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公开(公告)号：CN118610307A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410757178.4
申请日：2024-06-13
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种碲镉汞探测器的批量分离方法，属于碲镉汞探测器的制备工艺领域，该方法包括以下步骤：1)提供带铟柱结构的芯片和带铟柱结构的无源电路；2)将芯片和无源电路中的铟柱进行倒焊互连；3)对倒焊互连后的成型器件进行充胶、固化；4)对固化后的成型器件进行第一次划片，去除芯片，露出底下的胶体；对步骤4)划片区域内的胶体进行等离子处理，露出无源电路上的焊盘区和第二次划片区；对步骤5)中的第二次划片区进行划片,分离出碲镉汞探测器。本发明提供的碲镉汞探测器的批量分离方法可以先实现芯片和无源电路的倒焊互连，再批量分离出探测器，不仅提高了小尺寸探测器芯片倒焊互连工艺的稳定性和一致性，同时大大节省了同批次碲镉汞探测器的铟柱倒焊互连时间，提高了互连工艺段的生产效率。
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公开(公告)号：CN105655237A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610025472.1
申请日：2016-01-15
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/0209 , H01L21/02052
摘要： 本发明公开了一种碲镉汞材料的表面清洗方法，其包括对清洗液的选择和清洗步骤。针对碲镉汞表面存在的沾污，本发明选用MOS级三氯乙烯、溴-乙醇、清洗液a和清洗液b对碲镉汞表面进行清洗处理。另外，合理的清洗步骤能获得较好的清洗效果。首先，本发明对碲镉汞表面进行三氯乙烯的兆声清洗，目的是去除表面有机物。然后，对碲镉汞表面进行溴-乙醇腐蚀，目的是去除表面损伤和部分沾污。最后，先后使用清洗液a和清洗液b对碲镉汞表面进行兆声清洗，目的是去除表面离子沾污。本发明的优点是：对离子沾污的清洗效果显著，清洗效果稳定，引入新污染少。
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公开(公告)号：CN103668448A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310590963.7
申请日：2013-11-21
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种金掺杂p型碲镉汞材料的气相外延方法，该方法进行金掺杂p型碲镉汞材料的气相外延，材料在77k温度下，金掺杂外延材料的迁移率为1.39E+02cm2/Vs，载流子浓度可以达到2×1018cm-3，为典型的p型材料。而相同条件下不进行金掺杂的迁移率为6.42E+04cm2/Vs，载流子浓度为3×1015cm-3，为典型的n型材料。因此，该方法金掺杂的激活率非常高。本方法可以提高掺杂型长波p材料电学参数的稳定性，同时该掺杂在低成本的气相外延设备里即可以实现。
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公开(公告)号：CN113013026A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110100756.3
申请日：2021-01-26
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L21/265 , H01L31/18 , H01L31/103
摘要： 本发明公开了一种用于提高n型碲镉汞体晶载流子输运参数的方法。本发明利用碲镉汞半导体材料中Te‑Hg键结合能低的特点，通过氩离子束刻蚀在n型碲镉汞体内产生大量的汞填隙原子，在表面形成汞原子的稳态扩散源，汞填隙原子在体内扩散的同时，对材料内部的汞空位进行填充，实现对n型碲镉汞载流子浓度的有效调整；刻蚀过程中，汞填隙原子在氩离子的碰撞中获得能量，扩散过程中能量的释放也会改善材料内部可能存在的应力和缺陷，从而提高n型碲镉汞载流子迁移率。本方法操作简单，工艺周期短，采用该方法处理后的n型材料载流子输运参数得到明显改善，大大提高了材料的成品率。
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公开(公告)号：CN104630883A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410748474.4
申请日：2014-12-09
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种用于碲镉汞气相外延的多功能石墨舟，该石墨舟由石墨底座、石墨盖板、石墨掩片、石墨垫片四本部分组成，石墨掩片和石墨垫片可分别放入石墨底座内，石墨盖板置于石墨掩片和石墨垫片上部，对石墨底座进行密封。该石墨舟可以用于碲镉汞气相外延生长，可以实现多片(衬底尺寸可以控制在10mm*10mm～30mm*30mm)、异型形貌(如长方形、圆形、三角形、环形等)、异型尺寸(各种不规则尺寸衬底)的碲镉汞气相外延生长。为碲镉汞选择区域生长奠定了基础，该方法可以应用于短波、中波和长波碲镉汞等温气相外延领域。
