公开(公告)号：CN1272690A

公开(公告)日：2000-11-08

申请号：CN00115306.4

申请日：2000-03-30

申请人： 中国科学院上海冶金研究所

发明人： 王连卫 ,  林成鲁 ,  多新中 ,  范秀强 ,  邢昆山

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/324

摘要： 本发明提供一种局部注氧隔离形成绝缘层上硅(SOI)材料的边界应力消除方法,属于微电子领域,本发明提供的方法特征是将硅工艺中的局部氧化工艺与传统的硅中注氧隔离技术结合起来,采用先区域氧化然后再高温退火工艺,与硅集成电路工艺完全兼容,在微电子机械系统也有重要应用。

公开(公告)号：CN1088541C

公开(公告)日：2002-07-31

申请号：CN98122067.3

申请日：1998-12-04

申请人： 中国科学院上海冶金研究所

发明人： 林成鲁 ,  张苗 ,  王连卫 ,  黄继颇 ,  多新中

IPC分类号： H01L21/20

摘要： 本发明属于微电子学与固体电子学中新材料的制造工艺，具体地说是一种以AIN为绝缘埋层的绝缘体上的硅即SOI材料制备方法，系利用离子束合成或AI膜氮化的方法制备具有良好导热性能的AIN绝缘薄膜，并与、氢氦离子注入、硅片键合和智能剥离工艺相结合，制备以AIN为绝缘埋层的SOI结构，这种SOI材料的导热性能优于常规的以SiO2为绝缘埋层的SOI，更加适应高温、大功率SOI电路的需要。

公开(公告)号：CN1227400A

公开(公告)日：1999-09-01

申请号：CN98122067.3

申请日：1998-12-04

申请人： 中国科学院上海冶金研究所

发明人： 林成鲁 ,  张苗 ,  王连卫 ,  黄继颇 ,  多新中

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/265 ,  H01L21/302

摘要： 本发明属于微电子学与固体电子学中新材料的制造工艺，具体地说是一种以AlN为绝缘埋层的绝缘体上的硅即SOl材料制备方法，系利用离子束合成或Al膜氮化的方法制备具有良好导热性能的AlN绝缘薄膜，并与、氢氦离子注入、硅片键合和智能剥离工艺相结合，制备以用AlN为绝缘埋层的SOl结构，这种SOl材料的导热性能优于常规的以SiO2为绝缘埋层的SOl，更加适应高温、大功率SOl电路的需要。

公开(公告)号：CN1279505A

公开(公告)日：2001-01-10

申请号：CN00115501.6

申请日：2000-04-27

申请人： 中国科学院上海冶金研究所

发明人： 王连卫 ,  林成鲁 ,  张苗 ,  范秀强 ,  多新中

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/314 ,  H01L21/324

摘要： 本发明涉及一种低剂量氧注入制作绝缘层上硅(SOI)电路的方法,属于微电子技术领域。本发明特征在于4～6×1017/cm2低剂量注氧后,经预氧化淀积Si3N4,再光刻将有源区保护,并进行热氧化,再进行1300℃－1350℃,3～5小时高温退火,获得SOI结构,可直接进行互补金属氧化物半导体晶体管的制作,本发明提供的方法与硅集成电路完全兼容。