压仓，第二腔室内设有靶室，离子源、引出电极、分析器、及分析光栏设于高压仓内，加速管设于第一腔室内，高压仓上设有供离子束进入加速管的第一出口，第一腔室上设有供离子束进入对称静电扫描电极的第二出口，对称静电扫描电极和均匀磁场平行透镜设于第二腔室内，靶室内设有靶台、定向台、片库以及至少一个用于传递晶圆的机械手，靶室上设有供离子束注入靶台上晶圆的注入口。本发明具有结构简单、成本低、便于实现高能高精度注入等优点。
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公开(公告)号：CN103715048B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201310685659.0
申请日：2013-12-16
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号： H01J37/244 , H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种离子注入机竖直方向离子束角度测控系统及测量方法，测控系统包括法拉第筒，所述法拉第筒与固定杆一端固定连接，所述固定杆另一端与一根垂直于所述固定杆的连接杆固定连接，所述连接杆与能带动所述连接杆轴向转动的传动装置连接；所述传动装置与驱动电机的输出轴连接；所述固定杆与连接杆连接处安装有用于测量所述固定杆与水平面夹角的旋转编码器；所述驱动电机、旋转编码器均与运动控制器电连接；所述运动控制器通过束流实时测量控制器与所述法拉第筒电连接。本发明的测控系统结构简单，测量可靠；本发明的方法能精确检测离子注入机的离子束在竖直面的束角度，从而保证注入工件的离子束注入角度精确可测可控。
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公开(公告)号：CN104617222A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201410693942.2
申请日：2014-11-27
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
CPC分类号： H01L51/5012 , H01L27/32 , H01L51/5036
摘要： 本发明公开了一种用于植物光照的OLED平板光源，包括从上至下依次叠合的阴极层、电子传输层、发光层、空穴传输层、阳极层、玻璃基板；所述阴极层与电源负极电连接；所述阳极层与电源正极电连接；所述电源通过光源驱动器与光照控制器电连接。本发明的发光层采用红绿蓝三基色发光区以横向并列条状的结构，用光照控制器控制光照色度和亮度，可自由地进行色温调整、色度调整以及光强度调整，可以在任何时间任何场合提供植物所需要的光照效果，从而能够很好地满足植物各个生长环节对光的需求。
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公开(公告)号：CN103594409A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310500266.8
申请日：2013-10-23
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6838
摘要： 本发明涉及一种批量硅片吸持装置，包括顶板和顶板下方的多个结构、大小一致的吸爪，所述顶板的两端安装端板；所述吸爪的一个端面为竖直面，吸爪的上部为连接部而吸爪的下部为夹持部，连接部的底部与夹持部的顶部连接，连接部的厚度大于夹持部的厚度，并设有连接机构沿垂直于吸爪厚度方向将各吸爪叠加固定到两个端板之间，相邻吸爪的夹持部之间的距离大于硅片的厚度；该吸持装置还设有吸附硅片的真空吸附机构。通过本发明的批量硅片吸持装置，可以很好的实现批量吸持硅片，可以大数量同时吸持硅片，也可以小数量同时吸持甚至单个吸爪独立吸持硅片，同时结构非常紧凑，可以直接从硅片花篮盒或石英舟中批量取片，提高搬运效率。
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公开(公告)号：CN109935510B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201711349060.4
申请日：2017-12-15
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/32
摘要： 本发明涉及一种多维静电扫描系统，包括对称的扫描电极一和非对称的扫描电极二，且所述对称的扫描电极一与非对称的扫描电极二的扫描方向相互垂直，所述对称的扫描电极一包括对称布置的扫描板一和二，所述扫描板一、二之间的电场至少部分分布不均匀；所述非对称的扫描电极二包括相对布置的扫描板三和扫描板四，所述扫描板三呈平板状，所述扫描板四包括扫描前段和扫描后段，所述扫描板四的所述扫描前段与所述扫描板三平行，所述扫描板四的所述扫描后段相对于所述扫描前段呈远离所述离子束的方向往外折弯。本发明还涉及一种基于上述多维静电扫描系统的离子注入系统。本发明具有能够在除去离子束中的中性粒子的同时提高离子注入角度一致性的优点。
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公开(公告)号：CN106505015B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201610870861.4
