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公开(公告)号：CN116544310A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310591319.5
申请日：2023-05-24
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0445 , H01L31/032 , H01L31/072
摘要： 本发明公开了一种低温硫等离子体钝化薄膜太阳能电池吸收层及其制备方法与应用，该方法采用新设计的硫等离子体激发装置通过对薄膜太阳能电池的吸收层表面进行硫等离子体的钝化处理来改变表面电子空穴聚集状态，以调整能带排列从而抑制晶界面处电子空穴复合，降低漏电流，最终提高器件效率。本发明提供了一种新的、无需加热就能有效的钝化方法，所制备的CZTSe太阳能电池钝化处理后开路电压提升至376.8mV，短路电流降低至36.2mA/cm2，填充因子提升至69.5％，效率提升至8.98％。
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公开(公告)号：CN115498054A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211156879.X
申请日：2022-09-22
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0749 , H01L31/0445 , H01L31/18 , H01L21/02 , C23C14/06
摘要： 本申请提供的铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法，包括依次层叠设置的衬底、Mo背电极、CIGS吸收层、ZnxIn1‑xS缓冲层、透明导电层以及Ni‑Al栅电极，所述ZnxIn1‑xS缓冲层通过中频磁控溅射法沉积得到，本申请提供的铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法，以中频磁控溅射法沉积ZnxIn1‑xS(0
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公开(公告)号：CN117712467A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311599866.4
申请日：2023-11-27
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： H01M10/0562 , H01M10/0525
摘要： 本申请提供的多晶固态电解质薄膜及制备方法，制备Li4‑xMxSn1‑xS4多元化合物固态电解质的前驱体材料层；将所述前驱体材料层于40～60kpa且含有0.5％～4％H2S的惰性气体氛围中在200～400℃高温处理0.5～3小时；保持上述温度不变，对高温处理后的所述前驱体材料层进行激光辅助热退火处理以使所述前驱体材料层发生重结晶，获得所述多晶固态电解质薄膜，与现有技术相比，本申请选用兼顾高离子电导率并对结晶温度要求更加低的硫化物作为薄膜电解质材料，引入脉冲激光辅助热处理工艺保持化合物薄膜完整结晶的同时进一步降低整体退火的温度平台，由此提高固态电解质薄膜的实际应用潜力。
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公开(公告)号：CN115602915A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211282225.1
申请日：2022-10-19
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院(CN)
IPC分类号： H01M10/0562 , H01M10/0525
摘要： 本发明公开一种反应共溅射制备固态电解质薄膜及其制备方法与应用。该方法包括以下步骤：a.选择Li靶、SnS2靶、M靶作为溅射靶材；b.采用射频磁控溅射设备进行共反应溅射制备电解质薄膜；c.退火后处理，制备获得所需的固态电解质薄膜。本发明的方法实现了多靶共溅射制备固态电解质薄膜，相对于LiPON的电解质薄膜不仅避免了特定靶材的制作，同时提高了溅射制备的速率。更为难得的是其在空气中能够稳定存在，其最高离子电导率可达3.5*10‑4S/cm，可用于全固态薄膜锂离子电池的制备合成。
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公开(公告)号：CN112736150B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202110017020.X
申请日：2021-01-07
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/0445 , H01L31/18
摘要： 本发明提供的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法及铜铟镓硒薄膜太阳能电池，在所述衬底上制备薄膜吸收层，对所述薄膜吸收层进行激光局部加热钝化，对钝化处理后的所述薄膜吸收层生长CdS缓冲层，在所述CdS缓冲层表面形成窗口层，及在所述窗口层表面形成金属栅电极，本发明提供的制备方法，采用先刻蚀，再激光局部加热钝化CIGS表面，最后使用硫化液去除激光加热产生的悬挂键，以此对CIGS吸收层表面进行钝化，钝化表面晶界形成轻掺杂层，提高了电池效率。
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公开(公告)号：CN117393841A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311114597.8
