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公开(公告)号：CN114351256A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202011090389.5
申请日：2020-10-13
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种晶舟、拆装工具以及晶圆加工设备，该晶舟包括第一固定板、第二固定板和多个立柱，每一立柱的两端分别与第一固定板和第二固定板连接，每一立柱上均设置有支撑部，支撑部用于支撑晶圆，第一固定板与每一立柱之间和第二固定板与每一立柱之间均通过连接件连接；其中，连接件上均设置有凸起，凸起设置成与拆装工具配合以拆装晶舟。根据发明实施例的晶舟，进行扩散工艺的过程中，扩散所使用的颗粒粉末或沉积物沉积在连接件的凸起的表面不会影响晶舟的拆装过程，拆卸后进行清洗以提高晶舟的重复利用率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN114763878B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202110057327.2
申请日：2021-01-15
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种泄漏检测件、气体管路、制造设备以及管道泄漏检测方法，该泄漏检测件用于检测管道，包括固定部和检测部，固定部用于与管道以可拆卸连接的方式连接，管道中通入气体，检测部设置在固定部上，通过检测部与气体接触的化学反应确定管道发生泄漏。根据发明实施例的泄漏检测件，通过检测部与气体接触时，发生化学反应确定管道泄漏，将微小的变化转变为肉眼可以观察到的变化，弥补了通过压力检测的方式检测范围有限的缺点，响应时间短，灵敏度高，检测成本低。确定管道出现泄漏后，对管道进行及时的维修，使气体能够完全被导入反应室中并在工件表面发生反应，进而保证集成电路产品的生产过程和品质。
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公开(公告)号：CN115747764A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202111029417.7
申请日：2021-09-02
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52
摘要： 本发明公开一种原子层沉积设备、方法以及半导体制造系统，涉及半导体器件技术领域，以提供一种可以在对晶圆进行膜层沉积时，使晶圆表面各个区域的膜层厚度相同的原子层沉积设备。该原子层沉积设备，包括处理腔室、喷嘴组件、厚度检测器以及与喷嘴组件和膜层厚度检测器通信的处理器。喷嘴组件位于处理腔室内，与沉积气体源连通，且喷嘴组件与处理腔室内的晶圆相对设置。厚度检测器用于检测晶圆不同区域沉积的膜层厚度，并将晶圆不同区域沉积的膜层厚度发送给控制器。控制器用于根据晶圆不同区域沉积的膜层厚度，控制喷嘴组件向晶圆的不同区域提供不同流量的沉积气体。
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公开(公告)号：CN114628275A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011443033.5
申请日：2020-12-11
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本申请属于半导体加工设备技术领域，具体涉及一种冷却装置及具有其的半导体扩散设备。所述冷却装置包括：壳体，所述壳体内形成有容纳扩散炉体的容纳空间，所述扩散炉体内容纳有晶圆；至少两个喷射口，至少两个所述喷射口沿所述扩散炉体的长度方向均匀设置在所述壳体上，至少两个所述喷射口与所述容纳空间连通，至少两个所述喷射口用于向所述扩散炉体喷射冷却介质。根据本发明的冷却装置，使冷却介质通过沿扩散炉体的长度方向设置的至少两个喷射口分别向扩散炉体喷射，以冷却介质通过不同的喷射口直接对扩散炉体进行冷却，从而保证扩散炉体的不同位置的冷却速度，至少两个喷射口均匀布置在壳体上，使扩散炉体及其内部的晶圆冷却均匀。
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公开(公告)号：CN114628254A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011439749.8
申请日：2020-12-10
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L21/318
摘要： 本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种氮化硅沉积方法及半导体装置的制造方法，提供反应腔室，所述反应腔室内放置有待处理晶圆；对所述反应腔室进行升温，使所述反应腔室升温至起始沉积温度，然后通入反应气体进行沉积；控制降温速率对所述反应腔室进行降温，使所述反应腔室自所述起始沉积温度降温到正常沉积温度，并保持在正常沉积温度；其中，所述正常沉积温度小于所述起始沉积温度。在升温过程和降温过程中也导入反应气体进行薄膜的扩散沉积，从而使整个扩散沉积中形成一个良好的温差互补，使得最终制备出的薄膜厚度均匀。
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公开(公告)号：CN114551274A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202011355983.2
申请日：2020-11-26
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本申请属于半导体加工技术领域，具体涉及一种用于半导体加工线的排气系统，半导体加工线包括多台半导体加工设备，每台半导体加工设备内设置有加工腔室，排气系统用于对多台半导体加工设备的多个加工腔室进行排气，排气系统包括：排气站，排气站包括靠近半导体加工线设置的排气泵；滑动轨道，滑动轨道设置于半导体加工线的顶部，且滑动轨道的滑动行程覆盖多个加工腔室；对接管道，对接管道可滑动地设置于滑动轨道上并与排气泵连通，对接管道通过在滑动轨道上移动的方式选择性地与多个加工腔室中的一个对接。根据本申请的用于半导体加工线的排气系统，能够通过由排气站和对接管道组成的一套排气系统实现对多个加工腔室进行抽真空的目的。
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公开(公告)号：CN115199841A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110396419.3
申请日：2021-04-13
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： F16L37/38 , F16L37/407
摘要： 本发明公开一种快速插头及其使用方法，涉及半导体技术领域，以解决由于流体供应管路内存在压力的情况下，公头和母头不能紧密连接的问题。快速插头，包括公头和母头。所述公头的一端和流体供应管路连接，所述公头的另一端和所述母头连接，所述母头的一端与流体输送管路连接。所述公头包括公头本体以及连通器，所述连通器位于所述公头本体内，所述连通器用于控制所述流体供应管路内的流体流经所述公头的通断。所述快速插头的使用方法包括上述技术方案所提的快速插头。本发明提供的快速插头用于连接流体供应管路和流体输送管路。
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公开(公告)号：CN114763878A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110057327.2
申请日：2021-01-15
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种泄漏检测件、气体管路、制造设备以及管道泄漏检测方法，该泄漏检测件用于检测管道，包括固定部和检测部，固定部用于与管道以可拆卸连接的方式连接，管道中通入气体，检测部设置在固定部上，通过检测部与气体接触的化学反应确定管道发生泄漏。根据发明实施例的泄漏检测件，通过检测部与气体接触时，发生化学反应确定管道泄漏，将微小的变化转变为肉眼可以观察到的变化，弥补了通过压力检测的方式检测范围有限的缺点，响应时间短，灵敏度高，检测成本低。确定管道出现泄漏后，对管道进行及时的维修，使气体能够完全被导入反应室中并在工件表面发生反应，进而保证集成电路产品的生产过程和品质。
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公开(公告)号：CN114628273A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011436731.2
申请日：2020-12-11
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本申请属于半导体加工技术领域，具体涉及一种半导体加工设备以及半导体加工监测方法，半导体加工设备包括：装载台，用于装载盛放有晶圆的晶舟；摄像装置，摄像装置设置于半导体加工设备内且摄像区域覆盖晶舟，用于拍摄晶圆图像；控制器，控制器与摄像装置电连接，用于接收摄像装置拍摄的晶圆图像和分析晶圆图像并控制半导体加工设备采取应对措施。根据本申请的半导体加工设备，通过在半导体加工设备内设置用于拍摄晶圆图像的摄像装置，从而使半导体加工设备的控制器能够根据拍摄到的晶圆图像判断晶圆是否发生破损现象，当晶圆发生破损现象后，控制器能够控制半导体加工设备采取应对措施。
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