公开(公告)号：CN1088541C

公开(公告)日：2002-07-31

申请号：CN98122067.3

申请日：1998-12-04

申请人： 中国科学院上海冶金研究所

发明人： 林成鲁 ,  张苗 ,  王连卫 ,  黄继颇 ,  多新中

IPC分类号： H01L21/20

摘要： 本发明属于微电子学与固体电子学中新材料的制造工艺，具体地说是一种以AIN为绝缘埋层的绝缘体上的硅即SOI材料制备方法，系利用离子束合成或AI膜氮化的方法制备具有良好导热性能的AIN绝缘薄膜，并与、氢氦离子注入、硅片键合和智能剥离工艺相结合，制备以AIN为绝缘埋层的SOI结构，这种SOI材料的导热性能优于常规的以SiO2为绝缘埋层的SOI，更加适应高温、大功率SOI电路的需要。

公开(公告)号：CN1227400A

公开(公告)日：1999-09-01

申请号：CN98122067.3

申请日：1998-12-04

申请人： 中国科学院上海冶金研究所

发明人： 林成鲁 ,  张苗 ,  王连卫 ,  黄继颇 ,  多新中

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/265 ,  H01L21/302

摘要： 本发明属于微电子学与固体电子学中新材料的制造工艺，具体地说是一种以AlN为绝缘埋层的绝缘体上的硅即SOl材料制备方法，系利用离子束合成或Al膜氮化的方法制备具有良好导热性能的AlN绝缘薄膜，并与、氢氦离子注入、硅片键合和智能剥离工艺相结合，制备以用AlN为绝缘埋层的SOl结构，这种SOl材料的导热性能优于常规的以SiO2为绝缘埋层的SOl，更加适应高温、大功率SOl电路的需要。