申请日：2023-08-31
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： H01M10/0562 , H01M10/0525 , H01M10/058
摘要： 本发明涉及基于SnSb合金的全固态锂离子电解质及其制备方法。根据全固态锂离子电解质的化学式构成，先将金属元素进行叠层与压缩处理得到均匀合金，再进行硫化退火以及二次硫化退火处理得到成品。本发明使用Li箔与SnSb箔轧辊得到Li‑SnSb合金箔以替换传统的利用硫化锂、硫化锡、三硫化二锑以及硫粉经过长时间行星球磨与高温煅烧的制备方法，本发明降低了生产成本与制备温度节约了生产周期，且片状的Li‑SnSb合金箔易于硫化，工艺放大简单，使Li4‑xSn1‑xSbxS4体系大规模产业化成为可能。
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公开(公告)号：CN115692832A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211392978.8
申请日：2022-11-08
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： H01M10/0562 , H01M10/0525
摘要： 本申请提供的硫化物固态电解质的制备方法，根据硫化物固态电解质的化学式，获取除硫外的其他对应物质的比例；将对应的物质叠层设置并进行压缩处理，得到固态合金；将所述固态合金进行硫化处理，得到所述硫化物固态电解质样品；将所述硫化物固态质电解样品进行退火处理，得到所述硫化物固态电解质，本申请上述实施例制备得到的Li4SnS4，相对于传统的固态电解质具有更好的离子电导率，其离子电导率达到了3.5*10(‑4)S cm(‑1)，与其它硫系固态电解质相比具有十分优良的空气稳定性，且对该固态电解质做M金属参杂可以显著提高其离子电导率，上述制备方法，易于工艺放大，同时金属硫化反应活性高，容易产生相应的硫化物，大幅降低了了硫化物固态电解质制备的成本，缩短了生产周期，使li4SnS4大规模产业化成为可能。
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公开(公告)号：CN112736150A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110017020.X
申请日：2021-01-07
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/0445 , H01L31/18
摘要： 本发明提供的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法及铜铟镓硒薄膜太阳能电池，在所述衬底上制备薄膜吸收层，对所述薄膜吸收层进行激光局部加热钝化，对钝化处理后的所述薄膜吸收层生长CdS缓冲层，在所述CdS缓冲层表面形成窗口层，及在所述窗口层表面形成金属栅电极，本发明提供的制备方法，采用先刻蚀，再激光局部加热钝化CIGS表面，最后使用硫化液去除激光加热产生的悬挂键，以此对CIGS吸收层表面进行钝化，钝化表面晶界形成轻掺杂层，提高了电池效率。
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公开(公告)号：CN108075015A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711331182.0
申请日：2017-12-13
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/072 , H01L31/032
摘要： 本发明公开了太阳能电池CdS/Zn(SO)混合缓冲层的制备方法，包括以下步骤：加热水浴容器内的水，使水的温度达到水浴温度；利用水对硫脲溶液进行加热，使硫脲溶液开始分解；利用水对硫酸镉溶液进行预热；将氨水、硫脲溶液和硫酸镉溶液混合，并将生长基体浸入氨水、硫脲溶液和硫酸镉溶液混合的混合溶液中，反应后在生长基体上生成CdS薄膜。本发明还公开了由上述制备方法获得的太阳能电池CdS/Zn(SO)混合缓冲层的应用。本发明中的混合缓冲层CdS/Zn(SO)比现有的CdS缓冲层在短波处的透过有明显的增强，在CZTS薄膜太阳能电池上应用后发现短路电流得到很大提升；同时也降低了有毒物质Cd的用量；与Zn(SO)缓冲层相比，有CdS过渡层的CZTS薄膜太阳能电池界面性能方法有很大提升。
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公开(公告)号：CN117794352A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311626715.3
申请日：2023-11-29
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
摘要： 本申请实施例涉及离子固体器件技术领域，特别涉及一种锂离子固体场效应晶体管及其制备方法，该晶体管包括：衬底以及堆叠在衬底上的栅介质层、分别位于栅介质层的两端的源极、漏极，以及位于栅介质层的上方的沟道层；沟道层的材料为锂离子薄膜固态电解质；沟道层位于源极和漏极之间，且沟道层的顶面低于源极和漏极的顶面。本申请实施例提供一种锂离子固体场效应晶体管，采用薄膜固态电解质沟道层代替传统的半导体沟道层，通过栅电极施加电压调控沟道中锂离子的迁移，改善其离子电导率，离子型晶体管具有一定的开关比特性。
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