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公开(公告)号：CN112233966A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011097360.X
申请日：2020-10-14
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L21/02 , H01L31/0304 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种InGaAs到InP界面生长的气流切换方法，先在高温低压下消除InP衬底的表面杂质；然后生长InP缓冲层；再生长InGaAs外延层；之后先关闭TMIn源和TMGa源，保持一段时间后再关闭AsH3源，然后先提前打开PH3源，过一段时间再打开TMIn源，在InGaAs外延层上生长InP。本发明结合了传统的H2中断和V族源中断的优势，通过延迟关闭AsH3源，以及提前打开PH3源，能够扩大InGaAs到InP界面生长切换的最佳工艺参数的窗口，稳定重复地获得陡峭、无夹层的InGaAs/InP界面，使工艺的重复性得到大幅改善，从而提高制备InGaAs光电子器件的成品率。
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公开(公告)号：CN104269739B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201410555782.5
申请日：2014-10-20
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01S5/24
摘要： 本发明提供一种低成本大功率半导体基横模激光器芯片结构，包括振荡部分、过渡部分、放大部分和底面沟槽，所述过渡部分将所述振荡部分和放大部分连接并融合在一起，所述底面沟槽分别位于所述振荡部分、过渡部分和放大部分的两侧，且所述振荡部分、过渡部分和放大部分两侧的底面沟槽深度不同。本发明巧妙地通过过渡部分将所述振荡部分和放大部分连接并融合在一起，依靠所述振荡部分、过渡部分和放大部分两侧深度不同的底面沟槽防止形成非预期的反射破坏基横模输出，为一种基于常规脊波导的芯片结构，因而只需采用普通的脊波导工艺就能实现大功率半导体基横模激光输出芯片的制作，产品制作工艺简单成熟，成品率高，成本低，适用于批量生产制作。
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公开(公告)号：CN104362225A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410503050.1
申请日：2014-09-25
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
CPC分类号： H01L33/12 , H01L33/005 , H01L33/06 , H01L2933/0033
摘要： 本发明提供一种高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构，包括在N型衬底11上顺序层叠的N型缓冲层12、N型下包层13、下渐变层14、有源层15、上渐变层16、P型上包层17和P型接触层18，所述有源层15的材料为GaAs(1-x)Px，其中所述x为材料磷组分，且0.01≤x≤0.08。本发明提供的高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构中，采用GaAsP作为量子阱结构的阱层材料，通过调整阱层的组分来调整应变量和发光波长，使TE模和TM模的模式增益趋于一致，从而达到低偏振度光输出的要求，且发光波长恰好处于800nm波段；同时，量子阱结构的采用可以提高SLD的输出功率。
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公开(公告)号：CN112462476B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202011262760.1
申请日：2020-11-12
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
摘要： 本发明属于光电子器件领域，具体涉及一种微型化光纤陀螺用mini型无致冷短波SLD光源，包括光源外壳和锥形透镜光纤组件，光源外壳上下两个非对称地设置有固定孔，即两个固定孔分别在中心偏右或者中心偏左的位置，其中一个固定孔左右两个分别引出两个引脚，外壳的左侧或者右侧设置有接入口，锥形透镜光纤组件从接入口接入；解决了mini型光源耦合、封装、多余物影响等问题，满足了微型化陀螺对mini型SLD光源的需求，有利于提高微型化陀螺的可靠性，大幅度提升微型化陀螺的生产能力及成品率。
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公开(公告)号：CN113224643A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110500886.6
申请日：2021-05-08
摘要： 本发明公开了一种集成背光探测器的超辐射发光二极管芯片及制备方法，包括外延片，所述外延片的下端面溅射有N面电极层，所述外延片的上端面溅射有P面电极层，所述P面电极层包括有源区电极和背光探测区电极；所述外延片的上端面按预设角度设有脊波导，所述外延片的上端面还沿其宽度方向设有隔离槽形成隔离区，所述有源区电极位于所述隔离槽的一侧形成有源区，所述背光探测区位于隔离槽的另一侧形成背光探测区，且在所述有源区与隔离区之间还具有无源吸收区；能够有效降低芯片后端反射率，抑制光反馈，改善超辐射发光二极管的纹波系数，进而能够有效降低增加隔离槽时造成的后端反射率增大的影响。
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公开(公告)号：CN108847385A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201810599199.2
