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公开(公告)号：CN117950213A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202211351905.4
申请日：2022-10-31
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种电光调制器及其制备方法，属于光电调制技术领域。电光调制器包括从上至下依次设置的衬底、底部电极、埋氧层、铌酸锂波导层、图案化硅波导层、保护层和顶部电极；图案化硅波导层异质集成在铌酸锂波导层上，铌酸锂波导层的晶向为Z切Y传，电光调制器上还开设有通孔，所述通孔从保护层开始贯穿至埋氧层，顶部电极包括第一顶部电极和第二顶部电极，第一顶部电极通过通孔与底部电极电性连接。该电光调制器可以不用在铌酸锂波导层上形成脊型结构，避免了对铌酸锂波导进行刻蚀，从而可以减小铌酸锂波导的传输损耗。且该铌酸锂波导层晶向为Z切Y传，可以在不增加器件尺寸的情况下，增加调制区域长度，从而提高调制效率。
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公开(公告)号：CN106000776B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201610565195.3
申请日：2016-07-18
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种涂胶装置，该装置包括载台、吸附于载台之上的晶圆，以及晶圆上方的胶体注入管路，胶体注入管路具有一喷头，该喷头正对晶圆表面，该装置还包括：一圆形托盘，设置于晶圆上方，在涂胶时该圆形托盘与晶圆一起夹住旋涂于晶圆表面的胶体，使胶体不会朝某个方向流出，并能得到较厚的胶膜。对于需要将粘度较小的胶涂布成较厚的膜时，本发明提供的这种涂胶装置，圆形托盘与晶圆可以一起先将胶体夹住一段时间，等胶体粘度增大到某个点时，再进行旋涂，进而能够得到较厚的胶膜。
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公开(公告)号：CN116047657A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310059132.0
申请日：2023-01-17
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明涉及一种能兼容SMF28光纤的LNOI边缘耦合器及制备方法和应用，属于硅光子集成电路技术领域，解决了现有技术中LNOI边缘耦合器无法与SMF28单模光纤直接耦合的问题。所述LNOI边缘耦合器包括由下至上依次设置的硅衬底、埋氧层、LNOI层和SiO2包层，所述硅衬底的内部设置有与外界空气连通的空腔，所述空腔由所述硅衬底的上表面向下延伸。该LNOI边缘耦合器能够匹配SMF28中的模场直径，可以实现与SMF‑28单模光纤的高效耦合，极大地增加了耦合容差。
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公开(公告)号：CN115185045A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110362792.7
申请日：2021-04-02
申请人： 中国科学院微电子研究所
发明人： 薛海韵
IPC分类号： G02B6/42 , H04B10/2575
摘要： 本发明涉及一种光纤拉远处理器模组结构，解决了高频信号传输过程中带宽以及传输效率受限的问题。该结构包括多个光互连结构、开关组件、第一/第二印刷电路板以及处理器芯片；光互连结构和开关组件平行设置于第一印刷电路板上表面，光互连结构用于实现低速电信号与载波光学信号之间的转换，开关组件用于控制光互连结构与处理器芯片之间的导通或关断；第二印刷电路板平行设置于第一印刷电路板下表面，并通过电连接器与第一印刷电路板电连接；处理器芯片，用于产生或接收低速电信号，位于第二印刷电路板下表面，并通过第二印刷电路板、电连接器以及第一印刷电路板与光互连结构电连接。减小了电信号的传输距离，以更低功耗实现更大带宽的信号传输。
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公开(公告)号：CN115185044B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202110361540.2
申请日：2021-04-02
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G02B6/42
摘要： 本发明涉及一种基于多个光互连结构的光线拉远处理器模组结构，包括多个光互连结构、开关组件、第一/第二印刷电路板和处理器芯片；光互连结构垂直设置于第一印刷电路板的第一侧面，通过其侧端与第一印刷电路板连接，实现低速电信号与载波光学信号的转换；开关组件位于第一印刷版的第一或第二侧面，用于控制光互连结构与处理器芯片的导通或关断；第二印刷电路板垂直设置于第一印刷电路板的第二侧面，通过第一电连接器与第一印刷电路板电连接；处理器芯片，用于产生或接收低速电信号，位于第二印刷电路板的上表面，通过第二印刷电路板、第一电连接器和第一印刷电路板与光互连结构电连接。减小电信号的传输距离，以更低功耗实现更大带宽的信号传输。
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公开(公告)号：CN116544204A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310009602.2
