公开(公告)号：CN117626195A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311546616.4

申请日：2023-11-17

申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院 ,  深圳市纳设智能装备股份有限公司

发明人： 宁德 ,  钱玖通 ,  陈炳安 ,  钟国仿 ,  吴唯 ,  章文丽 ,  王思达 ,  胡永军 ,  李伟民 ,  钟国华 ,  杨春雷

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/06

摘要： 本发明公开了一种基于高功率脉冲磁控溅射的碳化硅防护涂层的制备方法，靶材选取的是SiC单靶，靶材纯度为99.99％，采用的靶基距为8cm，衬底材料为石墨片，氩气纯度达到了99.999％，镀膜有效面积为10×10cm2，背底真空为1×10‑4Pa。在石墨表面沉积前，先对石墨表面进行乙醇超声清洗、烘干，将石墨片安装在镀膜支架上进入反应腔室，对反应腔室预溅射30分钟，溅射温度设置到150℃，平均功率为300w，频率为500Hz。本方法制备的碳化硅薄膜，粘附力强，性能优良，可有效对石墨进行保护。

公开(公告)号：CN117646181A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202311553174.6

申请日：2023-11-17

申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院 ,  深圳市纳设智能装备股份有限公司

发明人： 宁德 ,  章文丽 ,  陈炳安 ,  杨春雷 ,  钟国仿 ,  吴唯 ,  钱玖通 ,  王思达 ,  胡永军 ,  李伟民 ,  钟国华

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/10 ,  H01L21/02

摘要： 本发明提供一种半导体封装用二氧化硅薄膜及其制备方法，包括：提供一衬底；将衬底置于中频磁控溅射腔室内，向溅射腔室内通入溅射气体和反应气体；其中，溅射腔室内安装硅靶作为溅射靶，溅射气体为氩气，流量为350～400sccm，反应气体为氧气，流量为35～45sccm，腔室内气压为0.2～2.0Pa，溅射腔室内反应温度为150～160℃，中频的功率为5～7KW。本发明采用中频磁控溅射法制备二氧化硅薄膜，该方法具有操作简便、沉积速率快、对基板材料限制较少的优点，同时采用该制备方法得到的二氧化硅薄膜无需后处理，普适性强，同时得到的二氧化硅薄膜表面均匀性好。

公开(公告)号：CN118919868A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202411086667.8

申请日：2024-08-08

申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院

发明人： 吴唯 ,  段倩歌 ,  杨春雷 ,  宁德 ,  吴奇龙 ,  杨铖

IPC分类号： H01M10/058 ,  H01M10/052 ,  H01M4/139

摘要： 本申请涉及锂电池技术领域，特别涉及一种无集流体锂金属负极的锂金属电池及其制备方法，该方法包括以下步骤：首先，制备厚度为20μm～100μm的锂箔，并在锂箔上预留极耳位置；然后，将镍极耳固定在锂箔上预留的极耳位置，得到锂金属负极；最后，将锂金属负极与正极、正极侧集流体进行器件组装，得到无集流体锂金属负极的锂金属电池。本申请实施例通过一种无集流体锂金属负极的锂金属电池及其制备方法，该锂金属电池无需制备和使用超薄锂箔负极(尤其是单面锂层厚度＜20μm)，避免了超薄锂箔大面积、均匀制备下的技术难题和成本控制。

公开(公告)号：CN116544310A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310591319.5

申请日：2023-05-24

申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院

发明人： 李文杰 ,  胡航炜 ,  杨春雷 ,  谭中营 ,  吴莉芸 ,  罗杰 ,  宋世璇 ,  邓立刚 ,  刘旭辉 ,  李伟民 ,  冯叶 ,  钟国华 ,  吴唯 ,  张杰 ,  邵龑 ,  陈明 ,  宁德