申请日：2016-09-30
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种用于快速热处理设备的温度测量装置，包括温度测量红外探头组件、发射率测量探头、安装座及反射板，所述反射板位于所述安装座上方，所述温度测量红外探头组件和所述发射率测量探头安装于所述安装座上，所述温度测量红外探头组件穿过所述反射板，所述反射板上开设有通孔，所述发射率测量探头位于所述通孔下方。本发明具有结构简单可靠，不受被测物体发射率差异的影响，温度测量准确等优点。
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公开(公告)号：CN105551922B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201510912879.1
申请日：2015-12-11
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号： H01J37/317
摘要： 本发明公开了一种SiC高温高能铝离子注入机，包括：离子源，用来生成含铝的离子；离子束传输系统，用来传输铝离子束流；包括依次设置的引出系统、质量分析器、分析光栏、加速管、垂直扫描电极板及平行束透镜；引出系统将离子源产生的离子引出并形成离子束；离子束依次通过质量分析器和分析光栏后束通过加速管加速，加速后的离子束经过透镜矫正束斑形状，离子束斑经过垂直扫描电极板后扫开成扇形状束带，扇形状束带通过平行束透镜后形成平行的带状束，进入高温靶室系统；高温靶室系统，用来承载待注入的晶片，并对晶片加热至满足注入铝的高温工艺要求。本发明能够保证注入铝离子电荷可选和能量精度，满足注入铝工艺需要晶片加热要求。
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公开(公告)号：CN107134399A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710220775.3
申请日：2017-04-06
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号： H01J37/04 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/04
摘要： 本发明公开了一种用于高能离子注入机的射频加速调谐装置，包括射频电源、调谐控制器、调谐筒和调谐电机，调谐控制器包括调谐控制单元、调谐电机控制单元和谐振状态检测单元，调谐控制单元分别与调谐电机控制单元和谐振状态检测单元相连，调谐电机与调谐电机控制单元相连。本发明的调谐控制方法包括S01、谐振状态检测单元用于检测射频电源的输出信号并发送至调谐控制单元；S02、调谐控制单元用于根据射频电源的输出信号输出控制信号至调谐电机控制单元；S03、调谐电机控制单元根据控制信号控制调谐电机的谐振以使调谐筒处于谐振状态。本发明的用于高能离子注入机的射频加速调谐装置及控制方法均具有操作简便、控制精准等优点。
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公开(公告)号：CN106571321A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201611015616.1
申请日：2016-11-18
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687
摘要： 本发明公开了一种用于快速热处理设备的载片台，包括晶片支撑组件及用来驱动晶片支撑组件旋转的驱动组件，所述晶片支撑组件包括支撑筒和晶片托环，所述支撑筒设于所述驱动组件上且上端筒壁为尖角状，所述晶片托环下表面设有倒置的V型限位环槽，所述支撑筒上端嵌入所述V型限位环槽内。本发明具有结构简单、晶片定位准确、工艺均匀性和一致性好等优点。
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公开(公告)号：CN104332431B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201410457248.0
申请日：2014-09-10
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
摘要： 本发明涉及LED芯片制造设备，进一步是指用于LED芯片制作设备中的退火装置，包括储存晶圆的晶圆盒、对晶圆进行退火处理的工艺腔，工艺腔的腔体内部设置石英隔离腔，并在石英隔离腔与工艺腔的内壁之间均匀设有卤素灯管；晶圆盒的输出端口外侧设有与晶圆盒在同一水平面的可容纳一个晶圆的缓存站，并在晶圆盒的底部设有向缓存站输送晶圆的输送带；该退火装置还包括托盘，退火装置还设有将晶圆盒内的晶圆运送至拖盘各晶圆格内的输送机构。本发明所述LED芯片退火装置，工艺腔内的卤素灯和工艺腔体的设计可实现快速退火，而设置的托盘及输送机构则可以实现多个晶圆同时进入工艺腔，自动化程度高，提高效率。
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