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公开(公告)号：CN104362225A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410503050.1
申请日：2014-09-25
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
CPC分类号： H01L33/12 , H01L33/005 , H01L33/06 , H01L2933/0033
摘要： 本发明提供一种高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构，包括在N型衬底11上顺序层叠的N型缓冲层12、N型下包层13、下渐变层14、有源层15、上渐变层16、P型上包层17和P型接触层18，所述有源层15的材料为GaAs(1-x)Px，其中所述x为材料磷组分，且0.01≤x≤0.08。本发明提供的高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构中，采用GaAsP作为量子阱结构的阱层材料，通过调整阱层的组分来调整应变量和发光波长，使TE模和TM模的模式增益趋于一致，从而达到低偏振度光输出的要求，且发光波长恰好处于800nm波段；同时，量子阱结构的采用可以提高SLD的输出功率。
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公开(公告)号：CN108847385A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201810599199.2
申请日：2018-06-11
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
摘要： 本发明提供一种GaAs基InAs量子点材料生长方法，包括：S1、在衬底上生长GaAs缓冲层；S2、在缓冲层上生长2～4ML的InAs量子点层，生长温度为470～510℃；S3、关闭As源；S4、在InAs量子点层的顶部采用FME模式生长一层所需厚度的低温帽层，生长温度为470～510℃；S5、在低温帽层上采用常规方法生长一层所需厚度的高温帽层，生长温度580～630℃。本发明采用FME模式III-V族原子交替生长在InAs量子点表面，晶体质量好，原子迁移时间长，迁移率高，位错密度低，覆盖均匀性好，提高量子点的发光效率。
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公开(公告)号：CN114552377A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210142350.6
申请日：2022-02-16
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
摘要： 本发明涉及一种基于异构集成的单向注入锁定半导体激光器，包括硅基微环芯片，所述硅基微环芯片上设有直通硅波导和微环，所述硅基微环芯片上对应直通硅波导两端的位置处分别键合有主激光器芯片和从激光器芯片，所述直通硅波导的两端分别与主激光器芯片和从激光器芯片耦合；所述微环位于直通硅波导的一侧，所述微环的上方键合有磁光芯片，所述磁光芯片用于在通电时产生磁场使微环出现非互易相移特性。本发明中，利用电磁场作用下微环结构的非互易相移特性实现主从激光器之间光隔离功能，实现异构集成单芯片单向光注入锁定激光器，解决了目前单向注入锁定激光器耦合难、效率低、封装成本高、体积大等难题。
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公开(公告)号：CN112233966A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011097360.X
申请日：2020-10-14
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L21/02 , H01L31/0304 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种InGaAs到InP界面生长的气流切换方法，先在高温低压下消除InP衬底的表面杂质；然后生长InP缓冲层；再生长InGaAs外延层；之后先关闭TMIn源和TMGa源，保持一段时间后再关闭AsH3源，然后先提前打开PH3源，过一段时间再打开TMIn源，在InGaAs外延层上生长InP。本发明结合了传统的H2中断和V族源中断的优势，通过延迟关闭AsH3源，以及提前打开PH3源，能够扩大InGaAs到InP界面生长切换的最佳工艺参数的窗口，稳定重复地获得陡峭、无夹层的InGaAs/InP界面，使工艺的重复性得到大幅改善，从而提高制备InGaAs光电子器件的成品率。
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公开(公告)号：CN118588804A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410631130.9
申请日：2024-05-21
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L31/18 , C23C16/30 , C23C16/44 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B33/02 , C23C16/02 , C23C16/56 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/203 , H01L21/205
摘要： 本发明涉及一种变温的高In组分InGaAs探测器缓冲层的生长方法，属于半导体材外延材料的制备技术领域。本发明主要是在InP衬底上在不同的温度下依次生长材料(InxGa1‑xAs、InAsxP1‑x或InxAl1‑xAs中的任意一种)，从而形成低温层、中温层和高温层，本发明的生长方法可以用于生长峰值响应波长介于1.7μm～2.9μm之间的高In组分InGaAs探测器，具有以下优点：(1)降低外延材料缺陷密度获得高质量的高In组分InGaAs外延材料(2)采用三步法可以降低InGaAs拓展波长探测器缓冲层厚度，提高器件的响应速度。