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/032 ,  H01L31/072

摘要： 本发明公开了一种低温硫等离子体钝化薄膜太阳能电池吸收层及其制备方法与应用，该方法采用新设计的硫等离子体激发装置通过对薄膜太阳能电池的吸收层表面进行硫等离子体的钝化处理来改变表面电子空穴聚集状态，以调整能带排列从而抑制晶界面处电子空穴复合，降低漏电流，最终提高器件效率。本发明提供了一种新的、无需加热就能有效的钝化方法，所制备的CZTSe太阳能电池钝化处理后开路电压提升至376.8mV，短路电流降低至36.2mA/cm2，填充因子提升至69.5％，效率提升至8.98％。

公开(公告)号：CN117393841A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311114597.8

申请日：2023-08-31

申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院

发明人： 李文杰 ,  罗杰 ,  杨春雷 ,  邓立刚 ,  胡航炜 ,  吴莉芸 ,  宋世璇 ,  李伟民 ,  冯叶 ,  钟国华 ,  吴唯 ,  张杰 ,  邵龑 ,  陈明 ,  宁德

IPC分类号： H01M10/0562 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/058

摘要： 本发明涉及基于SnSb合金的全固态锂离子电解质及其制备方法。根据全固态锂离子电解质的化学式构成，先将金属元素进行叠层与压缩处理得到均匀合金，再进行硫化退火以及二次硫化退火处理得到成品。本发明使用Li箔与SnSb箔轧辊得到Li‑SnSb合金箔以替换传统的利用硫化锂、硫化锡、三硫化二锑以及硫粉经过长时间行星球磨与高温煅烧的制备方法，本发明降低了生产成本与制备温度节约了生产周期，且片状的Li‑SnSb合金箔易于硫化，工艺放大简单，使Li4‑xSn1‑xSbxS4体系大规模产业化成为可能。

公开(公告)号：CN115692832A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202211392978.8

申请日：2022-11-08

申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院

发明人： 邓立刚 ,  李文杰 ,  杨春雷 ,  吴唯 ,  谭中营 ,  罗杰 ,  刘旭辉 ,  陈曦 ,  孙传奎 ,  胡航炜 ,  宋世璇 ,  吴莉芸

IPC分类号： H01M10/0562 ,  H01M10/0525

摘要： 本申请提供的硫化物固态电解质的制备方法，根据硫化物固态电解质的化学式，获取除硫外的其他对应物质的比例；将对应的物质叠层设置并进行压缩处理，得到固态合金；将所述固态合金进行硫化处理，得到所述硫化物固态电解质样品；将所述硫化物固态质电解样品进行退火处理，得到所述硫化物固态电解质，本申请上述实施例制备得到的Li4SnS4，相对于传统的固态电解质具有更好的离子电导率，其离子电导率达到了3.5*10(‑4)S cm(‑1)，与其它硫系固态电解质相比具有十分优良的空气稳定性，且对该固态电解质做M金属参杂可以显著提高其离子电导率，上述制备方法，易于工艺放大，同时金属硫化反应活性高，容易产生相应的硫化物，大幅降低了了硫化物固态电解质制备的成本，缩短了生产周期，使li4SnS4大规模产业化成为可能。

公开(公告)号：CN116314456A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310256748.7

申请日：2023-03-03

申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院

发明人： 苑欣业 ,  李伟民 ,  俞深 ,  唐玮 ,  王磊 ,  李松 ,  王赛强 ,  吴唯 ,  郑雪 ,  张杰 ,  杨春雷

IPC分类号： H01L31/18 ,  C01B19/00 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/04

摘要： 本发明公开一种表面硫化的铜铟镓硒薄膜、太阳能电池的制备方法。所述表面硫化的铜铟镓硒薄膜的制备方法包括步骤：提供表面具有金属底电极层的衬底；在金属底电极层上制备铜铟镓硒薄膜，得到表面具有铜铟镓硒薄膜的衬底；将表面具有铜铟镓硒薄膜的衬底置于含有硫元素的电解液中，通过电化学离子提取工艺使电解液中的硫元素扩散至所述铜铟镓硒薄膜表面，得到表面硫化的铜铟镓硒薄膜。本发明通过电化学离子提取工艺对CIGS薄膜进行表面硫化，使得电解液中的硫元素扩散到CIGS薄膜的表层。该电化学离子提取工艺可以在低温条件下进行，相比于现有的高温硫化工艺，工艺难度更低，且可以避免由于高温而可能对CIGS薄膜的结构造成不良影响。