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公开(公告)号：CN101170145A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710171389.6
申请日：2007-11-30
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/105 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种铟镓砷台面阵列探测器芯片的台面钝化膜及制备方法，其特征在于：所述的台面钝化膜是通过阳极氧化在台面列阵的上表面和侧面自生成的一层氧化物钝化膜。钝化膜的生成采用PH值为9的0.1mol/L的KOH溶液和逐步的升高电压的方式，使所形成的钝化膜具有良好的绝缘性、粘附性、优化了器件的表面特性，减小了表面和侧面的复合，进而减小暗电流，提高了探测器的量子效率、响应率和探测率。
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公开(公告)号：CN106435718B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201611063662.9
申请日：2016-11-25
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种用于碲镉汞气相外延生长的石英套管，该石英套管由99.99999％的高纯石英材料制成的石英外管、石英限位管和石英内管和石英塞组成。石英外管是一端封闭，一端开口的圆柱体结构，开口端与封闭门相连。石英限位管为圆柱体杯状结构，放置在石英外管内部，靠近封闭端。石英内管是一个一端封闭，一端带有椎度开口的圆柱体结构。石英塞也有带锥度圆柱体的中空的磨砂口塞子，与石英内管匹配，石英塞与带弹簧的不锈钢管相连。石英内管和石英塞均放置在石英外管内部，靠近封闭门。石英内管内部放置可以进行气相外延的石墨舟。该石英套管用于碲镉汞气相外延生长，实现高密闭性、快速升降温的碲镉汞气相外延生长。
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公开(公告)号：CN103187424B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310039941.1
申请日：2013-01-31
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种无源电路耦合的环孔型碲镉汞芯片，该芯片采用环孔工艺，把碲镉汞芯片耦合在无源电路上，即离子束刻蚀环孔的同时，在互连孔周围形成一个圆柱形N-on-P结，通过环孔金属化实现n型区与无源电路的互连。本发明的优点在于芯片可以通过金丝互连与读出电路实现连接，不仅克服了金丝覆盖光敏面问题，又可独立探测器芯片和读出电路，提高焦平面的成品率，同时发挥了环孔型探测器的优势，工艺简单，且具有高的填充因子。
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公开(公告)号：CN103343390A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310251737.6
申请日：2013-06-21
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种碲镉汞气相外延材料的P型热处理工艺方法，该方法采用开管式热处理工艺方法，可以在气相外延腔体内完成。该方法可以用于将利用气相外延技术生长的N型薄膜材料调整到77K空穴浓度为0.5～10×1016cm-3左右，使得生长出的碲镉汞气相外延材料满足制作N-on-P结构红外光伏器件制作的要求；在碲镉汞气相外延材料的P型热处理工艺中，热处理过程中要对腔体进行抽真空，从而为系统提供一个不平衡的汞压环境，以利于汞空位的形成；同时该方法无需在待处理样品表面生长CdTe覆盖层，避免了CdTe覆盖层和碲镉汞材料之间因晶格失配在外延材料表面产生失配位错，从而为光伏器件制作过程中ＰＮ结性能的提高提供了一定的保证。另外该方法也能保证碲镉汞外延材料组分的稳定和表面形貌的完整性。
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公开(公告)号：CN103305918A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310251547.4
申请日：2013-06-21
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种碲镉汞气相外延材料的N型热处理工艺方法，该方法采用开管式热处理工艺方法，可以在气相外延腔体内完成。该方法可以用于将利用气相外延技术生长的不均匀的N型薄膜材料调整到77K电子浓度为1～10×1014cm-3左右，迁移率105cm-3/V·s左右；使得生长出的碲镉汞气相外延材料满足制作红外光导器件制作的要求；在碲镉汞气相外延材料的N型热处理工艺中，无需再添加汞源，利用系统中原有的汞气氛便可实现；在对碲镉汞气相外延材料进行的N型热处理工艺中，需要在腔体中保持氢气的流通状态，以利于在热处理过程中气相与固相之间汞原子的交换，同时也为样品表面形貌的保持提供一定的保证。
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