申请日：2023-01-04
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L23/473 , G02B6/42 , H05K7/20
摘要： 本发明公开一种液冷散热结构，本发明涉及光电合封技术领域，用于解决现有技术中针对大功耗交换芯片异形封装的光电合封系统散热效果差、均温性差的问题。包括：分液结构、第一微流道结构、接触冷板以及第二微流道结构；接触冷板覆盖在第二微流道结构上方，第一微流道结构覆盖在接触冷板上方；第一微流道结构上方设置有分液结构；分液结构为螺旋桨式；第一微流道结构为针对光芯片设置的结构；第二微流道结构为针对交换芯片设置的结构。螺旋桨式均匀分液结构，能够实现光芯片的均温性、低温性，同时保证光芯片与大功耗交换芯片不会造成彼此的热串扰，提升针对大功耗交换芯片异形封装的光电合封系统的散热效果。
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公开(公告)号：CN115340058A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110523470.6
申请日：2021-05-13
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种具有空腔结构的电子器件及其制备方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中具有空腔结构的电子器件采用标准的微电子组装技术存在污染或者损坏空腔结构的问题。本发明的电子器件，包括器件基体和封盖层，器件基体的至少一个表面开设有空腔结构，器件基体设有空腔结构的表面覆盖封盖层，使得封盖层封盖空腔结构的开口。本发明的制备方法包括如下步骤：在器件基体设有空腔结构的表面形成封盖层，使得封盖层封盖空腔结构的开口。本发明的电子器件和制备方法能够保证空腔结构的完整性和洁净度，进而能够提高电子器件的整体稳定性。
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公开(公告)号：CN115185044A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110361540.2
申请日：2021-04-02
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G02B6/42
摘要： 本发明涉及一种基于多个光互连结构的光纤拉远处理器模组结构，包括多个光互连结构、开关组件、第一/第二印刷电路板和处理器芯片；光互连结构垂直设置于第一印刷电路板的第一侧面，通过其侧端与第一印刷电路板连接，实现低速电信号与载波光学信号的转换；开关组件位于第一印刷版的第一或第二侧面，用于控制光互连结构与处理器芯片的导通或关断；第二印刷电路板垂直设置于第一印刷电路板的第二侧面，通过第一电连接器与第一印刷电路板电连接；处理器芯片，用于产生或接收低速电信号，位于第二印刷电路板的上表面，通过第二印刷电路板、第一电连接器和第一印刷电路板与光互连结构电连接。减小电信号的传输距离，以更低功耗实现更大带宽的信号传输。
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公开(公告)号：CN118231393A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202211632944.1
申请日：2022-12-19
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L23/367 , H01L23/498
摘要： 本发明涉及一种3D光电集成系统及其制备方法，属于光电集成技术领域，解决了现有技术中三维光电集成系统存在光电性能不佳的问题。所述3D光电集成系统包括电芯片和光芯片；光芯片包括埋氧层、顶层硅、包层和倒锥形耦合器，包层设置在埋氧层的上表面，顶层硅设置在包层中且与埋氧层的上表面接触；光芯片还设置有自包层的上表面贯穿至埋氧层的下表面的氧化层通孔，氧化层通孔的上端和下端分别设置金属焊盘和焊球；顶层硅的上方且靠近包层的表面出设置有电极，电极通过微孔与顶层硅连接，电极的上表面设置有金属焊盘和焊球；电芯片倒装在光芯片上，电芯片通过焊球与光芯片互连。有效避免衬底硅寄生参数大和部分光泄漏到硅衬底中的问题。
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公开(公告)号：CN115185045B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202110362792.7
申请日：2021-04-02
申请人： 中国科学院微电子研究所
发明人： 薛海韵
IPC分类号： G02B6/42 , H04B10/2575
摘要： 本发明涉及一种光纤拉远处理器模组结构，解决了高频信号传输过程中带宽以及传输效率受限的问题。该结构包括多个光互连结构、开关组件、第一/第二印刷电路板以及处理器芯片；光互连结构和开关组件平行设置于第一印刷电路板上表面，光互连结构用于实现低速电信号与载波光学信号之间的转换，开关组件用于控制光互连结构与处理器芯片之间的导通或关断；第二印刷电路板平行设置于第一印刷电路板下表面，并通过电连接器与第一印刷电路板电连接；处理器芯片，用于产生或接收低速电信号，位于第二印刷电路板下表面，并通过第二印刷电路板、电连接器以及第一印刷电路板与光互连结构电连接。减小了电信号的传输距离，以更低功耗实现更大带宽的信号传输。
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