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公开(公告)号：CN116031753A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310224441.9
申请日：2023-03-09
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
摘要： 本发明涉及一种大截面脊波导基横模大功率半导体激光器，包括衬底以及依次设置在所述衬底上的缓冲层、N限制层、N波导层、量子阱有源层、P波导层、P限制层和P接触层；所述P接触层通过刻蚀形成有贯穿P接触层和P限制层并伸入P波导层的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和第二沟槽平行设置，在所述第一沟槽和第二沟槽之间的未刻蚀部分形成脊波导。本发明中，N波导层的厚度大于P波导层，使得光场被拉向N掺杂区域，从而减小光损耗，可以在增大脊波导宽度的情况下使脊部结构有效折射率与两侧有效折射率差仍小于0.5％，在实现基横模输出保持良好的光束质量的同时，增大了光斑尺寸、有效降低了COMD的影响，提高了输出光功率。
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公开(公告)号：CN114552377B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202210142350.6
申请日：2022-02-16
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
摘要： 本发明涉及一种基于异构集成的单向注入锁定半导体激光器，包括硅基微环芯片，所述硅基微环芯片上设有直通硅波导和微环，所述硅基微环芯片上对应直通硅波导两端的位置处分别键合有主激光器芯片和从激光器芯片，所述直通硅波导的两端分别与主激光器芯片和从激光器芯片耦合；所述微环位于直通硅波导的一侧，所述微环的上方键合有磁光芯片，所述磁光芯片用于在通电时产生磁场使微环出现非互易相移特性。本发明中，利用电磁场作用下微环结构的非互易相移特性实现主从激光器之间光隔离功能，实现异构集成单芯片单向光注入锁定激光器，解决了目前单向注入锁定激光器耦合难、效率低、封装成本高、体积大等难题。
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公开(公告)号：CN111987584A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010893595.3
申请日：2020-08-31
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
摘要： 本发明属于光电器件领域，具体涉及一种用于高精度陀螺的974nm半导体激光器，包括：半导体激光器芯片、第一热沉、第二热沉、半导体制冷器以及布拉格双光栅光纤；所述半导体激光器芯片的管芯设置在第一热沉上，所述第二热沉设置在第一热沉下部，半导体制冷器固定在第二热沉的底部；布拉格双光栅光纤固定在第二热沉的顶部平面，且与半导体激光器芯片连接，采用Ω支架固定布拉格双光栅光纤；将激光器芯片组件固定在封装管壳内部；本发明实现了全温范围内的锁模，全温范围内的功率变化率小于2％，波长变化率小于0.008nm/℃，能够极好的满足高精度光纤陀螺对半导体激光器模块的应用要求。
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公开(公告)号：CN108847385B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201810599199.2
申请日：2018-06-11
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
摘要： 本发明提供一种GaAs基InAs量子点材料生长方法，包括：S1、在衬底上生长GaAs缓冲层；S2、在缓冲层上生长2～4ML的InAs量子点层，生长温度为470～510℃；S3、关闭As源；S4、在InAs量子点层的顶部采用FME模式生长一层所需厚度的低温帽层，生长温度为470～510℃；S5、在低温帽层上采用常规方法生长一层所需厚度的高温帽层，生长温度580～630℃。本发明采用FME模式III‑V族原子交替生长在InAs量子点表面，晶体质量好，原子迁移时间长，迁移率高，位错密度低，覆盖均匀性好，提高量子点的发光效率。
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公开(公告)号：CN104362225B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201410503050.1
申请日：2014-09-25
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
摘要： 本发明提供一种高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构，包括在N型衬底11上顺序层叠的N型缓冲层12、N型下包层13、下渐变层14、有源层15、上渐变层16、P型上包层17和P型接触层18，所述有源层15的材料为GaAs(1‑x)Px，其中所述x为材料磷组分，且0.01≤x≤0.08。本发明提供的高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构中，采用GaAsP作为量子阱结构的阱层材料，通过调整阱层的组分来调整应变量和发光波长，从而达到低偏振度光输出的要求，且发光波长恰好处于800nm波段；同时，量子阱结构的采用可以提高SLD的输出功率。
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