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公开(公告)号：CN104900611A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510312334.7
申请日：2015-06-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/31
CPC classification number: H01L2224/16225
Abstract: 本发明公开了一种基于柔性基板的三维封装散热结构及其制备方法，该三维封装散热结构具有一石墨烯散热片，该石墨烯散热片直接接触于封装体内各芯片的表面，从而在封装体内增加了一条直接通向外部的散热通道。本发明是在基于柔性基板的三维封装过程中，在封装体内埋入超薄且柔韧性较好的石墨烯散热片，从而在封装体内增加了一条直接通向外部的散热通道，利用石墨烯面内超高导热性能，使热量能迅速沿着石墨烯散热片进行面传递，进而使封装体内部芯片产生的热量能够迅速传递出去，提高了封装体内部芯片的散热效率，大大优化了散热效果，增加了器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN104900611B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201510312334.7
申请日：2015-06-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/31
CPC classification number: H01L2224/16225
Abstract: 本发明公开了一种基于柔性基板的三维封装散热结构及其制备方法，该三维封装散热结构具有一石墨烯散热片，该石墨烯散热片直接接触于封装体内各芯片的表面，从而在封装体内增加了一条直接通向外部的散热通道。本发明是在基于柔性基板的三维封装过程中，在封装体内埋入超薄且柔韧性较好的石墨烯散热片，从而在封装体内增加了一条直接通向外部的散热通道，利用石墨烯面内超高导热性能，使热量能迅速沿着石墨烯散热片进行面传递，进而使封装体内部芯片产生的热量能够迅速传递出去，提高了封装体内部芯片的散热效率，大大优化了散热效果，增加了器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN104459420B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201410841720.0
申请日：2014-12-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种TSV孔内介质层的电学性能检测方法。包括：将沉积有介质层的TSV晶圆正向放置在真空环境中，晶圆上的TSV孔的开口朝上。在TSV孔内注入去离子水，并测量去离子水的流量；检测TSV孔内的液面高度，当去离子水注满TSV孔时，停止注入去离子水，记录去离子水的总流量。对晶圆进行干燥，除去TSV孔内的去离子水；将晶圆反向放置，TSV孔的开口朝下。在TSV孔内注入汞，并测量汞的流量，控制汞的总流量小于记录的去离子水的总流量；采用汞探针C‑V测试仪对TSV孔进行电学性能检测。本发明提供的TSV孔内介质层的电学性能检测方法，能够方便地对TSV孔进行电学性能检测。
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公开(公告)号：CN104045056B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410318509.0
申请日：2014-07-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种有序堆积的纳米线膜/体的制造方法。包括：准备事先制备的纳米线；将所述纳米线悬浮在溶剂中，形成均匀的悬浊液；将所述悬浊液装入离心管；所述悬浊液进行高速离心沉淀，所有的纳米线沉淀在管底，形成有序堆积的纳米线沉淀；移除上清液，将有序堆积的纳米线沉淀进行烘干并从离心管管底剥离，完成制造有序堆积的纳米线膜/体。本发明提供的纳米线膜/体的制造方法不需要生长种子层就能获得致密的纳米材料，且不受材料和制备方法的限制。
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公开(公告)号：CN104459420A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410841720.0
申请日：2014-12-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种TSV孔内介质层的电学性能检测方法。包括：将沉积有介质层的TSV晶圆正向放置在真空环境中，晶圆上的TSV孔的开口朝上。在TSV孔内注入去离子水，并测量去离子水的流量；检测TSV孔内的液面高度，当去离子水注满TSV孔时，停止注入去离子水，记录去离子水的总流量。对晶圆进行干燥，除去TSV孔内的去离子水；将晶圆反向放置，TSV孔的开口朝下。在TSV孔内注入汞，并测量汞的流量，控制汞的总流量小于记录的去离子水的总流量；采用汞探针C-V测试仪对TSV孔进行电学性能检测。本发明提供的TSV孔内介质层的电学性能检测方法，能够方便地对TSV孔进行电学性能检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104045056A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410318509.0
