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    一种基于SOI的纵向SiGe双极晶体管及其制备方法
    1.
    发明授权
    一种基于SOI的纵向SiGe双极晶体管及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN102592998B

    公开(公告)日：2014-10-15

    申请号：CN201210078749.9

    申请日：2012-03-22

    申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

    发明人： 陈静 ,  余涛 ,  罗杰馨 ,  伍青青 ,  柴展

    IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/06

    CPC分类号： H01L29/66242 ,  H01L29/7378

    摘要： 本发明提供一种基于SOI的纵向SiGe-HBT及其制备方法，属于微电子与固体电子领域。该方法通过将普通的厚埋氧层的常规SOI半导体衬底作为起始晶片，在其特定区域制作薄埋氧层，并在薄埋氧层上制作HBT。该器件工作时，通过向该HBT施加背栅正电压使得在接近薄埋氧层的上表面形成电荷反型层作为次集电区，该层成为集电极电流的低阻抗导通渠道，从而显著减小集电区电阻，提高截止频率。同时，本发明的器件制备工艺简单，在特定区域减薄埋氧层，成功将所需的衬底偏压降至CMOS工艺中典型的3V甚至更小，这对实现SiGe-HBT与SOI-CMOS的集成工艺的兼容有重要意义。

    一种SOI场效应晶体管的TCAD仿真校准方法
    2.
    发明公开
    一种SOI场效应晶体管的TCAD仿真校准方法 无效

    公开(公告)号：CN102184879A

    公开(公告)日：2011-09-14

    申请号：CN201110112178.1

    申请日：2011-05-03

    申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

    发明人： 柴展 ,  陈静 ,  罗杰馨 ,  伍青青 ,  王曦

    IPC分类号： H01L21/66 ,  G06F17/50

    CPC分类号： G06F17/5081 ,  G06F17/5036 ,  H01L22/20

    摘要： 本发明公开了一种SOI场效应晶体管的TCAD仿真校准方法，通过建立TCAD工艺仿真程序得到不同沟道长度Lgate的工艺仿真MOS器件结构，在此基础上，根据实际器件的透射电镜TEM测试结果、二次离子质谱SIMS测试结果、CV测试结果、WAT测试结果及方块电阻测试结果对工艺仿真MOS器件结构进行校准，从而完成SOI场效应晶体管关键电学参数的TCAD仿真校准。本发明的校准方法可以使同一SOI工艺下各尺寸MOSFET关键参数Vt和Idsat的TCAD仿真结果均达到误差小于10%的高精度要求，并且能在多个Split条件上实现精准有效的预测，从而为新工艺流程的研发和优化提供了有力的指导。

    一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法
    3.
    发明公开
    一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法 失效

    公开(公告)号：CN102104063A

    公开(公告)日：2011-06-22

    申请号：CN200910201332.5

    申请日：2009-12-17

    申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

    发明人： 陈静 ,  罗杰馨 ,  伍青青 ,  周建华 ,  肖德元 ,  王曦

    IPC分类号： H01L29/732 ,  H01L21/331 ,  H01L21/762

    CPC分类号： H01L29/7317 ,  H01L29/66265

    摘要： 本发明公开了一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法，该双极晶体管包括SOI衬底，所述SOI衬底由下至上依次为SOI衬底体区，SOI衬底隐埋氧化层，顶层硅膜，所述SOI衬底上采用集成电路STI工艺在顶层硅膜位置处形成有有源区，有源区位置处通过离子注入形成有集电区和基区，集电区靠近SOI衬底隐埋氧化层，基区靠近顶层硅膜表面；基区上形成有发射极和基极，发射极和基极分别被侧氧隔离墙包围。本发明它采用一种简单的双多晶硅技术，不仅提高晶体管性能，而且可以减小有源区面积提高集成度；此外本发明采用侧氧隔离工艺，提高SOI BJT与SOI CMOS的兼容性，使SOI BiCMOS工艺变得简单，从而降低成本。

