公开(公告)号：CN116435410A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310580190.8

申请日：2023-05-22

申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所

发明人： 张承 ,  李艳炯 ,  孟钰淋 ,  杨晓波 ,  崔大健 ,  黄晓峰 ,  迟殿鑫 ,  陈伟 ,  朱长林

IPC分类号： H01L31/18 ,  C30B31/08 ,  C30B33/02 ,  C30B29/40

摘要： 本发明涉及一种InP衬底扩散掺杂和退火方法及光电探测器制作方法，掺杂和退火方法包括：将InP衬底放入MOCVD设备中；使MOCVD设备升温至第二温度，向MOCVD设备内部通入保护气体；对InP衬底进行P型扩散掺杂；使MOCVD设备升温至第三温度；对InP衬底进行原位退火；使MOCVD设备的温度下降至第一温度。本发明中，将原有的扩散掺杂和快速退火两道工艺合并成一道工艺，通过在MOCVD设备中进行高温原位退火，可以提高InP材料中P型掺杂的空穴浓度，且提高了快速退火过程中P型杂质无源扩散深度的一致性。另外，还能够避免快速退火过程中气氛污染物进入InP材料内部，提升PN结质量。

公开(公告)号：CN118588804A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410631130.9

申请日：2024-05-21

申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所

发明人： 吴唯 ,  孟钰淋 ,  陈益民 ,  赵红 ,  周勇 ,  杨晓波 ,  刘尚军 ,  骆小顺 ,  李志伟

IPC分类号： H01L31/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C30B33/02 ,  C23C16/02 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205

摘要： 本发明涉及一种变温的高In组分InGaAs探测器缓冲层的生长方法，属于半导体材外延材料的制备技术领域。本发明主要是在InP衬底上在不同的温度下依次生长材料(InxGa1‑xAs、InAsxP1‑x或InxAl1‑xAs中的任意一种)，从而形成低温层、中温层和高温层，本发明的生长方法可以用于生长峰值响应波长介于1.7μm～2.9μm之间的高In组分InGaAs探测器，具有以下优点：(1)降低外延材料缺陷密度获得高质量的高In组分InGaAs外延材料(2)采用三步法可以降低InGaAs拓展波长探测器缓冲层厚度，提高器件的响应速度。

公开(公告)号：CN116031753A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202310224441.9

申请日：2023-03-09

申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所

发明人： 刘尚军 ,  张靖 ,  李志伟 ,  骆小顺 ,  刘刚明 ,  冯琛 ,  孟钰淋 ,  朱长林

IPC分类号： H01S5/22 ,  H01S5/343 ,  H01S5/24 ,  H01S5/20

摘要： 本发明涉及一种大截面脊波导基横模大功率半导体激光器，包括衬底以及依次设置在所述衬底上的缓冲层、N限制层、N波导层、量子阱有源层、P波导层、P限制层和P接触层；所述P接触层通过刻蚀形成有贯穿P接触层和P限制层并伸入P波导层的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和第二沟槽平行设置，在所述第一沟槽和第二沟槽之间的未刻蚀部分形成脊波导。本发明中，N波导层的厚度大于P波导层，使得光场被拉向N掺杂区域，从而减小光损耗，可以在增大脊波导宽度的情况下使脊部结构有效折射率与两侧有效折射率差仍小于0.5％，在实现基横模输出保持良好的光束质量的同时，增大了光斑尺寸、有效降低了COMD的影响，提高了输出光功率。