申请日：2018-06-11
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
摘要： 本发明提供一种GaAs基InAs量子点材料生长方法，包括：S1、在衬底上生长GaAs缓冲层；S2、在缓冲层上生长2～4ML的InAs量子点层，生长温度为470～510℃；S3、关闭As源；S4、在InAs量子点层的顶部采用FME模式生长一层所需厚度的低温帽层，生长温度为470～510℃；S5、在低温帽层上采用常规方法生长一层所需厚度的高温帽层，生长温度580～630℃。本发明采用FME模式III-V族原子交替生长在InAs量子点表面，晶体质量好，原子迁移时间长，迁移率高，位错密度低，覆盖均匀性好，提高量子点的发光效率。
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公开(公告)号：CN104242056A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410531269.2
申请日：2014-10-10
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01S5/32
摘要： 本发明提供一种能提高电隔离能力的脊波导芯片结构，包括在N型衬底上顺序层叠的N型缓冲层、N型下限制层、下波导层、有源层、上波导层、P型上限制层、P型高掺杂层和N型隔离层，所述N型隔离层和P型高掺杂层上设有电流注入窗口，所述电流注入窗口设有在所述P型高掺杂层和P型上限制层中行进的脊波导，所述脊波导包括脊形台面和沟槽，所述有源层的发光窗口位于所述电流注入窗口下，除所述电流注入窗口下的有源层发光窗口对应的脊形台面外，剩余面均设有SiO2隔离膜。本发明还提供一种前述脊波导芯片结构的制作方法。本发明能有效改善芯片的电流限制能力，增强器件的电隔离能力，同时减少SiO2隔离膜的厚度，降低后工序的工艺难度。
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公开(公告)号：CN118588804A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410631130.9
申请日：2024-05-21
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L31/18 , C23C16/30 , C23C16/44 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B33/02 , C23C16/02 , C23C16/56 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/203 , H01L21/205
摘要： 本发明涉及一种变温的高In组分InGaAs探测器缓冲层的生长方法，属于半导体材外延材料的制备技术领域。本发明主要是在InP衬底上在不同的温度下依次生长材料(InxGa1‑xAs、InAsxP1‑x或InxAl1‑xAs中的任意一种)，从而形成低温层、中温层和高温层，本发明的生长方法可以用于生长峰值响应波长介于1.7μm～2.9μm之间的高In组分InGaAs探测器，具有以下优点：(1)降低外延材料缺陷密度获得高质量的高In组分InGaAs外延材料(2)采用三步法可以降低InGaAs拓展波长探测器缓冲层厚度，提高器件的响应速度。
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公开(公告)号：CN104242056B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410531269.2
申请日：2014-10-10
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01S5/32
摘要： 本发明提供一种能提高电隔离能力的脊波导芯片结构，包括在N型衬底上顺序层叠的N型缓冲层、N型下限制层、下波导层、有源层、上波导层、P型上限制层、P型高掺杂层和N型隔离层，所述N型隔离层和P型高掺杂层上设有电流注入窗口，所述电流注入窗口设有在所述P型高掺杂层和P型上限制层中行进的脊波导，所述脊波导包括脊形台面和沟槽，所述有源层的发光窗口位于所述电流注入窗口下，除所述电流注入窗口下的有源层发光窗口对应的脊形台面外，剩余面均设有SiO2隔离膜。本发明还提供一种前述脊波导芯片结构的制作方法。本发明能有效改善芯片的电流限制能力，增强器件的电隔离能力，同时减少SiO2隔离膜的厚度，降低后工序的工艺难度。
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公开(公告)号：CN104269739A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410555782.5
申请日：2014-10-20
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01S5/24
摘要： 本发明提供一种低成本大功率半导体基横模激光器芯片结构，包括振荡部分、过渡部分、放大部分和底面沟槽，所述过渡部分将所述振荡部分和放大部分连接并融合在一起，所述底面沟槽分别位于所述振荡部分、过渡部分和放大部分的两侧，且所述振荡部分、过渡部分和放大部分两侧的底面沟槽深度不同。本发明巧妙地通过过渡部分将所述振荡部分和放大部分连接并融合在一起，依靠所述振荡部分、过渡部分和放大部分两侧深度不同的底面沟槽防止形成非预期的反射破坏基横模输出，为一种基于常规脊波导的芯片结构，因而只需采用普通的脊波导工艺就能实现大功率半导体基横模激光输出芯片的制作，产品制作工艺简单成熟，成品率高，成本低，适用于批量生产制作。
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