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公开(公告)号：CN115498073A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202110674980.3
申请日：2021-06-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种氮化物发光器件制备方法，包括：在衬底上制备底层的底层DBR层；在所述底层DBR层上覆盖单层或多层的二维材料薄膜，形成二维材料缓冲层；在所述二维材料缓冲层上依次生长低温GaN成核层和GaN buffer层；在所述GaN buffer层上外延RCLED主体结构，所述RCLED主体结构在所述GaN buffer层上由下至上依次包括：n‑GaN层、多量子阱发光层及p‑GaN层；在所述顶层DBR层两侧的所述金属氧化物透明导电层上设置有p电极，在所述台阶区域上设置有n电极；在所述氮化物发光器件表面沉积绝缘层，并光刻腐蚀去除部分所述绝缘层且暴露出所述出光口、p电极及n电极，完成氮化物发光器件的制备。
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公开(公告)号：CN113394076A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110650580.9
申请日：2021-06-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02 , C01B32/194
Abstract: 本发明提出了一种氮化物生长方法，包括：准备一衬底；在所述衬底上制作石墨烯缓冲层；将所述石墨烯缓冲层进行图形化，得到图形化石墨烯缓冲层；在所述图形化石墨烯缓冲层上生长氮化物，得到生长完成的氮化物。该方法生长的氮化物可以极大的释放应力，同时图形化的石墨烯可以保证有裸露的衬底对外延生长的氮化物起到很好的调控作用，获得晶体质量较好的外延材料，解决氮化物异质外延的晶格大失配问题，减小器件的可靠性问题。
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公开(公告)号：CN111816729B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201910297009.6
申请日：2019-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/167 , H01L31/18
Abstract: 一种LED/ZnO纳米线阵列集成的光电晶体管芯片及其制备方法，该器件通过在UVA波段LED上生长垂直ZnO纳米线阵列，顶端通过石墨烯作为电流扩展层来制作电极。其中LED的N电极作为晶体管栅极，ZnO纳米线阵列一端作为源极，LED的P电极即LED与ZnO异质结界面作为漏极，通过栅极电压大小调节LED发光功率，进一步调控ZnO纳米线阵列的光电导大小。本发明利用ZnO纳米线阵列对近紫外光优良的光敏特性，使LED与ZnO纳米线阵列进行集成，实现了GaN基的光电互联，从而获得了光电集成晶体管芯片。
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公开(公告)号：CN111816729A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201910297009.6
申请日：2019-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/167 , H01L31/18
Abstract: 一种LED/ZnO纳米线阵列集成的光电晶体管芯片及其制备方法，该器件通过在UVA波段LED上生长垂直ZnO纳米线阵列，顶端通过石墨烯作为电流扩展层来制作电极。其中LED的N电极作为晶体管栅极，ZnO纳米线阵列一端作为源极，LED的P电极即LED与ZnO异质结界面作为漏极，通过栅极电压大小调节LED发光功率，进一步调控ZnO纳米线阵列的光电导大小。本发明利用ZnO纳米线阵列对近紫外光优良的光敏特性，使LED与ZnO纳米线阵列进行集成，实现了GaN基的光电互联，从而获得了光电集成晶体管芯片。
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公开(公告)号：CN109524490B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201811065138.4
申请日：2018-09-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0296 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/112 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本公开提供一种ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法，该ZnO/GaN异质结纳米线光开关包括：硅衬底、二氧化硅绝缘层以及ZnO/GaN异质结纳米线；二氧化硅绝缘层生长于硅衬底上；ZnO/GaN异质结纳米线设置于二氧化硅绝缘层上，沿其长度方向分为：ZnO纳米线和GaN纳米线，ZnO纳米线远离异质结界面的一端设置有源电极，异质结界面处设置有漏电极；GaN纳米线靠近异质结界面的一端与漏电极连接，另一端设置有栅电极。本公开提供的ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法利用ZnO纳米线优良的光敏效应，采用GaN纳米线发出的紫外光激发ZnO纳米线，调节ZnO纳米线光电导，实现栅极对源漏电流大小的有效控制，达到制作异质结纳米线光开关的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107910243A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201710969740.X
申请日：2017-10-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02603
Abstract: 本发明提供一种在衬底上制备GaN纳米线的方法，包括以下步骤：步骤1：清洗衬底；步骤2：在衬底上镀一层Ni和Au金属；步骤3：将镀有Ni和Au金属的衬底放入HVPE外延设备的反应室中，将反应室升温；步骤4：向反应室中通入反应气体，在衬底上生长GaN纳米线；步骤5：关闭通入的反应气体，将衬底降温，完成制备。本发明处理工艺简单，大大的降低了生长成本；生长的温度为高温，大大提高晶体质量；纳米线方向具有一定的可控性，有利于后续器件制备。
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公开(公告)号：CN104465748B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201410708477.5
申请日：2014-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三金属电极覆盖于高空穴浓度结构层的上表面；钝化介质层覆盖在得到的基板的上表面且形成台面图形；钝化保护层覆盖在钝化介质层的上表面。本发明还公开了一种GaN基增强型HEMT器件的制备方法。本发明可靠性高，重复性好，通过选择不同的组分渐变范围、不同的氮化物合金及其掺杂浓度和厚度可以实现对器件阈值电压的调节，使制得的器件满足不同的要求。
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公开(公告)号：CN104143593B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410337635.0
申请日：2014-07-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供了一种在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法，包括下列步骤：在SiC衬底上生长LED外延片；制备出P面具有反射金属膜的外延片，与新的衬底键合，形成倒装结构的LED外延片；采用机械研磨工艺将SiC衬底减薄；在SiC衬底表面形成一层厚导光层，由此得到具有导光层的SiC衬底的GaN基LED。本发明简单可靠、易于实现，可显著提高SiC衬底LED器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN102969411B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201210505932.2
申请日：2012-11-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法，包括：在衬底上依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；减薄衬底；步骤3：在ITO层上面蒸度氧化硅保护膜；在衬底背面蒸度二氧化硅膜，并做出图形，腐蚀掉二氧化硅膜，形成外延片；刻蚀掉衬底上一侧的N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层，形成台面；将刻蚀后的外延片衬底放入浓硫酸和浓磷酸混合液中腐蚀，在衬底的背面腐蚀出沟槽；用激光器在台面上打通孔；在衬底上的N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层的侧壁及通孔的侧壁制作绝缘层；在绝缘层上制作导电层，该导电层便覆盖部分ITO层；在ITO层的中心处制作P型电极，该P型电极与导电层连接；在衬底背面蒸度N电极，完成制备。
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公开(公告)号：CN102891232B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201210375368.7
申请日：2012-09-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。该半导体发光器件，包括：第二电极；第一掺杂类型的第一半导体层，与第二电极电性连接；有源层，形成于第一半导体层上；第二掺杂类型的第二半导体层，形成于有源层上；第一掺杂类型的第一简并半导体层，形成于第二半导体层上；第二掺杂类型的第二简并半导体层，形成于第一简并半导体层上；第一电极，与第二简并半导体层电性连接。本发明通过在半导体发光器件插入正偏的隧穿pn结，大幅增强功率型半导体发光器件的电流分布均匀性，解决电流集边效益。
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