申请日：2014-07-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种有序堆积的纳米线膜/体的制造方法。包括：准备事先制备的纳米线；将所述纳米线悬浮在溶剂中，形成均匀的悬浊液；将所述悬浊液装入离心管；所述悬浊液进行高速离心沉淀，所有的纳米线沉淀在管底，形成有序堆积的纳米线沉淀；移除上清液，将有序堆积的纳米线沉淀进行烘干并从离心管管底剥离，完成制造有序堆积的纳米线膜/体。本发明提供的纳米线膜/体的制造方法不需要生长种子层就能获得致密的纳米材料，且不受材料和制备方法的限制。
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公开(公告)号：CN106356344B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201610810942.5
申请日：2016-09-08
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/467
Abstract: 本发明涉及一种基于三维堆叠封装的风冷散热结构及制造方法，包括依次堆叠于PCB板上的多层基板，在每一层基板的正面设置芯片，芯片的微凸点与基板正面的焊盘连接，基板的背面焊盘处形成BGA焊球；其特征是：在除最底层基板以外的每一层基板中设置通孔，通孔连通基板的正面和背面。在最底层的基板中设置通孔。所述上下层基板的通孔在竖直方向上位置一致。所述基板的堆叠层数为2层、3层或3层以上。所述芯片为裸芯片或经过封装后的芯片。所述基板为有机基板、陶瓷基板或Si转接板。所述通孔的位置分布在基板中央，或者在基板两侧。本发明所述散热结构工艺简单，制作成本低，可以实现大幅度降温，有效解决多层堆叠芯片的散热问题。
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公开(公告)号：CN106356344A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610810942.5
申请日：2016-09-08
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/467
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311 , H01L23/367 , H01L23/467
Abstract: 本发明涉及一种基于三维堆叠封装的风冷散热结构及制造方法，包括依次堆叠于PCB板上的多层基板，在每一层基板的正面设置芯片，芯片的微凸点与基板正面的焊盘连接，基板的背面焊盘处形成BGA焊球；其特征是：在除最底层基板以外的每一层基板中设置通孔，通孔连通基板的正面和背面。在最底层的基板中设置通孔。所述上下层基板的通孔在竖直方向上位置一致。所述基板的堆叠层数为2层、3层或3层以上。所述芯片为裸芯片或经过封装后的芯片。所述基板为有机基板、陶瓷基板或Si转接板。所述通孔的位置分布在基板中央，或者在基板两侧。本发明所述散热结构工艺简单，制作成本低，可以实现大幅度降温，有效解决多层堆叠芯片的散热问题。
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公开(公告)号：CN103296009B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201210043664.7
申请日：2012-02-22
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/552
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种带有EBG的屏蔽结构、3D封装结构及其制备方法，所述带有EBG的屏蔽结构包括绝缘层及至少两金属平面；其中，至少一金属平面蚀刻有周期性EBG结构；所述金属平面之间设置有绝缘层。所述制备带有EBG屏蔽结构的方法包括制备至少一层金属平面；制备中间绝缘层；制备至少一层带有周期性EBG结构的金属平面。所述一种3D封装结构，包括带有EBG的屏蔽结构、裸芯片、互联基板；所述裸芯片键合在所述互联基板上，所述裸芯片与所述屏蔽结构连接。还提供一种3D封装的制备方法。本发明能有效降低垂直3D互联封装中芯片间的近场耦合问题。
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公开(公告)号：CN103222845B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201310176525.6
申请日：2013-05-14
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种多镜头全视角内窥镜的封装方法,包含：以刚柔结合板为基板，将所述内窥镜设置在所述刚柔结合板上；所述刚柔结合板包含刚性板和柔性板，所述刚柔结合板能够通过所述柔性板弯曲形成几何体，其中，所述刚性板之间的机械和电气互连通过所述柔性板实现，所述刚性板作为所述几何体的面。本发明提供的多镜头全视角内窥镜的封装方法,采用刚柔结合板作为基板，该刚柔结合板包含刚性板以及连接刚性板的柔性板，整个刚柔结合板可以弯折形成几何体,解决了现有的多镜头全视角内窥镜的封装方法采用柔性板形成几何体时难于成型的问题。
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