公开(公告)号：CN118888698A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202411086556.7

申请日：2024-08-08

申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院

发明人： 吴唯 ,  吴奇龙 ,  杨春雷 ,  宁德 ,  马常静 ,  杨铖 ,  段倩歌

IPC分类号： H01M4/1395 ,  H01M4/134 ,  H01M10/052

摘要： 本申请涉及锂电池技术领域，特别涉及一种超薄锂金属复合负极及其制备方法与应用，该方法包括以下步骤：将低熔点盐和锂金属混合后加热至熔融状态，反应生成熔融态的复合锂金属材料；将熔融态的复合锂金属材料转移至铜箔上，对熔融态的复合锂金属材料进行均匀刮涂，冷却至室温，得到超薄锂金属复合负极。本申请利用掺杂物与锂金属的自发反应，在熔融反应过程中实现锂金属负极体相/表面高效同步化学改性，既改善锂对铜箔的浸润性以实现超薄锂负极的涂布，也实现无机快离子导体组分、锂‑金属合金组分的原位掺杂和丰富晶界面的快速构筑，实现锂离子的快速传导，抑制锂的不均匀沉积与枝晶状生长并提高库伦效率，提升锂金属负极的电化学性能。

公开(公告)号：CN118500541A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410367043.7

申请日：2024-03-28

申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院

发明人： 杨春雷 ,  章文丽 ,  常天赐 ,  宁德 ,  李伟民 ,  吴唯 ,  钱玖通 ,  邵龑

IPC分类号： G01J1/44 ,  G01J1/02 ,  G01J1/04

摘要： 本发明公开了一种光电二极管型激光功率计，包括装配壳体，所述装配壳体的内部固定安装有轨道；所述轨道上活动连接模拟发生机构；所述轨道的内部设置测试组件；所述模拟发生机构包括与轨道配合的适配滑板，适配滑板上设有集成激发头、仓储机构与送入机构和翻转机构；翻转机构带动集成激发头进行翻转；仓储机构用于存放若干个待测试的灯管，送入机构用于将仓储机构中待测试的灯管逐一推入集成激发头内，集成激发头在轨道上移动，与测试组件对接，测试组件对待测试的灯管进行测试计量。本发明提供一种光电二极管型激光功率计，其可以对不同规格的灯管进行测试，自主完成不同灯管的更换，提高设备测试效率。

公开(公告)号：CN117317147A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311030385.1

申请日：2023-08-16

申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院

发明人： 吴唯 ,  马常静 ,  段倩歌 ,  杨春雷 ,  宁德 ,  牛放 ,  姚海迪 ,  游幸子 ,  杨铖 ,  吴奇龙

IPC分类号： H01M4/1395 ,  H01M4/134 ,  H01M10/0525 ,  B82Y30/00

摘要： 本发明公开了一种自发形成纳米棒阵列的锂金属负极及其制备方法与快充锂金属电池，利用掺杂组分与锂金属的自发反应，借助反复多次的机械揉捻和滚压，在锂金属体相，三维锂纳米棒阵列的微结构结合无机快离子导体组分、锂‑金属合金、丰富晶界面等，可有效缓解锂沉积/剥离过程中的体积变化并实现锂离子/电子的快速传导；在锂金属表面，自发反应生成的富F/N/S无机锂化合物的人工SEI组分，可有效避免电解液中溶剂/锂盐过分分解导致的有机组分积累，在循环过程中保持形貌与表面结构的稳定，抑制锂枝晶生长并提高库伦效率，实现锂金属电池在高倍率下的长期循环，稳定锂金属负极并提高其在快充条件下的电化学性能。