    BSIMSOI4直流模型参数的确定方法
    4.
    发明公开
    BSIMSOI4直流模型参数的确定方法 失效

    公开(公告)号：CN101976283A

    公开(公告)日：2011-02-16

    申请号：CN201010515128.3

    申请日：2010-10-21

    申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

    发明人： 陈静 ,  伍青青 ,  罗杰馨 ,  柴展 ,  王曦

    IPC分类号： G06F17/50

    CPC分类号： G01R31/2628 ,  G01R31/2603 ,  G06F17/5036

    摘要： 本发明公开了一种BSIMSOI4直流模型参数的确定方法，该方法通过提供若干不同尺寸的体引出结构MOSFET器件和浮体结构MOSFET器件；测量所有体引出结构MOSFET器件的Id-Vg-Vp、Id/Ip-Vd-Vg、Ig-Vg-Vd、Ig-Vp、Ip-Vg-Vd、Is/Id-Vp及Id/Ip-Vp-Vd特性，以及所有浮体结构MOSFET器件的Id-Vg-Vp、Id-Vd-Vg及Ig-Vg-Vd特性；并获取各个体引出结构MOSFET器件和浮体结构MOSFET器件的无自热效应的电学特性曲线；然后依次按照特定步骤提取BSIMSOI4模型的直流参数。本发明根据模型方程依次选择适当的测试曲线，逐步确定各类参数，从而可准确有效的提取出BSIMSOI4模型的直流参数。

    一种SOI单端口SRAM单元及其制作方法
    5.
    发明授权
    一种SOI单端口SRAM单元及其制作方法 有权

    公开(公告)号：CN105551518B

    公开(公告)日：2018-09-25

    申请号：CN201610008919.4

    申请日：2016-01-07

    申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

    发明人： 陈静 ,  何伟伟 ,  伍青青 ,  罗杰馨 ,  王曦

    IPC分类号： G11C11/41 ,  G11C11/412 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/11

    摘要： 本发明提供一种SOI单端口SRAM单元及其制作方法，所述单元包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；获取管，由第三、第四NMOS晶体管组成。本发明的SRAM单元中，组成第一反相器及第二反相器的四个晶体管均采用L型栅，且L型栅的弯折角外侧区域设有重掺杂体接触区。本发明可以在牺牲较小单元面积的情况下有效抑制PD SOI器件中的浮体效应以及寄生三极管效应引发的漏功耗以及晶体管阈值电压漂移，提高单元的抗噪声能力。并且本发明制造工艺不引入额外掩膜板、与现有逻辑工艺完全兼容，单元内部采用中心对称结构，不仅有利于MOS管的尺寸和阈值电压等匹配，还有利于形成阵列，方便全定制SRAM芯片。

    提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法
    7.
    发明公开
    提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法 无效

    公开(公告)号：CN103094178A

    公开(公告)日：2013-05-08

    申请号：CN201310015290.2

    申请日：2013-01-16

    申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

    发明人： 罗杰馨 ,  陈静 ,  伍青青 ,  柴展 ,  余涛 ,  吕凯 ,  王曦

    IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L27/12

    摘要： 本发明提供一种提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法。根据本发明的方法，先在绝缘体上材料结构上形成至少一个器件的源区、栅区、及漏区；随后，对所述源区再进行掺杂使所述源区的部分区域为N型、部分区域为P型；最后再在进行了再掺杂的绝缘体上材料结构上再制备电极层以形成SOI器件。由于所制作的结构在源区存在重掺杂的P+区，源区N+区与P+区形成二级管结构，有效释放器件体区的空穴，使得体区电势与源区相等，因此器件的阈值电压不再漂移，从而提高器件的射频性能；此外，相对于业界普遍采用的TB结构，本发明的器件也不需要额外增加器件面积。

    一种六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法
    10.
    发明公开
    一种六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法 失效

    公开(公告)号：CN102779837A

    公开(公告)日：2012-11-14

    申请号：CN201210289657.5

    申请日：2012-08-15

    申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

    发明人： 陈静 ,  伍青青 ,  罗杰馨 ,  柴展 ,  余涛 ,  王曦

    IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L27/11 ,  H01L21/8244 ,  G11C11/413

    CPC分类号： H01L27/1104 ,  G11C11/412 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

    摘要： 本发明提供一种六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法，属于存储器设计及制造技术领域，所述存储器单元包括两个反相器及传输门，所述反相器由一结构对称的NMOS晶体管及结构对称的PMOS晶体管互连组成，所述传输门由两个源漏结构非对称的NMOS晶体管组成，所述源漏结构非对称NMOS晶体管的源极结构具有袋区及浅掺杂延伸区，而漏极结构不具有袋区及浅掺杂延伸区。本发明采用了具有非对称结构的传输门N型晶体管，通过去掉漏极的浅掺杂延伸区（LDD）和袋区（Pocket）引入的非对称，不改变器件加工工艺，不额外增加版图，不破坏器件使用寿命，且由此引起的电学非对称性明显优于现有的结构。本发明工艺简单，有利于降低成本，适用于工业生产。